目录
1.主要器件选型
器件 | 参数 | 封装 | 理由 |
---|---|---|---|
LDO | LM317DCYR (24V-12V 12V-5V) | SOT-223 | 小电流应用 LDO比DCDC噪声小响应快更为稳定 |
预驱 | FD6288T | Tssop-20 | 常见无刷电机预驱 |
NMOS | NCE3080k | To-252 | 常见 |
运放 | LMV358IDR | Soic-8 | 常见 |
以上器件选型皆为便于焊接利于排查问题的封装,小体积应用可选择QFN封装的器件
2.原理图设计
3.PCB绘制
电源调理
电源架构如下
- LM317
以上为LM317 IC典型应用框图,其中Vref = 1.25V,Cadj推荐选择10uf电容,输入输出负载电容分别为Ci 0.1uf、Co 1uf;Vo计算公式为Vo = Vref(1 +R2/R1)+(Iadj R2)。Iadj常规为50uA,若R2为1K,Iadj R2 = 50mV,对于输出结果影响不是很大可忽略不计;则计算公式可简化为Vo = Vref(1 +R2/R1);
在实际设计中往往一致Vin、Vo,固定R1为240R则只需要确定R2得值即可获得期望输出电压:
R2 = ((Vo - Vref)*R1)/Vref
原理图设计如下:
- 防反接电路
其工作原理为,当外部24V输入时,PMOS管体二极管导通,进而使得原本没有电压的24V_Inside出现24V电平。此时,Vs > Vg,则满足PMOS导通条件,MOS管正常开启;当电源反接时,PMOS管体二极管截止,则无法满足PMOS管导通条件实现防反接功能。
驱动电路
驱动电路由三相逆变电路与预驱芯片组成可用于驱动无刷电机,三相逆变电路如果只使用其中的两相即可转变为双极性H桥驱动电路即可驱动有刷电机
以下为原理图设计:
其中,中间部分电路为电荷泵自举电路,驱动方案为全NMOS驱动,因为市面上常见的NMOS同等价位下比PMOS能够通过更大的电流,R16、R17、R18为采样电阻。
- 迪克森电荷泵工作原理:
电荷泵是如何升压的?原理非常简单,一看就会! - 自举电路的作用
由于采用的驱动方案为全NMOS驱动方案,NMOS导通条件需要G极电压高于S极电压;
以Q2为例,初始上电后,G极5V电平,NMOS正常导通,但导通以后S极电压变为24V,则NMOS瞬间关闭,而我们期望是希望NMOS能够保持导通状态,则需要一种方法将G极电压抬升至24V以上,这样才能维持NMOS的导通条件;
有了电荷泵自举电路后,初始上电,5V电源将会给C24充电至5V,当NMOS第一次导通时,24V电源与电容上的5V出现串联关系因此电容上电压叠至29V,这个电压将会输入至预驱用为维持G极输出电压为29V,尽管实际上的过程并未一个PWM周期就完成,最终G极电压能够维持至29V以保持NMOS上管导通。
自举电路
自举电路原理
电流反馈
电流反馈采用差分放大电路,初版没有采集反向电流的需求,因此不设置电压跟随器设置放大电路的偏置电压。
原理图设计如下
根据虚短虚断原理:
(虚短) U+ = U- =Up*R21/(R21+R19)
(虚断) (U- - Un )/R20 = (Uo1 - U- )/R22
Uo1 = (R21/(R21+R19)) ((R22+R20)/R20)Up - (R22/R20)Un
在实际应用中,往往会设置R21 = R22 ,R19 = R20,所以
Uo1 =(R22/R20) (Up - Un)
其中Uo1为运放输出端电压未经过限流电阻,实际设计中限流电阻与R22差值较大分压可忽略
故放大倍数为A = Uo1/(Up - Un)= R22/R20 =10倍
当采样电阻上出现1A的电流时,则会产生1A*10mR = 10mV
经过放大后可得100mV,即0.1V
由于ADC的残阳范围为0-3.3V则最大采样电流可达3.3V/0.1V = 33,即33A
具体原理可参考以下链接: 运算放大器(三):差分放大
位置反馈
电机内置正交编码器,这类编码器在实际项目中应用较多,价格低廉,无通讯延迟。
4.PCB绘制
5.打板验证
6.总结
本文为博主个人学习总结记录,如有不正,欢迎指正