一、产品整体概述
EG1164 是屹晶微电子同步升压控制器，芯片内部无集成功率 MOS，需要外接 N 沟道 MOS 管 ，SOP‑16 封装。高端 VB 悬浮自举耐压最高600V ；芯片 VCC 供电4‑20V ；内置振荡器、误差放大器、半桥栅极驱动、逐周期限流；片内集成REF3.3V 基准输出（最大 50mA）；PWM 开关频率由 CP 引脚外接电容编程；FB 引脚内部 1.2V 基准，通过外部分压电阻设置输出电压；支持连续 / 非连续两种工作模式；适合电池升压、电动车电源、工业高压升压、逆变器辅助电源。
关键：这是升压拓扑控制器，和 EG1162/EG1163 降压控制器属于同平台不同拓扑，引脚定义基本兼容，功率回路改为升压架构。
二、五大核心差异化硬件优势
- 最高 600V 悬浮自举栅极驱动，升压专用半桥架构 VB 最高 600V 耐压；HO/LO 图腾柱栅极驱动，拉电流 1.8A、灌电流 2A；内置典型 200ns 硬件死区，防止上下管直通；适配高压升压输出，可实现 12V 升 24V、24V 升 48V 等升压方案。
- CP 电容可编程 PWM 频率，0‑300kHz 可调 频率计算公式：\(\boldsymbol{f=(18×10^6)/C_p}\)，Cp 单位 pF；Cp=270pF 时频率约 67kHz；振荡器电压、温度漂移小。最大占空比 90%。
- 内置 REF3.3V 基准 LDO，最大 50mA 输出 输出 3.3V，可给外部分压网络、NTC 采样、外围小运放供电，减少外部 LDO；REF3.3V 引脚就近放置 0.1μF 旁路电容。
- 逐周期双路电流采样限流，支持谐波补偿 SDHIN（高端）、SDLIN（低端）两路独立 180mV 阈值电流比较输入；高端限流依靠 MOS 管导通内阻，低端依靠外部采样电阻；支持外接电路实现谐波补偿，优化大电流下限流精度。峰值限流公式：\(I_{PK}=180mV/R_{sense}\)。
- 丰富系统配置引脚，灵活可定制
- EN 引脚：内部基准 1.2V，外部分压电阻可自定义芯片开启 / 关断阈值；
- SD 引脚：高电平立即关闭全部 PWM 输出，逐周关断；
- SS 软启动引脚：外接电容，容值越大，软启动时间越长，抑制上电冲击；
- ERRO：误差放大器输出，用于环路补偿网络接入。
三、内置安全保护与功能
- VCC 欠压 UVLO 锁存：VCC 典型开启 3.65V，关断 3.6V；低于关断阈值全部 PWM 输出关闭。
- 逐周期峰值限流：SDHIN、SDLIN 两路独立采样，180mV 阈值；高端 MOS 内阻采样，低端外部电阻采样；支持谐波补偿优化限流。
- 内置硬件死区：典型 200ns，防止半桥上下管直通。
- SD 硬件 PWM 快速关断、EN 使能、SS 软启动。
⚠️重要提醒：芯片无内置 MOS，无芯片级过温保护，MOS 过热保护需要外部 NTC 外围电路实现；无输出短路打嗝保护，故障依靠逐周期限流。
四、引脚功能定义（SOP‑16）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | REF3.3V | O | 3.3V 基准输出，最大 50mA；对地就近接 0.1μF 陶瓷电容 |
| 2 | EN | I | 芯片使能，内部比较基准 1.2V；外接分压电阻自定义启停阈值 |
| 3 | SD | I | PWM 快速关断，高电平关闭 HO、LO 输出 |
| 4 | SS | I | 软启动，外接电容，电容越大软启动时间越长 |
| 5 | VSS | GND | 信号地 |
| 6 | CP | I | 振荡器定时电容引脚，设置 PWM 频率 |
| 7 | ERRO | O | 误差放大器输出，环路补偿网络接入点 |
| 8 | FB | I | 反馈输入，内部基准 1.2V，分压设置输出电压 |
| 9 | SDLIN | I | 低端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 10 | LO | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 11 | COM | PGND | 功率地 |
| 12 | VCC | Power | 芯片低压供电 4‑20V；对地 10μF 储能电容 |
| 13 | SDHIN | I | 高端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 14 | VS | O | 高端悬浮半桥中点 |
| 15 | VB | Power | 高端自举悬浮电源 |
| 16 | HO | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
输出电压计算公式：\(\boldsymbol{V_{OUT}=(1+\frac{R1}{R2})×1.2V}\)；R1、R2 为 FB 引脚外部分压电阻。
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 储能电容：VCC 对地≥10μF（0.1μF 瓷片并联 10μF 电解），紧贴 VCC‑COM 功率地。
- REF3.3V 旁路电容：REF3.3V 对地 0.1μF 陶瓷电容，紧贴引脚。
- CP 定时电容：代入\(f=(18×10^6)/C_p\)选择 Cp；Cp=270pF≈67kHz。
- 自举回路：VB‑VS 配置自举电容、自举二极管；大功率建议外接快恢复二极管。
- 功率器件：外接高低端 N 沟道同步 MOS；优先选择低 Rds (on)、低栅电荷 MOS。
- 电流采样：高端 MOS 内阻采样；低端外接采样电阻，阈值 180mV；可增加谐波补偿电路。
- 反馈分压电阻 R1/R2：按\(V_{OUT}=(1+R1/R2)×1.2V\)设置输出电压。
- 输出 LC：升压电感、输出电容 Co；电感支持连续 / 非连续模式；输出电容优先选用低 ESR；手册提供纹波计算公式。
- SS 软启动电容：容值越大，上电软启动时间越长。
- EN 分压电阻：可自定义芯片开启 / 关断阈值。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 引脚储能电容必须紧贴 VCC‑COM 功率地，保障芯片供电稳定。
- 自举二极管、自举电容紧靠 VB、VS 引脚，缩短悬浮回路，降低寄生参数。
- HO、LO 栅极驱动走线尽量短，栅极电阻靠近 MOS 管栅极，抑制栅极振荡。
- SDHIN、SDLIN 采样走线短，远离大电流功率回路，避免噪声误触发限流；谐波补偿器件靠近采样点。
- FB 反馈分压电阻远离功率大电流走线；ERRO 环路补偿器件靠近 ERRO 引脚，减小噪声。
- 功率地 COM 与信号地 VSS 单点连接，分割功率回路与小信号回路，降低地弹噪声。
- REF3.3V 的 0.1μF 旁路电容紧贴引脚，减小基准噪声。
七、主流应用场景
电池升压供电系统、电动自行车转换器、工业控制系统、电信电源、便携式移动设备、逆变器辅助升压电源、24V 升 48V、12V 升 24V 同步升压方案。