SPI NOR FLASH芯片GT25Q05C-U的存储密度为512Kb（即64KB），内部存储阵列采用页组织结构，每页容量256字节，共256个可编程页。与常见的并行NOR Flash不同，这款芯片通过串行外设接口（SPI）进行通信，只需少量引脚就能完成数据读写，有效简化了PCB布线。
SPI NOR FLASH芯片工作电压范围宽达1.65V至3.6V，能够兼容1.8V和3.3V两种常见系统电平。在时钟频率方面，当启用快速读取双通道或四通道I/O指令时，SPI时钟最高可跑90MHz，配合多线传输模式，显著提升了代码执行和数据吞吐效率。
对于电池供电的便携设备，功耗永远是绕不开的指标。SPI NOR FLASH芯片GT25Q05C-U在这方面表现可圈可点：典型待机电流仅7μA，掉电模式下更是低至0.1μA。这种超低漏电水平，意味着设备在休眠状态时几乎不消耗电能，特别适合物联网传感器、无线耳机、电子标签等需要长期待机的产品。
SPI NOR FLASH芯片数据保持能力典型值为50年，足以满足绝大多数工业级和消费级产品的生命周期要求。同时，该芯片支持XIP（就地执行）操作，处理器可以直接在闪存中运行代码，无需预先拷贝到RAM，既节省内存空间又提高启动速度。
SPI NOR FLASH芯片GT25Q05C-U采用节省空间的封装形式，引脚布局符合行业标准，能够与主流SPI NOR Flash产品相互替换。它支持标准SPI、双路SPI和四路SPI模式，在单I/O模式下只需CLK、DI、DO和CS#四条信号线即可工作，极大降低了MCU的引脚占用。