一、芯片核心定位
EG2130 是一款采用 SOP-8 微型封装、集成 关断（SD）控制 功能的 高压半桥栅极驱动器
其核心价值在于 600V 高端悬浮耐压、极低静态电流（<1μA）、单路逻辑输入（IN）控制 以及 低电平有效的关断（SD）保护
专为 电池供电、低功耗待机 的便携式设备（如移动电源快充、无线充电、便携逆变器 ）中的半桥功率转换设计，在有限引脚与面积内提供了完整、可靠的高压驱动与保护功能
二、关键电气参数详解
电压与耐压特性（安全核心）
- 高端悬浮电源耐压（VB -- VS）：最大 600V，支持高压半桥应用
- 低侧电源电压（VCC）：工作范围 2.8V ~ 20V，宽压设计适配多种 MOS 管栅极电压需求
逻辑输入电平兼容性：
- 高电平阈值 > 2.5V，低电平阈值 < 1.0V
- 完美兼容 3.3V/5V MCU 直接驱动
- SD 引脚耐压：最大 6V，需注意不可超压
驱动输出能力（性能核心）
- 输出拉电流（IO+）：最小 1.8A，典型 2A（Vo=0V，脉宽 ≤ 10μs）
- 输出灌电流（IO-）：典型 2A，最大 2.5A（Vo=12V，脉宽 ≤ 10μs）
- 不对称驱动能力（灌电流略大于拉电流）有助于更快关断 MOS 管，降低关断损耗
强驱动确保快速开关，适用于高频（支持 500kHz）应用
开关时间特性（影响效率与 EMI）
- 低侧输出（LO）开关时间：
开通延时（Ton）：典型 280ns（最大 400ns）
关断延时（Toff）：典型 125ns（最大 300ns）
上升时间（Tr）：典型 120ns（最大 200ns）
下降时间（Tf）：典型 80ns（最大 100ns） - 高侧输出（HO）开关时间：
开通延时（Ton）：典型 250ns（最大 400ns）
关断延时（Toff）：典型 180ns（最大 400ns）
上升/下降时间与 LO 相近，对称性好 - 死区时间（DT）：典型 100ns（范围 50ns--300ns），内置防直通
功耗与静态特性（核心优势）
- 静态电流（ICC）：最大 1μA（输入悬空，VCC=12V），极低待机功耗
输入逻辑电流：
- 高电平输入电流：最大 30μA（Vin=5V）
- 低电平输入电流：最小 -10μA（Vin=0V），对 MCU 负载极轻
三、芯片架构与特性优势
高度集成的精简架构
- 仅 8 引脚 SOP 封装，在极小面积内集成了 电平移位、死区控制、自举电源管理、高低侧驱动
- 单路逻辑输入（IN）控制：简化了前级控制逻辑，IN=0 时 LO 高（低侧导通），IN=1 时 HO 高（高侧导通）
- 专用关断引脚（SD）：低电平有效，可强制关闭 HO 与 LO，用于故障保护、节能或使能控制
极低功耗与电池友好设计
- <1μA 静态电流 使其在电池供电系统中可长期待机，大幅延长续航
- 输入引脚内置 200kΩ 下拉电阻，悬空时自动关闭输出，防止意外导通
高可靠性保护集成
- 内置死区控制，彻底避免上下管直通
- 600V 高侧耐压，适应高压开关环境
- 宽电源电压范围（2.8V--20V），兼容多种功率器件
四、应用设计要点
自举电路设计（关键）
- 自举二极管（D）：必须选用 快恢复二极管（如 FR107），耐压 > 600V，电流 ≥ 1A
- 自举电容（C）：推荐 0.1μF--1μF 陶瓷电容，耐压 ≥ VCC，低 ESR，紧靠 VB 与 VS 引脚
- 充电机制：低侧导通时（LO=高），VCC 经 D 对 C 充电；高侧导通时（HO=高），C 作为悬浮电源为高侧驱动供电
电源与去耦设计
- VCC 引脚（Pin7）：必须就近接 0.1μF 高频陶瓷电容 到 GND（Pin4）
- GND（Pin4）：应作为功率地与信号地的单点连接点，布局时尽量短而宽
PCB 布局准则（SOP8 封装更紧凑，要求更高）
- 功率环路最小化：VCC → 芯片 → LO/HO → MOS 管 → GND 的环路面积应尽可能小
- 自举路径短而粗：VB（Pin8）、VS（Pin1）、HO（Pin2）与自举二极管、电容的走线应最短
- 敏感信号隔离：IN（Pin6）与 SD（Pin5）的走线应远离高 dv/dt 节点（HO、VS）
- 散热考虑：SOP8 封装散热能力有限，持续大电流驱动时需依靠 PCB 铜箔散热
逻辑控制与关断功能
- IN（Pin6）控制逻辑：
IN = 0 → LO = 高，HO = 低（低侧导通）
IN = 1 → LO = 低，HO = 高（高侧导通） - SD（Pin5）关断控制（低电平有效）：
SD = 0 → HO 与 LO 强制为低，双管关断（无视 IN 状态）
SD = 1 → HO/LO 受 IN 正常控制
真值表如下：
五、典型应用场景
- 移动电源高压快充开关电源：在 Buck-Boost 或反激拓扑中驱动高侧开关，极低静态电流适合便携设备
- 无线充电驱动器：用于 Class-D 功率放大器或全/半桥谐振变换器，驱动线圈切换开关
- DC-DC 电源模块：在同步 Buck、Boost 或 SEPIC 拓扑中作为半桥驱动器
- 变频水泵控制器：驱动单相水泵电机，SD 引脚可用于故障保护
- 低压电池供电的便携逆变器：在 12V/24V 至 110V/220V 逆变器中驱动高频变压器
- 高压 Class-D 音频功放：驱动输出级 MOS 管，SD 可用于静音控制
六、调试与常见问题
高侧无输出或输出异常
- 检查自举电容：容值是否过小？是否损坏或焊接不良？
- 检查自举二极管：是否接反或损坏？反向恢复时间是否过长？
- 测量 VB -- VS 电压：在高侧导通期间是否接近 VCC？
SD 关断功能不生效
- 确认 SD 电平：是否为明确的低电平（<1.0V）？是否有噪声干扰？
- 检查 SD 引脚上拉：若未使用，SD 内置下拉电阻会将其拉低，导致输出一直被关闭
- 测量 SD 引脚电压：确保在需要正常工作时为高电平（>2.5V）
芯片静态电流偏大
- 检查输入引脚状态：IN 与 SD 是否悬空？悬空时内置下拉电阻会导致微小电流
- 检查 VCC 电源：是否有其他外围电路漏电？
- 确认测量条件：是否在无负载、无开关动作时测量？
开关波形振荡或过冲
- 检查栅极驱动电阻：是否未串联适当电阻（推荐 2Ω--10Ω）？
- 优化 PCB 布局：驱动回路是否过长？HO/LO 走线是否靠近敏感信号？
- 可增加栅极-源极间小电容（如 1nF）以减缓开关速度，抑制振荡（会增加损耗）
芯片发热严重（SOP8 散热能力有限）
- 检查开关频率：是否超过 500kHz？
- 检查驱动电流：负载 MOS 管栅极总电容是否过大？
- 加强 PCB 散热：在芯片下方及周围铺设大面积铜箔，并通过过孔连接至内层
七、总结
EG2130 在 仅 8 引脚 SOP 封装 内实现了 600V 高压驱动、2A/2.5A 强驱动能力、极低静态电流（<1μA） 及 硬件关断保护，是一款专为 低功耗、电池供电、空间受限 的高压半桥应用优化的精简型驱动器
其 单路 IN 控制 + SD 关断 的逻辑设计大幅简化了前级电路，极低待机功耗 使其在便携设备中具备显著优势
成功应用的关键在于 正确的自举电路配置、严谨的 PCB 布局（尤其是紧凑封装下的布线）、以及对 SD 关断功能的合理使用
在移动电源快充、无线充电、便携逆变器等对功耗、体积与成本敏感的高压功率转换场合，EG2130 是一款极具竞争力的高性价比解决方案
文档出处
本文基于屹晶微电子（EGmicro）EG2130 芯片数据手册 V1.1 整理编写，结合低压低功耗半桥驱动设计实践。具体设计与应用请以官方最新数据手册为准，在实际应用中务必重点验证 自举电路工作状态、静态功耗及关断保护功能。