一、产品整体概述
EG1163 (S) 是屹晶微电子高压同步降压控制器，芯片内部无功率 MOS，全部功率管需要外接 ，SOP‑16 封装，分为两个子型号：EG1163 、EG1163S 。高端 VB 悬浮自举耐压最高600V；VCC 芯片供电范围 10‑20V；内置振荡器、误差放大器、半桥栅极驱动、逐周期限流；片内 REF5V 基准输出（5V/50mA）；PWM 频率由 CP 引脚外接电容设置；FB 引脚内部 1.2V 基准，通过外部分压电阻设置输出电压；支持恒压、恒压恒流应用，适配蓄电池充电场景；典型应用电动车转换器、POE、工业控制系统、逆变器附属电源。
⚠️关键差异：EG1163 依靠输入高压经启动电阻给 VCC 储能电容上电启动，短路具备打嗝保护；EG1163S 需要外部电源给 VCC 供电启动，输出短路没有打嗝保护。
二、五大核心差异化硬件优势
- 最高 600V 悬浮自举驱动，栅极驱动能力强 VB 最高 600V，HO/LO 图腾柱栅极驱动；拉电流 1.8A、灌电流 2A；内置典型 200ns 硬件死区，防止上下管直通，可驱动大电流外置 N 沟道同步 MOS 管。
- 双版本 VCC 欠压 UVLO 阈值，适配两种启动方案
- EG1163：VCC 开启 14‑17V (典型 16.5V)，关断 8‑10V (典型 8V)；高压输入通过外部启动电阻对 VCC 电容充电自启动，不需要额外辅助电源；输出短路具备打嗝间歇重启保护。
- EG1163S：VCC 开启 7.5‑9.3V (典型 8.5V)，关断 6.7‑8.3V (典型 7.5V)；必须外部辅助电源给 VCC 供电启动，短路无打嗝，持续限流。
- CP 电容可编程 PWM 频率，0‑300kHz 可调 公式：\(\boldsymbol{f=(13×10^6)/C_p}\)（Cp 单位 pF）；Cp=200pF 时频率约 65kHz；振荡器电压、温度漂移小。
- REF5V 内置基准 LDO，最大 50mA 输出 输出 5V 基准，可给外围运放、NTC 采样、分压网络供电，减少外部 LDO；REF5V 对地需要就近放置 1μF 旁路电容。
- 逐周期峰值限流，支持蓄电池充电，可实现恒压恒流 SDHIN（高端）、SDLIN（低端）两路独立电流采样比较输入，比较阈值典型180mV；高端限流采用外部采样电阻，低端可利用 MOS 导通内阻采样；可外接外部运放扩展实现完整恒压恒流，适配铅酸 / 锂电充电。
峰值限流公式：\(I_{PK}=180mV/R_{sense}\)
- 丰富系统配置引脚
- EN 引脚：内部比较基准 1.2V，可外接分压电阻自定义开启 / 关断阈值；
- SD 引脚：高电平立即关闭 PWM 输出，逐周关断；
- SS 软启动引脚：外接电容，电容越大软启动时间越长，抑制上电冲击；
- ERRO：误差放大器输出，用于环路补偿。
三、内置安全保护与功能
- VCC 欠压 UVLO 锁存：两个子型号阈值不同，VCC 低于关断阈值，全部 PWM 输出关闭。
- 逐周期峰值限流：SDHIN、SDLIN，180mV 阈值；高端用外部采样电阻，低端 MOS 内阻采样。
- 输出短路保护
- EG1163：短路后 VCC 储能电容放电到 UVLO 关断；外部启动电阻重新给 VCC 电容充电，到达开启电压再次尝试启动；持续短路循环打嗝，降低功率管发热。VCC 引脚对地必须放置 22μF 储能电容，电容越大打嗝周期越长。
- EG1163S：外部供电模式，短路无打嗝，仅持续峰值限流。
- 内置硬件死区：典型 200ns，防止半桥上下管直通。
- SD 硬件 PWM 快速关断，EN 使能，SS 软启动。
⚠️重要提醒：芯片没有内置 MOS，无芯片级过温保护，MOS 管过热保护需要外部 NTC + 外围电路实现。
四、引脚功能定义（SOP‑16）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | REF5V | O | 5V 基准输出，最大 50mA；对地就近接 1μF 陶瓷电容 |
| 2 | EN | I | 芯片使能，内部比较基准 1.2V；外接分压电阻自定义启停阈值 |
| 3 | SD | I | PWM 快速关断，高电平关闭 HO、LO 输出 |
| 4 | SS | I | 软启动，外接电容，电容越大软启动时间越长 |
| 5 | VSS | GND | 信号地 |
| 6 | CP | I | 振荡器定时电容引脚，设置 PWM 频率 |
| 7 | ERRO | O | 误差放大器输出，环路补偿网络接入点 |
| 8 | FB | I | 反馈输入，内部基准 1.2V，分压设置输出电压 |
| 9 | SDLIN | I | 低端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 10 | LO | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 11 | COM | PGND | 功率地 |
| 12 | VCC | Power | 芯片低压供电；EG1163 需要 22μF 储能电容；EG1163S 外部辅助电源供电 |
| 13 | SDHIN | I | 高端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 14 | VS | O | 高端悬浮半桥中点 |
| 15 | VB | Power | 高端自举悬浮电源 |
| 16 | HO | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
输出电压计算公式：\(\boldsymbol{V_{OUT}=(1+\frac{R1}{R2})×1.2V}\)；R1、R2 为 FB 引脚外部分压电阻。
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 储能电容 ：EG1163 必须对地≥22μF，直接决定短路打嗝周期；EG1163S 外部辅助供电，同样需要稳定储能电容。
- REF5V 旁路电容：REF5V 对地 1μF 陶瓷电容，紧贴引脚。
- CP 定时电容：代入\(f=(13×10^6)/C_p\)选择 Cp；Cp=200pF≈65kHz。
- 自举回路：VB‑VS 配置自举电容、自举二极管；大功率建议外接快恢复二极管。
- 功率器件：外接高低端 N 沟道同步 MOS，优先低 Rds (on)、低栅电荷 MOS。
- 电流采样：高端必须外接采样电阻；低端可以 MOS 内阻采样；限流阈值 180mV。
- 反馈分压电阻 R1/R2：按\(V_{OUT}=(1+R1/R2)×1.2V\)设置输出电压。
- 输出 LC：输出电感 L、输出电容 Co；电感兼顾连续 / 不连续模式；输出电容优先低 ESR；手册提供纹波计算公式。
- SS 软启动电容：容值越大，上电软启动时间越长。
- EN 分压电阻：可自定义芯片开启 / 关断阈值。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 引脚 22μF 储能电容必须紧贴 VCC‑COM 功率地，直接影响 EG1163 打嗝保护效果。
- 自举二极管、自举电容紧靠 VB、VS 引脚，缩短悬浮回路，降低寄生参数。
- HO、LO 栅极驱动走线尽量短，栅极电阻靠近 MOS 管栅极，抑制栅极振荡。
- SDHIN、SDLIN 采样走线短，远离大电流功率回路，避免噪声误触发限流。
- FB 反馈分压电阻远离功率大电流走线；ERRO 环路补偿器件靠近 ERRO 引脚，减小噪声。
- 功率地 COM 与信号地 VSS 单点连接，分割功率回路与小信号回路，降低地弹噪声。
- REF5V 的 1μF 旁路电容紧贴引脚，减小基准噪声。
七、主流应用场景
电动自行车 / 摩托车转换器、蓄电池充电系统、LED 大屏电源、工业控制系统、以太网 POE 供电、逆变器辅助电源、高压输入大电流同步降压电源。