PCAP01AD电容采集芯片

Yhc_heihei2025-09-28 8:59

基于STM32F103C8T6的电容采集系统

概要

主控：SMT32F103C8T6

采集芯片：PCAP01AD（可实现多路采集的ADC）

电源：两块TPS7333分别给上述两颗IC供电

电路原理图

PCAP01AD寄存器配置

c 复制代码

void pcap01_init(void)
{
	SPI_Enable();
	delay_ms(1);
	//8bit操作码88H表示复位所有状态
	write_date_8(0x88);        
	delay_ms(1);
	spi_test();  	           
	//SPI_Enable();
	//delay_ms(1);
	//write_date_8(0x88);        
	//delay_ms(1);
	write_firmware();

	//寄存器0设置
	SPI_Disable();
	__3nop();
	write_date_32(0xc04200FF);   
	
	//寄存器1设置
	SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xC1201022);  

	//寄存器2设置
  SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xc21f150B);   

	//寄存器3设置
  SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xc3062001); 

  //寄存器4设置
  SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xc4080510);   

	//寄存器5设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//  write_date_32(0xc5000000);  

	//寄存器6设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//  write_date_32(0xc6004140);   

	//寄存器7设置
	SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xc71F0000);    

	//寄存器8设置
	SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xc8800010);     

	//寄存器9设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//  write_date_32(0xc9BF208F);     

	//寄存器10设置
	SPI_Disable();
	__3nop();
  write_date_32(0xca180047);     

	//Param2寄存器设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//  write_date_32(0xcd000007); 

	//Param3寄存器设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//	write_date_32(0xce002ff0);    

//Param4寄存器设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//	write_date_32(0xcf000000);   

//Param7寄存器设置（写配置）
		SPI_Disable();
	__3nop();
  	write_date_32(0xD2000000);    
	__3nop();

//Param8寄存器设置
//	SPI_Disable();
//	__3nop();
//  	write_date_32(0xD3200000);    
//	__3nop();

//寄存器20设置
	SPI_Disable();
	__3nop();
    write_date_32(0xD4000001);    
	__3nop();
	
//8bit操作码8AH表示复位
	SPI_Disable();
	__3nop();
	write_date_8(0x8a);           
	__3nop();
	
//8bit操作码8CH表示开始一次电容测量
  SPI_Disable();
	__3nop();
	write_date_8(0x8c);         
}

其中寄存器2决定着采集通路数以及采集模式，该芯片主要有接地和漂移两种测量方案，具体可以看数据手册。