静电放电防护电路提供ESD电流路径，以免ESD放电时，静电电流流入IC内部电路而造成损伤。在集成电路正常操作时，ESD防护电路是不动作的。
当只考虑芯片input到vss以及vdd与vss之间的ESD防护电路，当vdd与vss的线束很长时，线束的杂散电阻电容会延迟ESD电流流经vdd与vss之间的防护电路旁通而过，进入ic内部导致损伤。因此，input pad与vdd之间也要提供ESD防护电路。
制作于IO pad旁的ESD防护电路必须及时导通来泄放ESD放电电流，因此ESD必须具有较低的击穿电压或者较快的导通速度。
常用于ESD防护元件如下，其中，电阻具有阻挡电流的能力，常与其他元件共同使用以提升ESD耐受能力。
①电阻
②二极管
③NMOS或PMOS
④场效应管
⑤结型晶体管
⑥可控硅元件（SCR，pnpn）
当静电放电所产生的热量大于该ESD防护元件所能承受的极限值，该ESD防护元件便会烧毁，如果要能承受更大的ESD放电电流，则必需增加该ESD防护元件的元件尺寸及布局面积以提升其承受能力。如何设计一个具有高ESD承受能力但只占用小布局面积的ESD防护电路，必须考虑元件在不同偏压之下的特性。