一、 CMOS 和 TTL 以及他们的区别、功耗大小、电平
- 工作电压：CMOS 范围广（3V~15V），TTL 固定约 5V。
- 功耗：CMOS 远低于 TTL（因 MOSFET 高输入阻抗，静态功耗极低）。
- 逻辑电平 ：
- CMOS：高电平（2/3 VDD ~ VDD），VDD是电路中的正电源电压，低电平（0 ~ 1/3 VDD）。
- TTL：高电平（2.4V ~ 5V），低电平（0 ~ 0.8V）。
- 噪声容限：CMOS 更高（得益于宽电压范围和高阻抗）。
- 输出电流：TTL 较大，CMOS 较小（驱动大负载需增强输出级）。
二、NMOS 与 PMOS 的区别
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掺杂元素：
- N型：添加五价元素（如磷、砷），每个杂质原子提供一个额外电子。
- P型：添加三价元素（如硼、镓），每个杂质原子形成一个空穴（缺少电子的位置）。
NMOS 和 PMOS 是两种 MOSFET 器件，主要区别在于掺杂类型和导通特性：
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NMOS（N 型 MOSFET） ：
电子从 P 型基区流入 N 型沟道；高电平输入导通，导通电阻小，输出低电平。
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PMOS（P 型 MOSFET） ：
空穴从 N 型基区流入 P 型沟道；低电平输入导通，导通电阻小，输出高电平。
应用：在 CMOS 逻辑电路中，NMOS 和 PMOS 互补组合，实现低功耗逻辑门。
三、BJT 与 MOSFET 的区别
BJT（双极结型晶体管，例如NPN三极管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是两种主流晶体管器件，主要区别如下：
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结构 ：
BJT 由发射区 、基区 和集电区 三个掺杂区组成，形成两个 PN 结。
MOSFET 包括栅极 、栅氧化层 （绝缘层）、源极 、漏极 和衬底层，形成 MOS 结构。
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导通机制 ：
BJT 为电流控制型：通过基极注入少量载流子控制集电极大电流流动（双极导电）。
MOSFET 为电压控制型：通过栅极电压诱导沟道形成，控制源漏极间单极载流子流动。
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控制特性 ：
BJT 的电流放大系数（β）受温度、电流密度等影响较大，不易精确控制。
MOSFET 的跨导（gm）可通过栅极电压（Vgs）精确调节，阈值电压（Vth）定义导通点。
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功耗 ：
BJT 静态功耗较高（基极需持续电流）。
MOSFET 静态功耗低（栅极无直流电流），但动态功耗（如开关损耗）可能较高。
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噪声性能 ：
BJT 噪声系数较低，尤其在低频应用中。
MOSFET 噪声系数较高，受陷阱电荷和 1/f 噪声影响。
应用选择：BJT 适合高功率、高速模拟电路（如放大器）；MOSFET 适用于低功耗数字集成电路（如 CMOS 逻辑）。根据功耗、速度和集成度需求选型。
四、常见的滤波电路有哪几种
滤波电路用于抑制电路中不需要的频率成分，主要分为无源滤波和有源滤波两大类，根据元件组成和功能特性区分。
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无源滤波电路 ：
仅由无源元件（电阻 R、电容 C、电感 L）构成，无需外部电源，简单、经济，但增益有限且可能引入相移。常见形式包括：
- 电容滤波：利用 C 旁路高频噪声，适用于电源整流输出平滑。
- 电感滤波：利用 L 阻抗高频信号，抑制纹波，但体积大、成本高。
- 复式滤波：组合 R、C、L 形成多级滤波，如倒 L 型（串 L 接并 C）、LC π 型（L-C-L 结构）和 RC π 型（R-C-R 结构），用于更陡峭的衰减特性。
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有源滤波电路 ：
由无源元件结合有源元件（BJT、FET 或集成运放）组成，可提供增益、阻抗变换和精确频率响应，常用于信号处理。常见拓扑包括：
- Sallen-Key 滤波器：基于运放的反相/非反相配置，实现低通、高通、带通滤波。
- 多反馈（MFB）滤波器：用于高阶滤波，提供高 Q 值（品质因数）。
- 状态变量滤波器：多运放结构，支持带阻和全通响应。
（后续还有的话持续更新）