差分放大电路的四种接法

文章目录


一、差分法放大电路的四种接法

差分放大电路有四种基本接法,分类依据是输入方式(双端输入 / 单端输入)和输出方式(双端输出 / 单端输出)的组合。四种接法的核心结构相同(由两个对称三极管组成),但信号的引入和取出方式不同,导致性能指标(如增益、输入 / 输出电阻)存在差异。

二、双端输入、双端输出电路

典型差分放大电路就是双端输入、双端输出电路,详细分析过程可看《差分放大电路分析与仿真》

差模电压增益
A d = △ u o d △ u I d = − β ( R c / / R L 2 ) R b + r b e A_d=\frac{△u_{od}}{△u_{Id}}=-\frac{β(R_c//\frac{R_L}{2})}{R_b+r_{be}} Ad=△uId△uod=−Rb+rbeβ(Rc//2RL)

输入电阻
R i = 2 ( R b + r b e ) R_i=2(R_b+r_{be}) Ri=2(Rb+rbe)

输出电阻
R o = 2 R c R_o=2R_c Ro=2Rc

共模放大倍数Ac
A c = △ u o c △ u I c = 0 A_c=\frac{△u_{oc}}{△u_{Ic}}=0 Ac=△uIc△uoc=0

理想对称情况下,共模抑制比
K C M R = A d A c = ∞ K_{CMR}=\frac{A_d}{A_c}=∞ KCMR=AcAd=∞

三、双端输入、单端输出电路

1.静态分析

单端输出回路不对称,根据戴维南定理
V C C ′ = R L R e + R L ∗ V C C , R c ′ = R c / / R L V'{CC}=\frac{R_L}{R_e+R_L}*V{CC},R'c=R_c//R_L VCC′=Re+RLRL∗VCC,Rc′=Rc//RL
U C Q 1 = V C C ′ − I C Q R C ′ U
{CQ1}=V'{CC}-I{CQ}R'C UCQ1=VCC′−ICQRC′
U C Q 2 = V C C − I C Q R C U
{CQ2}=V_{CC}-I_{CQ}R_C UCQ2=VCC−ICQRC

2.动态分析

输入差模信号时,输出电压
△ u o d = − △ i c ( R e / / R L ) △u_{od}=-△i_c(R_e//R_L) △uod=−△ic(Re//RL)

输入电压
△ u I d = 2 △ i B ( R b + r b e ) △u_{Id}=2△i_B(R_b+r_{be}) △uId=2△iB(Rb+rbe)

差模放大倍数
A d = △ u O d △ u I d = − 1 2 ∗ β ( R c / / R L ) R b + r b e A_d=\frac{△u_{Od}}{△u_{Id}}=-\frac{1}{2}*\frac{β(R_c//R_L)}{R_b+r_{be}} Ad=△uId△uOd=−21∗Rb+rbeβ(Rc//RL)

输入电阻
R i = 2 ( R b + r b e ) R_i=2(R_b+r_{be}) Ri=2(Rb+rbe)

输出电阻
R o = R c R_o=R_c Ro=Rc

输入差模信号极性不变,输出信号取自T2集电极,则输出与输入同相。

输入共模信号时,共模放大倍数Ac
A c = △ u o c △ u I c = − β ( R c / / R L ) R b + r b e + 2 ( 1 + β ) R e A_c=\frac{△u_{oc}}{△u_{Ic}}=-\frac{β(R_c//R_L)}{R_b+r_{be}+2(1+β)R_e} Ac=△uIc△uoc=−Rb+rbe+2(1+β)Reβ(Rc//RL)

共模抑制比
K C M R = ∣ A d A c ∣ = R b + r b e + 2 ( 1 + β ) R e 2 ( R b + r b e ) K_{CMR}=|\frac{A_d}{A_c}|=\frac{R_b+r_{be}+2(1+β)R_e}{2(R_b+r_{be})} KCMR=∣AcAd∣=2(Rb+rbe)Rb+rbe+2(1+β)Re

Re越大,Ac越小,KCMR越大,电路性能越好。

三、单端输入、双端输出电路

单端输入、双端输出电路可等效成右边电路,左边输入差模信号+△uI/2,右边输入差模信号-△uI/2,共模信号两边输入都是△uI/2。

输出电压uo
△ u o = A d △ u i + A c ∗ △ u I 2 △u_o=A_d△u_i+A_c*\frac{△u_I}{2} △uo=Ad△ui+Ac∗2△uI

若电路参数理想对称,则Ac=0,KCMR=∞。

单端输入、双端输出电路与双端输入、双端输出电路分析完全相同。

差模电压增益
A d = △ u o d △ u I d = − β ( R c / / R L 2 ) R b + r b e A_d=\frac{△u_{od}}{△u_{Id}}=-\frac{β(R_c//\frac{R_L}{2})}{R_b+r_{be}} Ad=△uId△uod=−Rb+rbeβ(Rc//2RL)

输入电阻
R i = 2 ( R b + r b e ) R_i=2(R_b+r_{be}) Ri=2(Rb+rbe)

输出电阻
R o = 2 R c R_o=2R_c Ro=2Rc

理想对称情况下,共模抑制比
K C M R = A d A c = ∞ K_{CMR}=\frac{A_d}{A_c}=∞ KCMR=AcAd=∞

四、单端输入、单端输出电路

单端输入、单端输出电路也可等效成,左边输入差模信号+△uI/2,右边输入差模信号-△uI/2,共模信号两边都是△uI/2。

输入差模信号时,输出电压
△ u o d = − △ i c ( R e / / R L ) △u_{od}=-△i_c(R_e//R_L) △uod=−△ic(Re//RL)

输入电压
△ u I d = 2 △ i B ( R b + r b e ) △u_{Id}=2△i_B(R_b+r_{be}) △uId=2△iB(Rb+rbe)

差模放大倍数
A d = △ u O d △ u I d = − 1 2 ∗ β ( R c / / R L ) R b + r b e A_d=\frac{△u_{Od}}{△u_{Id}}=-\frac{1}{2}*\frac{β(R_c//R_L)}{R_b+r_{be}} Ad=△uId△uOd=−21∗Rb+rbeβ(Rc//RL)

输入电阻
R i = 2 ( R b + r b e ) R_i=2(R_b+r_{be}) Ri=2(Rb+rbe)

输出电阻
R o = R c R_o=R_c Ro=Rc

输入共模信号时,共模放大倍数Ac
A c = △ u o c △ u I c / 2 = − β ( R c / / R L ) R b + r b e + 2 ( 1 + β ) R e A_c=\frac{△u_{oc}}{△u_{Ic}/2}=-\frac{β(R_c//R_L)}{R_b+r_{be}+2(1+β)R_e} Ac=△uIc/2△uoc=−Rb+rbe+2(1+β)Reβ(Rc//RL)

共模抑制比
K C M R = ∣ A d A c ∣ = R b + r b e + 2 ( 1 + β ) R e 2 ( R b + r b e ) K_{CMR}=|\frac{A_d}{A_c}|=\frac{R_b+r_{be}+2(1+β)R_e}{2(R_b+r_{be})} KCMR=∣AcAd∣=2(Rb+rbe)Rb+rbe+2(1+β)Re

Re越大,Ac越小,KCMR越大,电路性能越好。

总结

单端输入时,输入差模信号的同时伴随着共模输入,若输入信号为△uI,则△uId=△uI,△uIc=+△uI/2。


上一篇 《差分放大电路分析与仿真》

更多系列文章

《三极管三种基本放大电路:共射、共集、共基放大电路》

《三极管基本放大电路静态及动态参数计算》

《线性稳压电源:稳压管+NPN降压电路(12V降至5V)》

《LDO工作原理与仿真》

《用三极管搭建简易电流源》

相关推荐
控电PLC1 小时前
19. S7-200系列PLC的内部资源
硬件工程
XINVRY-FPGA4 小时前
XCVP1802-2MSILSVC4072 AMD Xilinx Versal Premium Adaptive SoC FPGA
人工智能·嵌入式硬件·fpga开发·数据挖掘·云计算·硬件工程·fpga
一名机电研究生2 天前
电路分析与设计自学笔记(一)——复杂电路的分析方法与规律
硬件工程
XINVRY-FPGA3 天前
XCVU9P-2FLGC2104I Xilinx AMD Virtex UltraScale+ FPGA
嵌入式硬件·机器学习·计算机视觉·fpga开发·硬件工程·dsp开发·fpga
恒锐丰小吕3 天前
无锡黑锋 HF1308 2A高效率升压DC-DC电压调整器技术解析
嵌入式硬件·硬件工程
逼子格4 天前
硬件工程师成长之路——知识汇总(持续更新)
嵌入式硬件·proteus·硬件工程·ad·keil·电路仿真·硬件工程师面试
贝塔实验室5 天前
Altium Designer 6.0 初学教程-如何从原理图及PCB 中生成网表并且实现网表的加载
fpga开发·硬件架构·硬件工程·学习方法·射频工程·基带工程·pcb工艺
九鼎创展科技5 天前
九鼎创展发布X3588SCV4核心板,集成LPDDR5内存,提升RK3588S平台性能边界
android·人工智能·嵌入式硬件·硬件工程
恒锐丰小吕6 天前
晶准 RB302B 内置MOSFET锂电池保护芯片技术解析
嵌入式硬件·硬件工程
贝塔实验室7 天前
Altium Designer 6.0 初学教程-在Altium Designer 中对PCB 进行板层设置及内电层进行分割
嵌入式硬件·fpga开发·编辑器·硬件工程·信息与通信·信号处理·pcb工艺