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[2: 最大原边电感计算及选择](#2: 最大原边电感计算及选择)
[3: MOSFET计算](#3: MOSFET计算)
[4: 整流二极管计算](#4: 整流二极管计算)
[5: 输出电容器计算](#5: 输出电容器计算)
1,设计输入：决定输入参数
|-------------|------------|
| 设计输入 | 值 |
| 输入电压 (VIN) | 32V 至于 78V |
| 输出电压 (VOUT) | 12V |
| 输出电流 (IOUT) | 1A |
| 操作模式 | DCM |
| 纹波系数(KFR) | 1 |
| 最大占空比(DMAX) | 0.5 |
| 开关频率 (fSW) | 160kHz |
| 预估效率(η) | 80% |
| 二极管压降（Vd） | 0.7V |
2: 最大原边电感计算及选择
第一个设计计算用于找到最大原边电感值。有许多不同的设计方法可以用于计算该值，但本例中的变换器始终运行在DCM模式，因此我们采用如下的公式 (1)来计算原边电感值(LP):
最坏情况发生在变换器以最小输入电压（VIN）和最大占空比（D）且全功率工作时。将设计输入代入公式（1） ，可以得到最大电感器限值为53μH。
接下来计算所需的匝数比 (nS1)。我们仍使用最小VIN和最大D以得到最坏情况下的值，同时增加二极管的正向压降以使计算更加精确。用等式(2)来估算nS1：
3: MOSFET计算
为应用选择合适的MOSFET。为此，我们需要计算开关必须承受的最大电流和电压。首先利用公式 (3) 来计算最大电压：
注意， VDS_MAX上增加了20%的安全裕度，以确保变换器的安全运行。然后我们利用公式 (4) 来估算最大电流：
4: 整流二极管计算
用于评估整流二极管。与MOSFET一样，其目的是确保整流二极管能够处理它可能遇到的最大电压和电流。 首先利用公式（5）来计算二极管能承受的最大电压：
通过增加40%的安全裕度，得到最大反向电压为60.5V。
5: 输出电容器计算
请注意，如果该公式用于tON,则可以大大简化。利用公式 (7) 计算输出电压纹波：
选择一个电容值以得出最佳纹波电压。本例使用了一个250μF的电容器，其输出电压纹波为12.5mV。
解析电容计算方法：
详细解释一下这个计算过程。
