一、产品整体概述
EG27324 是屹晶微电子两路独立低侧栅极驱动芯片，无内置功率管，需要外接 N‑MOS，具备 SD 快速逐周关断功能。VDD 供电 2.8‑20V；输出拉电流 2A，灌电流 2.5A；静态电流＜1μA，适合电池供电系统；INA、INB 分别控制 OUTA、OUTB 两路输出；SD 为高电平有效全局关断引脚，SD=1 强制两路输出拉低。封装 SOP‑8，工作温度‑45~125℃，用于电源、无线充电、变压器驱动、电机、变频水泵等场景屹晶微电子...。
二、五大核心差异化硬件优势
- 双通道完全独立低侧驱动，大驱动电流 INA‑OUTA、INB‑OUTB 两路完全独立，互不干涉；拉电流 2A、灌电流 2.5A，可快速对 MOS 栅极充放电，适合驱动中大功率 N 沟道 MOSFET。
- SD 逐周全局关断引脚，便于故障保护 SD 高电平强制 OUTA、OUTB 同时输出低，不受 INA/INB 状态影响，适合做逐周期限流保护、故障快速关断；SD 引脚内置 85kΩ 下拉，悬空不影响正常工作。
- 超宽供电、极低静态功耗，适配电池产品 VDD 工作电压2.8‑20V；输入悬空静态电流＜1μA，休眠功耗极低；逻辑输入高电平阈值 2.5V，兼容 3.3V/5V MCU，无需电平转换。
- 开关速度快，时序简洁 开通延时典型 80ns，关断延时典型 60ns；上升沿 40ns，下降沿 20ns，适合高频变换应用。
- SOP‑8 通用贴片，外围极简 仅 VDD 端配置去耦电容，BOM 少；INA、INB、SD 引脚均内置 85kΩ 下拉电阻，引脚悬空不会误导通。
三、内置功能与限制
⚠️重要说明：
- 仅低侧驱动，无悬浮自举，不能驱动半桥上管；
- 无硬件死区、无互锁、无欠压保护，保护逻辑全部需要 MCU 外部实现；
- 内部不含功率 MOS，必须外接外部 MOS 管。
内置功能：
- INA、INB、SD 引脚 85kΩ 内部下拉；
- 两路独立电平位移、图腾柱驱动输出；
- SD 引脚高电平优先关断两路输出。
四、引脚功能定义（SOP‑8）
1 脚 NC：空脚； 2 脚 INA：A 通道逻辑输入，高电平输出 OUTA 高；内置 85kΩ 下拉； 3 脚 GND：芯片地； 4 脚 INB：B 通道逻辑输入，高电平输出 OUTB 高；内置 85kΩ 下拉； 5 脚 OUTB：B 路栅极驱动输出； 6 脚 VDD：芯片电源 2.8‑20V，就近接去耦电容； 7 脚 OUTA：A 路栅极驱动输出； 8 脚 SD：全局关断，高电平有效，强制 OUTA/OUTB 输出低；内置 85kΩ 下拉。
输入输出逻辑真值表 | INA | INB | SD | OUTA | OUTB | 状态 | |---|---|---|---|---|---| | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 两路输出低 | | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | OUTB 高，OUTA 低 | | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | OUTA 高，OUTB 低 | | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 两路输出高 | | × | × | 1 | 0 | 0 | SD 关断，两路强制输出低 |
五、外围元器件标准化选型规范
VDD 去耦电容 ：0.1μF 陶瓷电容，紧靠 VDD‑GND。 栅极电阻 Rg ：OUTA、OUTB 输出串联栅极电阻，抑制栅极振荡，阻值视 MOS 栅电荷选取。 功率器件：外接 N 沟道 MOSFET，仅做低侧驱动。
六、PCB 布线硬性规范
- VDD 去耦电容紧贴 VDD 与 GND 引脚；
- OUTA、OUTB 栅极走线尽量短，减小寄生电感，栅极电阻靠近 MOS 管栅极；
- INA、INB、SD 逻辑走线远离 MOS 功率大电流回路，避免干扰；
- GND 完整铺铜，减小地弹噪声。
七、主流应用场景
低侧 MOS 驱动、推挽 / 双管正激低侧、同步整流、无线充电驱动器、变压器驱动、电机控制器、变频水泵、移动电源。