1.环境介绍
在项目中，使用STM32L051C8Tx系列单片机做裸机升级，使用方案是通过串口485+YMODEM协议方案；
STM32L051C8Tx单片，Flash总共64k，这里我分16k给bootload，46k给app，剩下2k做存储功能，页大小128字节。
之前一篇关于该项目升级的详细介绍可以看一下:读取STM32单片机升级写入Flash的.bin文件方法_stm32读取bin文件-CSDN博客
2.现象描述
脱机烧录v2.1.9版本程序，后边使用485升级v2.2.0的bin文件，升级完成后大部分功能正常，但是控制电机失败;
3.分析问题
3.1 通过jlink读取flash数据，比较bin文件内容
读取使用v2.2.1版本485升级v2.2.1版本bin文件，再读取使用v2.1.9版本485升级v2.2.1版本bin文件数据，前边升级方式能正常使用，对比数据如下所示：
比对结果是上述两个位置写入数据和正常的不一致；
再次读取直接脱机下载的v2.1.9文件，发下这两个位置本身就是4个连续0x00，如下图所示:
也就是说使用v2.1.9版本485升级v2.2.1后这两个位置正确数据并没有正确写进去，所以猜测可能可和bootload写Flash数据有关;
3.2 测试1
Flash全部擦除完，只下载bootload，然后直接使用485升级v2.2.1版本，读出来bin文件正常，程序正常运行；
3.3 测试2
使用脱机下载v2.1.9版本，先用485升级一个擦除Flash程序( bin文件，5k大小，擦除6~46k的flash)，然后再升级v2.2.1版本，读出来bin文件正常，程序正常运行；
4.结论和定位问题
4.1 bootload写入函数分析
最后确定bootload写入flash数据出错，在连续为4个00的页首位置(单页128)写入数据逻辑出现问题，下边是代码:
该页开头是00 00 00 00 ，按字读到0，所以没有擦除，直接4字节写数据，但是写下一个4字节数据读到不是0，所以执行下边逻辑，把该页擦除，导致上次写的4个字节被擦除，后边按4字节正常写入，所以导致上述两个位置数据没有写进去;
上述两个地址0xDF80和0XE100正好是128的整数倍；
这里读取的是整个FLAH大小(64k)，boot分配16k(0x4000)，计算时减去0x4000，STM32L051C8Tx单片机页大小128字节;
4.2 修改后boot代码
页首地址取余(单页128字节)判断是否是该页首地址，这样执行逻辑就是先擦除这一页，后边4字节直接写，不再执行下边擦除逻辑;
5.解决方案
5.1 已经脱机烧录的v2.1.9版本
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先通过485 Ymode升级一个程序：擦除app 6~46k地址的bin文件，这个程序6k大小；
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再升级的正常的v2.2.1版本bin文件;
5.2 后续烧录
使用已经修改后的v0.0.7版本bootload工程;