最近在工作中遇到一些开发,很多人觉得实现 strlen 是一件很简单的事情,很快写出如下代码:
arduino
inline size_t strlen_standard(const char* str) {
if (!str) return 0;
const char* s = str;
while (*s) ++s;
return s - str;
}
以上代码没错,简单,时间复杂度 O(n)
,但是我们用 glibc
的版本和当前实现对比,发现性能有 4-6
倍的差异,数据如下:

随着字符串的长度增加,strlen_standard
耗时线性增长,但是 glibc
的版本耗时增长相对较慢,差异在 4-6
倍。
为什么 glibc
中的 strlen
性能这么好?
1. 内存对齐优化
ini
// 处理前几个字符直到对齐
for (char_ptr = str;
((unsigned long int) char_ptr & (sizeof(longword) - 1)) != 0;
++char_ptr) {
if (*char_ptr == '\0')
return char_ptr - str;
}
优化原理:
- 确保后续的内存访问都是对齐的(通常是8字节)
- 对齐的内存访问在现代CPU上性能更好,避免跨缓存行访问
- 减少内存访问的延迟和提高吞吐量
2. 快速检测\0
ini
// 设置魔数用于 \0 检测
himagic = 0x80808080UL;
lomagic = 0x01010101UL;
if (sizeof(longword) > 4) {
himagic = ((himagic << 32) | himagic); // 64位: 0x8080808080808080
lomagic = ((lomagic << 32) | lomagic); // 64位: 0x0101010101010101
}
...
if (((longword - lomagic) & ~longword & himagic) != 0) {
// 发现 `\0`
}
优化原理: 比如:原始数据 0x41424300 ('A','B','C',\0)
lomagic: 0x01010101
himagic: 0x80808080
步骤1: 0x41424300 - 0x01010101 = 0x404241FF
步骤2: ~0x41424300 = 0xBEBDBCFF
步骤3: 0x404241FF & 0xBEBDBCFF & 0x80808080 = 0x00000080
结果非零,说明存在 \0
,不需要每个字符都检测
3. 批处理
ini
for (;;) {
longword = *longword_ptr++; // 一次读取8字节(64位系统)
if (((longword - lomagic) & ~longword & himagic) != 0) {
// 处理找到的零字节
}
}
优化原理:
- 并行处理:一次检测8个字节(64位系统)或4个字节(32位系统)
- 减少循环次数:相比逐字节检测,循环次数减少8倍
- 更好的指令流水线:减少分支预测失败
使用 SIMD
优化 strlen,能提升多少性能?
使用 glibc
能做到批处理 8
个字节,随着字符增大,glibc
最大性能也就提升 8 倍,但是如果需要批处理更多的数据该怎么优化呢?使用 SIMD
。
什么是 SIMD
SIMD(Single Instruction, Multiple Data,单指令多数据)是一种并行计算架构,允许一条指令同时对多个数据元素执行相同的操作。这种技术是现代CPU提高计算性能的重要手段之一。
SIMD的基础概念
- 向量化计算: 将标量操作转换为向量操作,一次处理多个数据
- 数据并行: 同一操作同时应用于多个数据元素
- 指令级并行: 在单个CPU周期内执行多个相同操作
SIMD vs 传统标量处理
scss
// 传统标量处理:
for (int i = 0; i < 16; i++) {
result[i] = a[i] + b[i]; // 16次独立的加法操作
}
// SIMD向量处理:
__m128i va = _mm_load_si128(a); // 加载16个字节
__m128i vb = _mm_load_si128(b); // 加载16个字节
__m128i vr = _mm_add_epi8(va, vb); // 一条指令完成16个加法
_mm_store_si128(result, vr); // 存储结果
使用示例
ini
// x86 SSE2 示例
__m128i a = _mm_load_si128((__m128i*)ptr1);
__m128i b = _mm_load_si128((__m128i*)ptr2);
__m128i result = _mm_add_epi8(a, b);
_mm_store_si128((__m128i*)output, result);
// ARM NEON 示例
uint8x16_t a = vld1q_u8(ptr1);
uint8x16_t b = vld1q_u8(ptr2);
uint8x16_t result = vaddq_u8(a, b);
vst1q_u8(output, result);
// RISC-V Vector 示例
vuint8m1_t a = vle8_v_u8m1(ptr1, vl);
vuint8m1_t b = vle8_v_u8m1(ptr2, vl);
vuint8m1_t result = vadd_vv_u8m1(a, b, vl);
vse8_v_u8m1(output, result, vl);
SIMD的底层工作原理
1. 寄存器结构
objectivec
SSE2 XMM寄存器 (128位):
┌─────────────────────────────────────────────────────────────────┐
│ Byte15 │ Byte14 │ ... │ Byte2 │ Byte1 │ Byte0 │ (16个字节) │
└─────────────────────────────────────────────────────────────────┘
AVX2 YMM寄存器 (256位):
┌─────────────────────────────────────────────────────────────────┐
│ 高128位 (XMM高位) │ 低128位 (XMM) │
│ Byte31-16 │ Byte15-0 │
└─────────────────────────────────────────────────────────────────┘
SIMD指令执行流程

内存访问模式对比

优化后的 strlen
代码
参考 glibc 的代码,使用 SIMD 指令对 strlen 做代码改造如下(一次取 16 个字节):
scss
// ARM64 NEON版本 - 优化版
inline size_t strlen_neon(const char* str) {
if (!str) return0;
constchar* ptr = str;
// 处理未对齐的前缀
while (((uintptr_t)ptr & 15) && *ptr) {
ptr++;
}
if (!*ptr) return ptr - str;
// 16字节对齐后,使用NEON并行处理
constuint8x16_t zero = vdupq_n_u8(0);
while (true) {
uint8x16_t chunk = vld1q_u8(reinterpret_cast<constuint8_t*>(ptr));
uint8x16_t cmp = vceqq_u8(chunk, zero);
// 使用更高效的方法检查零字节
uint64x2_t paired = vreinterpretq_u64_u8(cmp);
uint64_t combined = vgetq_lane_u64(paired, 0) | vgetq_lane_u64(paired, 1);
if (combined) {
// 使用位操作快速找到第一个零字节位置
uint16x8_t cmp16 = vreinterpretq_u16_u8(cmp);
uint64_t mask = vget_lane_u64(vreinterpret_u64_u16(vorr_u16(vget_low_u16(cmp16), vget_high_u16(cmp16))), 0);
for (int i = 0; i < 16; i++) {
if (ptr[i] == 0) {
return ptr - str + i;
}
}
}
ptr += 16;
}
}
性能如下:

使用 SIMD
以后最大性能提升可以 14 倍,所以对于 strlen 最好的优化方案就是批处理,一次取的数据越多越好。