nmos管的简化的原理图
未导通时：
导通时：
Nmos管的导通条件
栅极电压高于源极电压一个阈值（Vgs > Vth）
Nmos的构造
从上图可以看出，衬底为P型半导体，在衬底上挖出两个区域放上N型半导体作为mos管的源极和漏极，然后紫色部分为绝缘层，正是由于这个绝缘层，使得栅极和SS之间形成了一个类似电容的机构。
Nmos的工作原理
先来介绍一下P型衬底，P型衬底是在硅晶体中混入了磷元素，导致+5价的磷和+4价硅在形成8原子稳定状态(八电子稳定结构的驱动：半导体晶体最喜欢的稳定状态，是每个原子周围都有 8 个共享电子（即 4 对共价键）。)时，多出了一个不稳定的电子，这个电子在栅极和ss之间电容的电场力作用下，会移动到靠近正极的区域（栅极），这就使得两个隔离的N型区域之间形成了可以自由移动电子通路，从而就使得两个隔离的N型区域导通了。
引用
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