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[DDR SDRAM芯片引脚](#DDR SDRAM芯片引脚)
[DDR SDRAM芯片框图](#DDR SDRAM芯片框图)
[DDR SDRAM的mode register](#DDR SDRAM的mode register)
[DDR SDRAM的初始化](#DDR SDRAM的初始化)
DDR SDRAM芯片引脚
第一代DDR引脚与初代SDRAM的不同上图红框圈出来了：
1、单端时钟改为差分时钟；
2、增加DQS信号，这时的DQS还是单端的；
3、VDD和VDDQ从3.3V降到了2.5V；
4、IO引脚电平从TTL改为了SSTL_2，增加了SSTL_2参考电压VREF（VDDQ/2）。另外外部还需要SSTL_2 IO的端接电压VTT（VDDQ/2）。
DDR SDRAM芯片框图
这里再把SDRAM的框图贴出来，大家对比一下：
可以看到，DDR的框图和初代SDRAM相比，只有红框处有所区别。我们从输入和输出两个方向分别看：
首先看输出，也就是读DDR数据，假设存储阵列核心频率100MHz，仅单边沿有效，IO gating在一个时钟边沿一次性输出16bit数据给到read latch锁存，然后通过MUX多路复用器输出8bit给输出驱动器，MUX这里16bit输入变8bit输出，两个8bit的输出总有个先后顺序吧，这个顺序在MUX这里靠最低位列地址COL0来决定，关于burst type和顺序的定义在后面说到mode register相关内容后再详细说。时钟CK在经过DLL与外部时钟同步后，驱动DRIVERS输出数据，这里的时钟频率与核心频率一致，但是是双边沿有效，所以这里一个时钟周期的两个沿刚好就能把内部输出的16bit数据输出完毕。另外DDR在输出数据时，内部的DQS generator会生成一个单端DQS信号，与数据一起在时钟作用下输出，这里的DQS与数据的相位关系是边沿对齐。
然后看输入，也就是写数据。接收模块RCVRS先后收到16bit输入数据DQ和2bit屏蔽信号DM，在控制器输出的DQS双边沿作用下，按既定的突发顺序将8+8的DQ和1+1的DM锁存到input register，控制器输出的DQS与DQ、DM为中心对齐关系。Input register将两个8bit数据合并成16bit数据给到write fifo，随后write fifo输出16bit数据给到IO gating进行写入阵列控制。此fifo的输入参考时钟为DQS，输出参考时钟为CK，均为单边沿有效，由于DDR内部逻辑是以CK为参考，而写入时的外部接口逻辑是以DQS为参考，所以需要一个fifo来实现跨时钟域的同步。
DDR SDRAM的mode register
DDR的模式寄存器与初代SDRAM大体相同，由于新增了功能，于是新增了extended mode register，相关定义如下：
Bit[2:0]：BL，突发长度。支持2、4、8突发长度。
Bit[3]：burst传输方式，0表示顺序传输，1表示交错传输。传输顺序由低位地址线决定，定义如下：
Bit[6:4]：CAS潜伏期，可设置为2、2.5、3，单位为时钟周期tck。
Bit[n:7]：操作模式，除了bit8之外，其他bit都是0，bit8为0为正常操作模式，bit8为1为DLL复位。DLL复位需要通过LMR命令来实现，镁光的这颗DDR是DLL复位完之后自动进入正常操作模式，不用再用LMR把这个bit8又写为0。
Bit[n+2:n+1]：00表示为基础模式寄存器，01表示为扩展模式寄存器。
Bit[0]：DLL，0使能，1不使能。正常工作都要使能。不使能DLL仅用于调试用途。
Bit[1]：驱动强度，0正常强度，1降低强度。正常为SSTL_2，class II驱动强度，降低后为正常强度的54%，用于轻负载场景，如点对点拓扑。
DDR SDRAM的初始化
流程图如下，大家自行看一下：
初始化时序图如下：
