一、产品整体概述
EG3525S 是屹晶微电子外置功率管的推挽、半桥拓扑 PWM 控制芯片，内部不含高压功率 MOS ；提供SOP‑16、DIP‑16 两种封装；VCC 供电8‑35V ；内置 5.1V（±2%）精密基准源、误差放大器、可同步振荡器、可调死区、软启动、PWM 锁存、欠压锁定；两路推挽图腾柱互补输出 OUTA/OUTB，拉 / 灌峰值 500mA，用于驱动后级栅极驱动芯片或者直接驱动小功率 MOS；振荡器频率范围100Hz‑500kHz；适配逆变器、UPS、大功率半桥开关电源、DC‑DC 变换器、大功率充电器。
定位区分：属于PWM 控制器，和 EG1162/EG1165 同属控制器大类，但 EG3525S 是通用推挽 / 半桥控制器，输出为 PWM 逻辑电平，需要外接栅极驱动 IC 才能驱动高压 MOS；EG1162/1165 是自带半桥栅极驱动的控制器。
二、五大核心差异化硬件优势
- 宽供电 8‑35V，内置 5.1V 基准，双封装 VCC 宽范围 8‑35V，适合工业电源、逆变器辅助供电；片内 5.1V 基准，精度 ±2%，最大输出 50mA，可给外部反馈分压、保护电路供电；DIP‑16 适合插件大功率电源板，SOP‑16 适合贴片小型化设计。
- 振荡器支持外部同步，死区电阻独立可调 RT、CT 设置振荡频率，频率公式：\(T=(0.7R_T+3R_D)C_T\)；DISCHARGE 引脚外接 RD 放电电阻独立调节死区时间，死区与工作频率解耦；SYNC 引脚支持多颗芯片主从同步，OSC OUT 输出时钟给外部电路；频率覆盖 100Hz~500kHz。
- 集成软启动 + SHUTDOWN 故障关断，支持逐周期限流 SOFT‑START 引脚外接电容，内部 50μA 恒流源充电实现软启动，抑制上电冲击；SHUTDOWN（10 脚）高电平关断输出，同时放电软启动电容 ；短脉冲高电平仅锁存 PWM、不彻底放电软启动，以此实现逐周期脉冲限流；引脚不可悬空，需要下拉电阻抗干扰。
- PWM 锁存 + UVLO 欠压保护，两路互补图腾柱输出 PWM 锁存，每个振荡器周期只允许单脉冲输出，禁止故障条件下出现多脉冲，提升短路可靠性；VCC 欠压锁存，低于 7V 左右关闭全部输出；OUTA、OUTB 为交替互补输出，最大占空比 45‑49%，推挽输出峰值拉灌 500mA，可直驱小 MOS，大功率系统需要搭配半桥栅极驱动芯片。
- 内置完整误差放大器，环路补偿灵活 片内集成高增益误差放大器（开环增益 75dB）；INA‑反相输入、INA + 同相输入，COMP 引脚用于外接 RC 做环路补偿，可配置 PI/PID 补偿网络，适配电压闭环稳压。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 5.1V±2% 片内基准源；
- 可同步振荡器，RT‑CT 设定频率，RD 独立调节死区；
- 50μA 恒流源软启动；
- 误差放大器，支持外部环路补偿；
- SHUTDOWN 关断，支持逐周期限流；
- VCC 欠压 UVLO 锁存；
- PWM 锁存，禁止多脉冲；
- OUTA/OUTB 两路互补图腾柱推挽输出。
⚠️重要限制
- 芯片无内置功率 MOS，输出为 PWM 信号；大功率高压应用必须外接栅极驱动芯片（EG2106/EG2132 等）；
- 输出最大占空比限制 45‑49%，推挽 / 半桥拓扑固有约束；
- 芯片无硬件过流、无过温保护，过流、过温全部需要外部采样电路配合 SHUTDOWN 引脚实现；
- SHUTDOWN 引脚严禁悬空，容易受干扰误关断；
- 输出驱动能力峰值 500mA，不能直接驱动大栅电荷高压 MOS。
四、引脚功能定义（SOP‑16 / DIP‑16）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | INA‑ | I | 误差放大器反相输入端，接反馈采样电压 |
| 2 | INA+ | I | 误差放大器同相输入端，接参考电压 |
| 3 | SYNC | I | 振荡器外部同步输入，多芯片主从同步 |
| 4 | OSC OUT | O | 振荡器时钟输出，给外部电路同步时钟 |
| 5 | CT | I | 振荡器定时电容引脚，配合 RT 设置频率 |
| 6 | RT | I | 振荡器定时电阻引脚 |
| 7 | DISCHARGE | I | 放电电阻 RD 接入，独立设置死区时间 |
| 8 | SOFT START | I | 软启动引脚，外接电容，内部 50μA 恒流充电 |
| 9 | COMP | O | 误差放大器输出，环路补偿网络接入点 |
| 10 | SHUTDOWN | I | 关断引脚；高电平关闭 PWM；支持逐周期限流；不可悬空 |
| 11 | OUTPUT A | O | A 路互补图腾柱 PWM 输出 |
| 12 | GND | GND | 信号与功率地 |
| 13 | VC | POWER | 输出级驱动电源，可与 VCC 共接或独立供电 |
| 14 | OUTPUT B | O | B 路互补图腾柱 PWM 输出，与 OUTA 交替输出 |
| 15 | VCC | POWER | 芯片主电源 8‑35V；内置 5.1V 基准，低于 UVLO 关断输出 |
| 16 | Vref | O | 5.1V 基准电压输出，最大 50mA 负载 |
关键公式
- 振荡周期：\(\boldsymbol{T=(0.7R_T+3R_D)C_T}\)；频率\(f=1/T\)；RD 为 7 脚外接死区放电电阻；
- 最大占空比：45~49%。
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC、VC 电源：VCC 就近 0.1μF 陶瓷去耦；VC 可与 VCC 短接，大功率驱动可单独供电；
- 振荡器元件 RT/CT/RD：RT=2k~150kΩ；CT=1nF~0.1μF；RD=0‑500Ω，RD 越大死区时间越长；
- 软启动电容 Css：接 8 脚，电容越大软启动时间越长；
- SHUTDOWN 引脚：必须下拉电阻到 GND；外部保护电路（过流 / 过温）输出高电平触发关断；短脉冲实现逐周期限流；
- 误差放大器环路补偿：COMP 引脚和 INA‑之间接 RC 网络，做比例 / PI 补偿；
- 基准 Vref：16 脚对地 0.1μF 旁路电容，给反馈分压网络提供 5.1V 参考；
- 功率驱动链路 ：EG3525S 的 OUTA/OUTB 输出，小功率可直驱 MOS；大功率推挽 / 半桥，输出接到 EG2106、EG2132 等栅极驱动芯片，再驱动高压 MOS 管。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC、VC 的去耦电容紧贴芯片电源引脚与 GND；Vref 引脚 0.1μF 就近放置；
- RT、CT、RD 振荡器元件尽量靠近 5、6、7 引脚，减少寄生，保证频率、死区精度；
- SOFT‑START 软启动电容紧靠 8 脚；
- SHUTDOWN 引脚走线远离功率大电流走线，防止噪声误触发关断；下拉电阻靠近引脚；
- 误差放大器采样、补偿器件靠近 1、2、9 引脚；反馈分压电阻远离功率回路，避免地弹造成稳压精度变差；
- OUTA、OUTB PWN 输出走线，到后级栅极驱动芯片输入要短；远离功率高压走线，防止噪声耦合；
- 功率地与信号地单点汇合；模拟小信号区域与功率大电流区域分割布局。
七、主流应用场景
推挽 / 半桥拓扑：工频 / 高频逆变器、UPS 不间断电源、大功率半桥开关电源、工业 DC‑DC 变换器、大功率蓄电池充电器、直流电机 PWM 调速。