东芝TDS5B212MX/TDS5C212MX最高支持64G的高速切换开关芯片DP2.0/PCIE6.0/USB4等接口二切一

东芝TDS5B212MX/TDS5C212MX 是支持最高 64GT/s 速率的1 通道 2 差分通道 2:1 复用 / 1:2 解复用高速差分开关 ,采用XQFN16 封装,1.6--3.6V 供电、工作温度 **-40~125℃,典型功耗仅 70μA**,TDS5C212MX 带宽34GHz 、TDS5B212MX 带宽29GHz ,兼容PCIe 6.0、CXL 3.x、USB4 V2、Thunderbolt 5、DP 2.0 等高速接口,二者仅引脚排布不同,由SEL/OE引脚控制通道切换与高阻关断,2025 年 11 月量产。

1. 产品定位与基本信息

  • 厂商:东芝(TOSHIBA)
  • 类型:CMOS 数字集成电路、硅单片
  • 功能:1 通道、2 差分通道、2:1 复用器 / 1:2 解复用器(Mux/De-Mux)
  • 速率:支持最高 64GT/s高速差分接口
  • 封装:XQFN16 ,典型重量3.9mg
  • 量产时间:2025 年 11 月
  • 版本:2026-01-16 Rev.1.0

2. 型号差异

表格

型号 引脚排布 -3dB 带宽(典型)
TDS5B212MX 传统兼容布局 29GHz
TDS5C212MX 高频优化布局 34GHz

3. 核心电气参数

(1)工作范围

  • 供电电压:VCC=1.6~3.6V
  • 工作温度:Top=-40~125℃
  • 工作电流(典型):70μA
  • 最大功耗:180mW(-40~105℃),105~125℃按 **-8.5mW/℃** 降额

(2)高频性能(16GHz 典型值)

表格

参数 TDS5B212MX TDS5C212MX
差分插入损耗 -1.2dB -1.2dB
差分回波损耗 -15dB -14dB
关断隔离度 -27dB -24dB
差分串扰 -31dB -31dB

(3)开关特性

  • 传输延迟:26ps(VCC=3.3V)
  • 通道间偏斜:2ps
  • 比特间偏斜:B=2ps 、C=3ps
  • 先断后合时间:55~450ns

4. 通道控制逻辑(真值表)

表格

OE SEL 功能
A 端口接 B 端口
A 端口接 C 端口
任意 所有端口断开(高阻待机)

5. 端口与内部特性

  • 端口:A 端口(An±)可切换至 B 端口(Bn±)/C 端口(Cn±)
  • 内部阻抗:A 端口差分弱电阻20kΩ,对地弱下拉 **≈1MΩ**
  • 未用控制脚:必须接VCCGND

6. 兼容高速接口

  • 计算:PCIe 6.0(PAM4)/5.0/4.0CXL 3.x/2.x/1.x
  • 通用高速:USB4 V2.0、USB3.2 Gen2/Gen1
  • 影音 / 扩展:Thunderbolt 5DisplayPort 2.0/1.4
  • 存储:SAS 3.0

7. 绝对最大额定值

  • 供电:-0.5~4.0V
  • 控制脚输入电压:-0.5~4.0V
  • 开关 I/O 电压:-0.5~2.5V
  • 开关 I/O 电流:32mA
  • 存储温度:-65~150℃

8. 使用限制

  • 不适用:航空航天、车载、医疗救生、核设施、安防等高可靠性场景
  • 禁止:拆解、反向工程、军事用途、违规出口

四、关键问题与答案

问题 1:TDS5B212MX 与 TDS5C212MX 的核心区别是什么?

答案:二者核心功能一致,唯一核心区别是引脚排布 :TDS5C212MX 为高频优化引脚 ,-3dB 带宽34GHz ;TDS5B212MX 为传统兼容引脚 ,带宽29GHz,高频性能略低。

问题 2:如何控制该芯片实现通道切换与关断?

答案:由 **OE(输出使能)SEL(通道选择)** 共同控制:

  1. OE=:所有端口断开,进入高阻待机;
  2. OE= 且 SEL=:A 端口连接 B 端口;
  3. OE= 且 SEL=:A 端口连接 C 端口。

问题 3:该芯片支持哪些主流高速接口,最高速率多少?

答案:芯片支持PCIe 6.0、CXL 3.x、USB4 Version 2.0、Thunderbolt 5、DisplayPort 2.0、SAS 3.0 等接口,最高支持速率为 64GT/s,可满足下一代高速互联需求。

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