全品类存储芯片汇总/DRAM/flash/HBM

近期存储行情大涨,我们借这个机会完成对存储芯片的扫盲工作。先从存储的分类开始,无论何种存储芯片,都属于以下三种:

1、Volatile Memory(易失性存储)

断电丢数据,速度极快,做运行内存。

2、Non-Volatile Memory(非易失性存储)

断电不丢数据,长期存文件。

3、Special Storage(专用存储)

特定场景用,比如缓存、桥接、安全存储。

1、易失性存储芯片 Volatile Memory
  1. DRAM(Dynamic Random-Access Memory)动态随机存取存储器

    中文:动态内存

    原理:用电容存数据,需要不断刷新。

    特点:快、延迟低、断电丢失。

    常见子类

    DDR4/DDR5(Double Data Rate 4/5th Generation):电脑主机内存

    LPDDR5/6(Low Power Double Data Rate):手机、平板

    GDDR6/7(Graphics Double Data Rate):显卡显存

    用途:程序运行、数据暂存、图像处理

  2. SRAM(Static Random-Access Memory)静态随机存取存储器

    中文:静态内存

    特点:比 DRAM 更快,不用刷新,6 个晶体管单元。

    缺点:贵、密度低、容量小。

    用途:

    CPU Cache(缓存)

    L1/L2/L3 高速缓存

    工业控制、FPGA 内部缓存

  3. HBM(High Bandwidth Memory)高带宽内存

    中文:高带宽显存

    属于:DRAM 的 3D 堆叠高端版

    特点:超高带宽、低功耗、近距离封装

    用途:AI GPU、超算、大模型训练

所以说白了,显卡的显存就是我们在电脑和手机中的运存概念,运行内存,一旦断电则不会保存数据。

这个部分也跟以前显卡的算力显存部分呼应上了,算力和显存互相影响,但是又彼此独立。HBM逐渐演进,主要的演进方向还是指向数据速率和带宽。

  1. 数据速率翻倍(3.2→6.4→8→12.8Gbps)
    升级本质:每根数据线一秒传输数据量翻倍,是带宽提升的核心来源。
    AI 大模型跑更快:大模型需要海量参数反复读写,速率越高,推理 / 训练延迟越低;
    吞吐直接翻倍:同样时间,能处理更多用户请求、更多视频流;
    不用拼命提频率:相比 GDDR 靠暴力超频,HBM 靠高位宽 + 速率,发热可控。
  2. 带宽暴涨(400GB/s → 3.2TB/s,8 倍提升)
    核心痛点:AI 最大瓶颈不是算力,是内存带宽墙
    GPU 算力再强,数据传不过来,算力就闲置。
2、非易失性存储芯片 Non-Volatile Memory
  1. NAND Flash 闪存
    中文:NAND 闪存
    特点:断电保存、大容量、可擦写
    核心类型
    SLC:1bit/cell,寿命最长,速度最快
    MLC:2bit/cell,高端 SSD
    TLC:3bit/cell,主流消费级
    QLC:4bit/cell,大容量低成本
    结构:2D NAND → 3D NAND
    用途:SSD、eMMC、UFS、SD 卡、U 盘、监控存储
  2. NOR Flash
    中文:NOR 闪存
    特点:可直接在芯片上运行代码(XIP),读取快、写入慢。
    密度低、容量小,比 NAND 贵。
    用途:
    路由器、摄像头、MCU 启动固件
    BIOS、BootROM、启动代码
  3. ROM(Read-Only Memory)只读存储器
    中文:只读存储器
    特点:出厂就写好,不能改。
    用途:出厂固件、固定引导程序
  4. PROM / EPROM / EEPROM
    PROM:一次性可编程,写完不能改
    EPROM:可紫外线擦除,老式芯片用
    EEPROM(Electrically Erasable PROM)
    中文:电可擦除可编程只读存储器
    特点:按字节擦写,小容量、高寿命
    用途:存配置、序列号、密码、小参数
    你的监控摄像头里就有EEPROM存 IP、MAC、设备信息
  5. FeRAM / FRAM(Ferroelectric RAM)铁电存储器
    中文:铁电存储
    特点:像 RAM 一样快,又像 NAND 一样不掉电。
    用途:工业、汽车、医疗、高频擦写场景
  6. MRAM(Magnetoresistive RAM)磁阻存储器
    中文:磁阻存储器
    特点:高速、非易失、耐高温、长寿命
    用途:汽车、AI 边缘节点、企业级缓存
  7. PCRAM / PRAM(Phase-change RAM)相变存储器
    中文:相变存储器
    原理:用材料晶态 / 非晶态存数据
    下一代存储候选,部分企业级已商用

四、封装型存储(芯片 + 控制器一体)

  1. eMMC(embedded MultiMediaCard)
    中文:嵌入式多媒体卡
    结构:NAND Flash + 控制器 封装在一起
    用途:旧手机、平板、监控、电视、机顶盒
  2. UFS(Universal Flash Storage)
    中文:通用闪存存储
    替代 eMMC,速度更快、双通道
    用途:高端手机、行车记录仪、高端 IPC
  3. SPI NOR / SPI NAND
    中文:串行接口 NOR/NAND
    特点:引脚少、简单、低成本
    用途:物联网、摄像头、小容量启动存储
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