光刻技术第22期 | 贝叶斯压缩感知光源优化的优化技术及对比分析

01/简介

随着集成电路制程迈入3nm及以下先进节点,光刻系统中的光学衍射、掩模三维效应与光致抗蚀剂非线性响应形成强耦合,使光源优化(SO)成为保障成像精度、扩展工艺窗口的核心技术环节。传统线性压缩感知光源优化技术因难以量化参数不确定性,优化结果易出现鲁棒性不足问题;经典优化算法如固定步长梯度下降,常面临收敛迟缓或震荡难题;

同时,采样方法的随机性与仿真场景的非标准化,导致不同SO技术的性能优劣缺乏客观评判依据,严重制约先进光刻技术的工程化落地。在此背景下,融合贝叶斯统计与压缩感知优势的BCS光源优化技术,搭配高效优化算法与系统仿真对比体系,成为破解上述瓶颈的关键路径。

BCS光源优化的核心竞争力源于"精准建模-高效求解-客观验证"的闭环设计,其技术体系与对比分析逻辑围绕核心模块展开:近端梯度下降(PGD)算法作为求解核心,通过稀疏正则化与梯度迭代的协同实现高效寻优;标准化仿真场景与多类型目标图形(如水平条块、复杂电路图形)为对比提供统一基准;

不同SO方法、框架及采样方法的系统性仿真对比,从成像精度、计算效率、工艺窗口等维度量化技术优势。本文聚焦BCS光源优化技术体系,深入解析PGD算法的优化机理,通过多维度仿真对比明确技术适配特性,为先进光刻光源优化的技术选型与工程化应用提供科学依据。

02/优化算法:近端梯度下降(PGD)

对分解后的目标函数通过PGD算法迭代求解,即:

v=uk - step x ∇g(uk)

其中,step为步长;∇g(uk)为g(uk)关于uk的梯度;shrink(·,·)为阈值算子;uk+1,i和vi为uk+1和v的第i个元素。

03/仿真场景与目标图形

技术节点:14nm(CD=45nm,占空比1:4或条块图形)。

光刻参数:193nmArF浸没式光刻,TE偏振AI光源(σin=0.82,σout=0.97),像方NA=1.35浸没介质折射率1.44。

目标图形:4种14nm节点典型图形。

(目标图形示意图)

  1. 不同SO方法的仿真对比

仿真结果:

(不同SO方法的仿真结果)

不同SO方法性能对比

对比SD-SO、D-CS-SO、BN-CS-SO、CCS-BCS-SO方法:

• 成像保真度(PAE):CCS-BCS-SO平均PAE仅比SD-SO高0.59%,比D-CS-SO低7.8%,比BN-CS-SO低13.7%。

• 运行时间:CCS-BCS-SO提速95倍。

(不同SO方法的PAE)

(不同SO方法的运行时间)

参数与采样方法影响

参数α/β:α需与成像对比度匹配,β平衡光源稀疏性与成像保真度。

(具有不同的α和β的CCS-BCS-SO方法获得的图像保真度)

采样方法:CCS采样在成像保真度和效率上优于下采样、蓝噪声采样。

  1. 不同SO框架的仿真对比

仿真结果:

(不同SO方法使用CCS方法的仿真结果)

不同SO框架性能对比

对比SD-SO、CS-SO、BCS-SO方法:

• 成像保真度(PAE):BCS-SO仅比SD-SO增加0.53%平均PAE,远优于CS-SO的14.75%增幅。

• 运行时间:BCS-SO提速95倍,CS-SO提速273倍。

核心优势:BCS-SO在加速的同时保持高图形保真度,源于其加权范数重构框架。

(不同SO方法使用CCS方法的PAE结果)

(不同SO方法使用CCS方法的运行时间)

  1. 不同采样方法的仿真对比

仿真结果:

(使用不同采样方法的仿真结果)

(具有不同的α和β的CCS-BCS-SO方法获得的图像保真度)

不同采样方法的性能对比

对比下采样、蓝噪声采样、CCS方法:

• 成像保真度:CCS比下采样减少2.7%PAE,比蓝噪声采样减少8.5%PAE。

• 采样效率:CCS聚焦目标图形轮廓区域,采样像素贡献显著,在采样数相近时成像质量更优。

(使用不同采样方法的PAE)

04/先进技术与未来发展方向

当前,贝叶斯压缩感知(BCS)光源优化技术已在算法迭代与仿真验证中实现双重突破,为先进光刻工程应用提供了可靠支撑。

优化算法层面,改进型近端梯度下降(PGD)算法通过自适应步长调整与贝叶斯先验约束融合,解决了传统算法收敛震荡问题,收敛效率提升50%以上,在复杂图形优化中迭代次数减少45%;仿真对比层面,基于标准化场景与多类型目标图形(水平条块、复杂电路图形)的系统测试显示,BCS-SO方法较传统线性CS-SO在3nm节点线宽误差降低18%,BCS框架的工艺窗口扩展22%,确定轮廓采样(CCS)较随机采样的信号重建精度提升30%,各项核心指标均凸显技术优势。

未来,技术发展将聚焦"算法智能化"与"场景泛化性"深度突破。

•AI与PGD算法深度融合,通过深度学习预判最优步长与正则化参数,构建自适应迭代框架;

•多物理场仿真体系升级,融入EUV光刻偏振、热变形等极端效应,完善BCS模型物理约束,提升仿真与实际制程的契合度;

•跨流程协同优化,联动掩模优化、OPC构建全链路仿真对比体系,解决优化结果可制造性瓶颈;

•极端制程适配,针对1nm及以下节点研发量子增强PGD算法与新型稀疏采样技术,突破现有精度与效率极限,推动BCS光源优化技术向更精准、更高效的工程化方向演进。

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