在光刻工艺中，套刻精度(Overlay)已成为影响芯片良率的关键限制因素之一。套刻精度(Overlay)控制的核心目标是确保每一层掩膜图形与其下方图形的精准对准，尤其是在像 5nm 这样的先进节点中，套刻精度(Overlay)容差通常是图形尺寸的 30%。因此，这一精度必须严格控制在几纳米之内，以确保良率的提升。
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