FSMC
NOR/PSRAM控制器与SRAM引脚连接
IS61LV25616SRAM，其寻址范围为256K，每个地址空间的数据存储大小为16bit，也就是两个字节。所以IS61LV25616SRAM的容量为256K* 2 = 512K个字节。
外部器件地址映射(NOR/PSRAM)
从FSMC的角度，外部存储器被划分为4个固定大小的存储区域，每个存储区域的大小为256MB。Bank1
存储区域1(Bank1)，可连接多达4个NOR Flash或PSRAM存储器器件，带4个专用片选信号Bank2、Bank3
存储区域2(Bank2)和3(Bank3)用于连接NAND Flash器件，每个存储区域一个器件
Bank4
存储区域4(Bank4)用于连接PC卡设备。
HADDR与FSMC地址信号线
HADDR总线是转换到外部存储器的内部AHB总线，FSMC每个BANK的大小是256M，由28根HADDR[27:0]总线进行寻址。
HADDR[27:26]：用于确定片选。
HADDR[25:0]包含外部存储器地址，由于HADDR为字节地址，地址空间存储的数据大小是字节，如果外部存储器SRAM的数据宽度也刚好为字节时，HADDR的地址数据和外部SRAM的地址数据就正好是一一对应的关系。
倘若外部存储器SRAM的数据宽度是16bit，同样，我们向0x6800 0000地址进行数据写入时，就是在向外部SRAM的地址0写数据。我们向0x6800 0001地址进行数据写入时，就是在向外部SRAM的地址1写数据。
我们向0x6800 0000地址进行数据写入时，就是在向外部SRAM的地址0写数据。我们向0x6800 0001地址进行数据写入时，就是在向外部SRAM的地址1写数据。这样会造成内存空间浪费。
把HADDR[25:0]右进行移动1位。将HADDR[25:0]进行移位这一操作，在初始化FSMC时，如果设置了外部SRAM的数据宽度为16位，则FSMC在向外部SRAM发地址时，会自HADDR[25:0] >> 1。
同样以0x68000000地址为例，0x6800 0000地址进行数据写入时，将它分解成二进制是0110 10000000 0000 0000 0000 0000 0000，在外部SRAM看来，10000000 00000000 0000 0000 0000，也就是地址0；0x6800 0001地址进行数据写入时，将它分解成二进制是0110 1000 0000 0000 0000 0000 00000001，在外部SRAM看来，1000 0000 00000000 0000 0000 0001仍然是地址0。
通过NBL信号线来确定写入的高/低位
NOR/PSRAM控制器访问模式
FSMC的NOR/PSRAM控制器有三类寄存器，片选控制寄存器(FSMC_BCRx)、片选时序寄存器(FSMC_BTRx)、写入时序寄存器(FSMC_BWTRx)。x的范围是1 -4。
FSMC的模式
扩展模式
扩展模式简单来说，就是存储器的读和写入是否需要不同的时序参数，若读数据和写入数据所需要的时序参数相差太大，则需要使能扩展模式。扩展模式由FSMC_BCRx寄存器下的EXTMOD位控制。
模式1读时序分析
ADDSET，叫做地址建立时间，为发出地址信号到给出有效数据的时间，需要ADDSET个HCLK时钟周期。
DATAST，数据阶段的持续时间，读使能信号接收到给出有效数据时间。
BUSTURN，总线周转阶段持续时间。
ADDSET，接收到地址信号到给出有效数据的时间，也就是这里的tAA；
DATAST，读使能信号接收到给出有效数据时间，就该是tDOE。
模式1写时序分析
例：IS61LV25616读/写时序参数
读时序参数：
ADDSET tAA:Max = 10ns。DATAST tDOE：Max = 4ns。
写时序参数：
ADDSET tSA：Min = 0ns；DATAST tPWE1：Min = 8ns；
模式1下，读/写的时序参数皆为FSMC_BTRx寄存器所设置的时序参数ADDSET由FSMC_BTRx寄存器下的ADDSET位进行设置，设置范围0 --15个HCLK；DATAST由FSMC_BTRx寄存器下的DATAST进行设置，设置范围1 --255个HCLK。
使用168MHz的AHB总线时钟，其一个HCLK时钟周期大约为5.95ns。所以读时序参数的ADDSET的可设置的合理范围为1~15，DATAST的为2~255；写时序参数的ADDSET的可设置合理范围为0 ~ 15，DATAST的为2~255。
使用模式1访问IS61LV25616
模式A读时序分析
