第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）
2026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology
会议官网：www.asdit.org
会议时间：2026年8月28-30日
会议地点：中国-江苏-无锡
截稿时间（一轮延长）：2026年6月25日（早投早审早递交）
发表流程：【投稿】→审稿返修→录用→缴费→【注册参会】→见刊→纸质论文集→检索；
论文检索：EI, Scopus
会议简介： 第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。
我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！
**会议回顾：**2025先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2025）已于2025年9月19-21日在中国江苏无锡召开，会议由江南大学主办，召集了国内外200余人参与学术交流。ASDIT 2025会议论文集已提交IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)并完成见刊出版。
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| 主办单位 | 江南大学 |
| 承办单位 | 江南大学集成电路学院 江南大学理学院 无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室 江南大学-康讯半导体联合实验室 |
**征稿主题：**不限于以下主题，相关主题均可投递
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| 半导体器件 | 集成技术 |
| 新型半导体材料及其在器件中的应用 高性能MOSFET设计与优化 能耗效率优化的功率器件技术 超越硅的III-V族化合物半导体器件 微光电半导体传感器及其应用 半导体激光器及其新兴应用领域 石墨烯和其他二维材料器件 量子点和量子阱半导体器件 新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM 低温电子器件的挑战与机遇 高频和高功率器件的突破性技术 硅基光电子器件及其集成技术 隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究 半导体器件的可靠性与老化机制 先进封装和互连结构对器件性能的影响 ...... | 三维集成电路及其制造工艺 片上系统(SoC)与集成方法 芯片异构集成技术 封装级集成技术的发展与创新 集成电路中的热管理技术 射频集成电路及其设计优化 人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用 先进模拟与混合信号集成电路 电源管理集成电路技术 集成电路设计中的可靠性与安全挑战 硅光子学互连技术 超大规模集成技术的最新进展 新兴存储器集成技术 模块化MEMS与NEMS的集成应用 智能传感系统的集成与创新 ...... |
论文出版： 文章先经2-3位专家盲审，录用的文章将会被递交给IEEE(ISBN: 979-8-3195-2163-7) 出版，见刊后由出版社整理提交至EI, Scopus 检索。
注册费用 
参会方式：听众|海报展示|头口汇报
参会报名链接： 【IEEE出版|江南大学主办】第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2026）-参会报名
https://www.ais.cn/attendees/toSignUp/AFJFBU?invite=L3783如有更多问题欢迎咨询~