一、mos管结构
s:源极，g：栅极，d：漏极
上图是一个Pmos的结构，可以看到，对于S、D、G之间，都是不直接相连的，也就意味着，每一部分之间都会形成寄生电容。
在实际生产的器件中，很多厂商会选择将S与衬底进行短路，使二者之间形成等效二极管。也就是上图2标识右侧的部分。
二、MOS管的导通条件
NMOS：Vg-Vs>Vth，DS导通。
PMOS：Vg-Vs<Vth，DS导通。
三、MOS管与三极管的区别
（一）MOS管为电压控制元件，三极管为电流控制元件。
三极管导通的必要条件是be之间有持续的电流。MOS管导通的条件是gs之间有电压，因为gs之间也存在寄生电容，所以在上电压之后，即使将g浮空一段时间，在寄生电容放完电之前ds将一直是导通的。
（二）MOS管的优势
1.省电，保持导通不需要持续的额外电流。
2.导通阻抗小，也是使用的功耗小。
（三）三极管优势
耐大电压大电流。
四、MOS管的寄生电容
在g浮空之后，先前上电时已经给寄生电容充满了电，电压会维持一定时间。
解决：1.在gs之间添加一个电阻（一般选值为100K）。【通常也用于解决工频干扰】
2.前级使用推挽电路，不存在浮空态，在低电平下直接接地放电。
五、MOS管的寄生二极管
理想情况下，在G=0时，MOS管是不可能导通的。但是实际上，DS直接的压差如果大于寄生二极管的导通压降，也会直接导通DS。
解决：1.对称反转MOS管，重新设计电路，让电流的流向是D-S。
2.添加一个反向的MOS管，对冲两个寄生二极管。
六、用MOS管设计电源开关
（一）NMOS
MOS管用作控制负载的工作电源，需要使用自举电容或者一个比电源更高的控制信号来控制MOS的G。一般下，控制电压比较大也不现实，所以一般使用自举电容。
（二）PMOS
PMOS天生用作开关电路的设计。
当IN=1，三极管导通，PMOS的G直接接地，Vg<Vs，导通ds；当IN=0，三极管截止，G被直接拉到12V，Vg=Vs，截止。
注意：由于工艺原因，在频率较高，电流较大的情况下，MMOS的性能普遍更好。
七、PMOS的防反接电路
电源反接：此时 GND 接 12V、12V 接 GND，PMOS 源极电位变低，栅极被拉到原 12V（现在的 GND）电位，Vgs = 12V(反接后GND) - 0V(反接后12V) = +12V，PMOS 关断；同时寄生二极管反向偏置，整个电路没有电流，实现防反接保护。
八、MOS管DS之间的电流可以双向导通
由于MOS管结构的原因，在gs之间满足导通条件时，DS之间的电流可以双向导通。
九、MOS管的导通电流与Vgs
导通电流与Vgs近似成正比，大部分MOS管的Vgs>4.5V进入饱和状态。
十、MOS管的最大耐压
使用中需要注意Vgs，Vds，一般至少需要留出1.2倍的余量。