一、产品整体概述
EG1162 是屹晶微电子降压同步整流控制器（芯片内部不含功率 MOS，需要外接上下桥 N‑MOS 管） ，SOP‑16 封装。芯片 VCC 供电 4.5‑20V；高端 VB 悬浮最高耐压600V；内置误差放大器、振荡器、PWM 逻辑、半桥栅极驱动、逐周期限流、短路打嗝保护；片内集成 3.3V/50mA 基准电源；PWM 频率由外部电容 Cp 设定，频率公式：\(\boldsymbol{f=(18×10^6)/C_p}\)（Cp 单位 pF）；FB 引脚内部基准 1.2V，通过外部分压电阻设置输出电压；适合大电流降压电源，可实现 5V/20A、12V、24V 等输出，用于 LED 大屏、电动车转换器、POE 以太网供电、工业控制系统、逆变器附属电源等场景。
重要：这是控制器，不是集成 MOS 电源 IC，HO/LO 输出只做栅极驱动，功率 MOS 全部外接。
二、五大核心差异化硬件优势
- 最高 600V 高端悬浮自举驱动，适配高压输入降压 VB 高端悬浮电源耐压 600V，半桥 HO/LO 图腾柱栅极驱动；拉电流 1.8A、灌电流 2A，驱动能力强，适合驱动大规格外置同步整流 MOS 管；内置 200ns 典型硬件死区，防止上下管直通。
- 外部电容可编程 PWM 频率，支持宽频率配置 仅通过 Cp 引脚外接电容设置开关频率，范围 0‑300kHz；示例 Cp=270pF，工作频率约 67kHz；振荡器温漂、电压漂移小。
- 双模式逐周期限流 + 输出短路打嗝保护 逐周期峰值限流，采样方式二选一：①利用 MOS 管导通内阻采样；②外接采样电阻采样；限流阈值典型 180mV；输出短路进入打嗝模式：VCC 电容放电至 UVLO 关断，之后重新启动，持续短路则反复重启，限制功率管发热。
- 内置 3.3V LDO 基准，简化外围供电 REF3.3V 引脚输出 3.3V 基准，最大输出 50mA，可给外部周边小电路供电，减少外部 LDO 器件。
- 多类灵活配置引脚，系统可定制化
- EN 引脚：外部电阻分压可自定义芯片开启 / 关闭阈值，内部比较基准 1.2V；
- SD 引脚：高电平立即关闭 PWM 输出，实现快速关断；
- SS 软启动引脚：外接电容调节软启动时间，抑制上电冲击电流；
- FB 反馈引脚，1.2V 内部基准，分压电阻灵活设置输出电压；
- SDHIN/SDLIN：高端、低端各自独立电流采样比较输入。
三、内置安全保护与功能
- VCC 欠压锁存 UVLO：VCC 典型开启 4.6V，关断 3.8V；VCC 低于关断值 PWM 全部关闭；短路打嗝保护依赖 VCC 电容充放电实现间歇重启。
- 逐周期峰值限流：SDHIN（高端）、SDLIN（低端），检测阈值典型 180mV；可 MOS 内阻采样或外部采样电阻采样。
- 输出短路打嗝保护：输出短路，VCC 电容放电，芯片 UVLO 关闭；外部启动电阻重新给 VCC 电容充电，到达开启电压再次尝试启动，短路状态下循环打嗝，降低 MOS 损耗。
- 内置硬件死区：典型 200ns，防止半桥上下管直通。
- REF3.3V 内置基准 LDO，带负载能力 50mA。
- SD 硬件 PWM 关断，EN 使能控制，SS 软启动。
⚠️注意：芯片无内置过温保护，功率 MOS 的过热防护需要外部电路实现；芯片本身只做控制器，MOS 全部外置。
四、引脚功能定义（SOP‑16）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | REF3.3V | O | 3.3V 基准输出，最大 50mA，对地接旁路电容 |
| 2 | EN | I | 芯片使能，内部比较基准 1.2V；外接分压电阻自定义启停阈值 |
| 3 | SD | I | PWM 快速关断，高电平关闭 HO、LO 输出 |
| 4 | SS | I | 软启动，外接电容，电容越大软启动时间越长 |
| 5 | VSS | GND | 信号地 |
| 6 | CP | I | 振荡器定时电容引脚，设置 PWM 频率 |
| 7 | ERRO | O | 误差放大器输出，可做环路补偿 |
| 8 | FB | I | 反馈输入，内部基准 1.2V，分压设置输出电压 |
| 9 | SDLIN | I | 低端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 10 | LO | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 11 | COM | PGND | 功率地 |
| 12 | VCC | Power | 芯片低压供电，4.5‑20V，对地 10μF 储能电容，影响短路打嗝间隔 |
| 13 | SDHIN | I | 高端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 14 | VS | O | 高端悬浮半桥中点 |
| 15 | VB | Power | 高端自举悬浮电源 |
| 16 | HO | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
输出电压计算公式：\(\boldsymbol{V_{OUT}=(1+\frac{R1}{R2})×1.2V}\)；R1、R2 为 FB 外部分压电阻。
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 储能电容：VCC 对地≥10μF，该电容直接决定短路打嗝的重启间隔，电容越大，打嗝周期越长，MOS 发热越小。
- REF3.3V 旁路电容：REF3.3V 对地接 1μF 陶瓷电容，就近引脚放置。
- CP 定时电容：根据目标开关频率代入\(f=(18×10^6)/C_p\)选取 Cp。
- 自举回路：VB‑VS 之间配置自举电容，搭配自举二极管；大功率应用建议外接高性能快恢复二极管。
- 功率器件：外接 N 沟道同步整流 MOS（高端、低端）；优先选择低 Rds (on)、低栅极电荷 MOS 管。
- 电流采样：方案 A，MOS 导通内阻采样，SDHIN/SDLIN 直接接 MOS 源极；方案 B，增加采样电阻，180mV 阈值计算限流。
- 反馈分压电阻 R1/R2：按\(V_{OUT}=(1+R1/R2)×1.2V\)计算设置输出电压。
- 输出 LC：输出电感 L、输出电容 Co，按照手册提供公式，根据纹波需求选型；输出电容优先低 ESR。
- SS 软启动电容：电容越大上电软启动时间越长，抑制上电冲击。
- EN 分压电阻 R20/R21：可自定义开启 / 关断阈值，关断电压建议设置为输出电压 70‑90%。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 引脚 10μF 储能电容必须紧贴 VCC‑COM 功率地，该电容直接影响短路打嗝保护效果。
- 自举二极管、自举电容紧靠 VB、VS 引脚，缩短悬浮功率回路，减小寄生。
- HO、LO 栅极驱动走线尽量短，栅极电阻靠近 MOS 管栅极，抑制栅极振荡。
- SDHIN、SDLIN 采样走线尽量短，远离大电流功率回路，避免采样噪声误触发限流。
- 反馈 FB 分压电阻远离功率大电流走线，避免地弹噪声造成输出不稳；ERRO 环路补偿器件靠近 ERRO 引脚。
- 功率地 COM 与信号地 VSS 单点连接，分割功率回路与小信号回路，降低地弹干扰。
- REF3.3V 的 1μF 旁路电容紧贴引脚，减少基准噪声。
七、主流应用场景
LED 显示屏电源、电动车转换器、工业控制系统、以太网 POE 供电、逆变器辅助电源、高压输入大电流同步降压电源。