11.发光二极管压降、红、绿贴片LED压降
12.TVS 二极管与稳压二极管对比
1、TVS二极管正常工作在截止区。（稳压二极管）齐纳二极管正常工作在反向击穿区域，
2、TVS保护瞬间的非常高的异常电压，用于保护电路。
稳压管保护电路中出现的小波动电压，使得电压平稳，用于稳压电路。
3、TVS二极管的击穿电流低，齐纳二极管相对大一点。
13.三极管的伏安特性曲线
iB不变时，IC与VCE之间的关系发射结为0.6一0.7V。
截止区
发射结反偏，集电结反偏。Ube<Uon且Uce>ube。Ib=0，Ic=0。
放大区
发射结正偏，集电结反偏。Ube>Uon且Uce>Ube，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系Ic=B*Ib
饱和区
发射结正偏，集电结正向。即 Ube>Uon且Uce<Ube。当三极管的集电结电流Ic 增大到一定程度时，再增大 Ib，Ic 也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。此时lc不仅仅与lb有关，而且随Uce的增大而增大Ic<B*Ib。
14.MOS 管输出特性曲线
(1)VGS<VGS(th)时，夹断区(截止区)。不能导电，处在截止状态。电流Id为0，管子不工作。
饱和区)，Id随着Vds的增加，导电沟通已产生但没有完全形成，相当就是一个由VGS 控制的可变电阻。
(3)VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，恒流区 （饱和区，放大区)。当VGS>VGS(th),Uds为常量，VGS越大，Id越大。VGS越高，RDS(ON)值就越低。温度越高，RDS(ON)值也就越高。
(4)击穿区：VDS过大，mos损坏
15.MOS管与BJT区别
1.工作性质：三极管是通过电流控制电流，mos管是通过电压控制电流。2 导电极性：MOS管单极性（多子导电)、晶体管双极性（多子与少子导电）。
3.温度：场效应管比晶体管温度稳定性好（少子受温度影响大)。
4.输入阻抗：场效应管输入电阻很大，低噪声。三极管输入阻抗小，损耗大。
5.电极互换：场效应管可以D到S，S到D。栅极也可正可负。
6.驱动：MOS管作为电源开关，大电流开关电路、高频高速电路。三极管用来数字电路开关控制。
7.电流大小：MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
8.频率特性：场效应管的频率特性不如三极管。