AriZh对比了电容和电感选型的差异，电容选型相对直接，而电感设计更复杂，需要后期评估参数。他重点介绍了共模电感的作用，强调其抑制共模信号、避免电磁干扰的关键功能，但具体设计细节留待后续讨论。磁芯选型等核心问题被暂时搁置，说明电感设计存在较高技术门槛。
AriZh简要介绍了电感参数设计的关键指标，包括感量和品质因数Q值，但明显对高频特性一带而过。随后他转向整流电路，清晰区分了全波整流和半波整流，并详细解释了全桥整流中主动与被动器件的差异。值得注意的是，他纠正了自己关于整流目的的口误，从直流转直流改为交流转直流，显示出对技术细节的严谨态度。最后提到辅助电源中多采用被动二极管整流，这暗示了成本或可靠性可能是优先考虑因素。
AriZh讲解了整流电路的关键点，强调设计余量的重要性，指出选型时需考虑内电压和过电流，不能仅按最高电压选择器件。他提到输入电容的主要功能是平滑，暗示电容在电路稳定性中的核心作用。从前后内容看，他正在系统性地梳理电源设计的关键环节。
AriZh详细讲解了电容选型的关键参数，强调设计余量的重要性。他提到电解电容需重点关注耐压、纹波电流、极限温度、寿命和容量，这些都与电路设计参数紧密相关。从前后讨论来看，他显然在系统性地梳理被动器件选型的核心要素。
AriZh强调电容的实际使用温度需低于标定值，指出175度标定值在实际应用中需降格使用。他以电解电容为例，说明核心温度超过105度会大幅缩短寿命，每升高1度寿命减半的规律值得警惕。他建议选择2000-5000小时寿命的电容，考虑到设备五年到十年的质保期，这种保守选择很有必要。这段讨论暴露出元器件标称参数与实际工程应用间的显著差异。
AriZh详细解释了变压器在电路中的双重功能：既作为电感参与能量储存释放，又实现传统变压作用。他特别强调这与传统仅变压的变压器不同，指出这种设计在BUCK/BOOST电路中尤为关键。
结合前文对元件寿命的讨论，可以看出他对器件功能与可靠性的深度关注，技术细节把控非常严谨。
AriZh强调变压器设计需优先关注电感量，其次才是匝比等特性参数，指出变压器本质上是兼具电感和变压功能的磁性器件。他提到设计时还需考虑工艺和极限温度，但磁芯温度因耐温较高可暂不重点关注。从前后发言可见，他正系统梳理变压器设计的核心要素，但刻意回避了具体设计细节的展开。
AriZh指出绝缘材料是限制温度上限的关键因素，这与之前讨论的绕组和骨架温度限制形成呼应。他提到气包线和三层绝缘线的耐温范围在150-200度之间，说明材料选择直接影响设备耐温性能。
关于前卫电路，他强调其核心功能是限制原边电压过冲，这反映出对开关器件保护的重视。开关电源工作时产生的电压尖峰必须控制，否则会威胁器件安全。这里隐含了对电路稳定性的高标准要求。
AriZh解释了漏感是能量无法有效传递到副边而积累在原边的现象，若不及时释放会导致变压器或开关器件失效。他提到RCD电路和D加TVS电路可用于处理漏感，但未展开具体计算方式。随后转向讨论开关器件，指出反激电源的开关频率通常在100K左右，暗示这一参数受限于器件性能或设计需求。
AriZh指出将主频设置在测试频率范围内会导致信号难以消除，因为激波占据了95%以上的能量，斜波能量随频次增加而降低。他建议避开150K赫兹，选择110-120K赫兹的范围更为合适，这表明他对测试标准和信号处理有深入理解。
AriZh解释了频率与电感量的反比关系，指出高频小电感虽能节省空间但存在物理限制。他确认选用100K开关频率的MOS管而非IGBT，强调MOS在开关速度上的优势。
关键参数清单浮现：耐压、过电流、驱动电流/电压、温度极限及封装------说明器件选型需多维度权衡。
AriZh详细讲解了二极管选型的关键参数：电压、电流、封装、功耗和结温，显示出他对技术细节的严谨把控。接着他转入反馈回路的话题，区分了原边和副边反馈，强调副边反馈更常用且需满足隔离设计要求，并提到光耦作为隔离器件的选择。这里他隐含了对系统安全性的重视。最后他提到反馈涉及环路补偿，引出电流环和电压环的问题，表明讨论正逐步深入到更复杂的技术层面。
AriZh详细讲解了MOS驱动电压和三级电流对IC选型的影响，强调需要综合考量开关频率和反馈机制。他之前还系统梳理了二极管选型参数和反馈回路的隔离设计要点，可见他对电源系统设计的细节把控非常严谨。