65R380-ASEMI超结MOS管TO-252封装

编辑:LL

65R380-ASEMI超结MOS管TO-252封装

型号:65R380

品牌:ASEMI

沟道:PNP

封装:TO-252

漏源电流:11A

漏源电压:650V

RDS(on):380mΩ

批号:最新

引脚数量:3

封装尺寸:如图

特性:N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

65R380 的核心竞争力,源于对半导体结构的深度重构。其采用的交替分布 P/N 柱超结设计,实现了 "电荷平衡" 与 "横向耗尽" 的双重技术突破:关断时,P/N 柱相互耗尽形成均匀电场,轻松承载 650V 额定漏源电压(BVDSS),击穿防护能力远超传统 VDMOS 器件;导通时,高掺杂 N 柱构建低阻电流通路,使导通电阻(RDS (ON))低至 0.33-0.38Ω(VGS=10V),较传统器件降低 50% 以上。这种结构创新带来的直接收益,是让 "低损耗、快开关、高可靠" 三大优势同时落地:

极致低损耗:10.5nC 超低栅极电荷(Qg)搭配优化的电荷耦合技术,使导通损耗与开关损耗同步降低,可让电源系统整体效率提升 1-2 个百分点 ------ 看似微小的提升,在常年运行的工业电源、UPS 系统中,能转化为显著的年节电收益;

高频快响应:34ns 关断延迟、33.2ns 下降时间,开关速度较传统器件快 30%,完美适配高频 PFC 与 LLC 拓扑,为电源设备小型化、轻量化提供了核心支撑;

全域高可靠:经过 100% 雪崩测试验证,单次雪崩能量(EAS)最高可达 272mJ,-55℃~150℃宽温工作范围,无论是严寒环境下的户外电源,还是高温工况中的工业逆变器,都能从容应对瞬时冲击与持续负荷。二、硬核参数背书:适配多元高压场景

作为一款面向专业应用的功率器件,65R380 的性能优势不止于结构创新,更体现在每一项精准调校的核心参数中:

电流承载能力强劲:25℃条件下连续漏极电流(ID)可达 10.6-11A,脉冲漏极电流最高 31.8A,轻松满足大功率设备的瞬时功率需求;

环境适应性卓越:±30V 栅源极电压耐受,搭配 TO-220、TO-252 等多封装选择,结到壳热阻低至 1.5℃/W,散热效率优异,适配不同 PCB 设计需求;

绿色合规无忧:采用无铅工艺与卤素 - free 封装,完全符合 RoHS 标准,助力终端产品轻松通过环保认证,契合绿色电子产业发展趋势。

三、全场景覆盖:从消费电子到工业级应用的全能选手

凭借均衡的性能表现,65R380 已成为横跨多领域的 "功率转换多面手":

功率因数校正(PFC):在 AC-DC 电源的 PFC 拓扑中作为主开关管,低损耗特性可显著提升功率因数,助力设备达到更高能效等级;

开关模式电源(SMPS):适配反激、LLC 等高频拓扑,650V 高压耐受与快开关特性结合,让适配器、服务器电源实现 "小体积、高效率" 的双重突破;

不间断电源(UPS):在电网波动或断电切换时,245mJ 雪崩能量与宽温工作能力保障供电稳定,为工业控制、数据中心提供可靠电力支撑;

新能源与工业设备:从光伏逆变器的高压转换到工业焊机的功率控制,65R380 的高鲁棒性设计能应对复杂工况下的 dv/dt、di/dt 冲击,减少设备故障率。

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