软件：STM32-F1系列-读取Flash(2026/7/14)

Flash介绍

[1：Flash 是什么？](#1：Flash 是什么？)

[2：Flash 的结构](#2：Flash 的结构)

[3：CPU 怎么执行程序？](#3：CPU 怎么执行程序？)

[4：为什么还需要 SRAM？](#4：为什么还需要 SRAM？)

5：flash的两个操作

6：擦除单位Page

[7：flash 存储内容](#7：flash 存储内容)

[8：flash 的几大应用](#8：flash 的几大应用)

[① Bootloader](#① Bootloader)

[② IAP(In-Application Programming)（在应用编程）](#② IAP(In-Application Programming)（在应用编程）)

[③ EEPROM 模拟 (Emulated EEPROM)](#③ EEPROM 模拟 (Emulated EEPROM))

STM32f103flash资源

1：基本参数

[2：Flash 的三大操作](#2：Flash 的三大操作)

[①. 读操作（无门槛）](#①. 读操作（无门槛）)

Flash介绍

1：Flash 是什么？

Flash 可以说是 STM32 最重要的存储器之一。

今天的 Flash，就是 STM32 芯片里面那块掉电不会丢失数据的存储器。

它负责保存：

用户程序（main()、各种函数）
常量数据
字库
参数
BootLoader
固件

CPU 上电后第一件事情就是：去 Flash 读取程序，然后开始执行。

2：Flash 的结构

STM32 的 Flash 没有 Page、Sector 混着用。

对于 F1 系列：只有 Page（页）

整个 Flash：64KB Flash→64 页→每页 1KB

地址变化：起始地址为0x08000000，1KB为1024 Byte转为16进制0x400

Page0为08000000→Page1为08000400直到0800FC00为最后一页

3：CPU 怎么执行程序？

很多人都会误解：Flash 是不是把程序复制到 SRAM 再运行？

对于 STM32F103：不是，CPU 可以直接读取 Flash。

4：为什么还需要 SRAM？

因为：Flash，适合保存，不适合频繁修改。SRAM：适合频繁读写

因此CPU是从 Flash 读取代码，去 SRAM 修改变量。

所以：

代码在 Flash。

数据在 SRAM。

这是最经典的结构。

5：flash的两个操作

（1）读取

CPU可以直接读取flash，0x08000000→取指令→执行。程序运行就是这样。

（2）写入

Flash不能像RAM一样随便修改，写入前需要擦除以后才可以写入

擦除指的是把该页内容全部写入1

6：擦除单位Page

STM32F103最小擦除单位：Page

7：flash 存储内容

情况1：程序代码

情况2：用户参数

比如,

系统配置类：背光亮度等级

用户偏好类：语言选择：中文/英文。

运行统计类：设备通电次数

8：flash 的几大应用

① Bootloader

本质：一段上电后最先运行的代码，负责"交接工作"。

STM32 上电后，根据 Boot 引脚（BOOT0/BOOT1）的状态决定从哪里启动。如果是从 Flash 启动，它固定从 0x08000000开始执行，Bootloader 就放在0x08000000这里。

Bootloader的任务：

<1>初始化最基本的硬件（时钟、串口/USB/CAN）。

<2>判断是否需要升级程序（比如检测按键、检测APP完整性、接收升级指令）。

<3>跳转到用户应用程序（APP）去执行。

② IAP(In-Application Programming)（在应用编程）

本质：利用 Flash 的可擦写特性，在运行代码的同时改写 Flash 里的其他代码。

它与 Bootloader 的关系

很多人混淆这两个概念。其实：

Bootloader 是载体（那段代码）。
IAP 是功能（通过串口/USB/无线等方式更新固件的功能）。

通常，我们在 Bootloader 中实现 IAP 功能。

流程如下：

设备上电，进入 Bootloader。
收到主机发来的新固件数据包（Bin 文件）。
Bootloader 擦除 APP 所在扇区。
Bootloader 将收到的数据写入 Flash 的 APP 区域。
校验 CRC，成功后跳转。

为什么叫"在应用编程"？

因为你可以设计成：即使进入了 APP，APP 也能接收到升级指令，然后强制跳回 Bootloader，让 Bootloader 重新覆盖 APP 区域。这就实现了"一边跑一边修"。

防变砖机制（双保险）

为了防止升级中途断电导致变砖，高级一点的设计是：

预留两份 APP 空间（A/B 区）。
当前跑 A 区，收到升级包后写到 B 区。
B 区校验通过后，修改标志位，下次重启跳转到 B 区。
这样即使 B 区写坏了，还能回到 A 区。

③ EEPROM 模拟 (Emulated EEPROM)

本质：利用 Flash 的非易失性，假装自己是 EEPROM。

Flash 比 EEPROM 难用在于：

擦除单位大：Flash 擦 1KB，EEPROM 擦 1Byte。
寿命短：Flash 1万次，EEPROM 100万次。

STM32F103C8T6 没有 EEPROM。但我们需要存参数（如校准系数、配置），这些参数不能存在 RAM（掉电丢），也不能每次都烧录（太麻烦）。

ST 官方提供了 AN2594 应用笔记和对应的 EEPROM Emulation 库，强烈建议直接用官方的，不要自己造轮子，里面的状态机很复杂。

STM32f103flash资源

1：基本参数

2：Flash 的三大操作

①. 读操作（无门槛）

直接通过地址指针读取，和读 SRAM 一样
内建预取缓冲区，可以加速指令读取

②.写操作（需解锁）

Flash 默认是锁住的，防止误操作
必须按顺序写入密钥才能解锁：先写 0x45670123，再写 0xCDEF89AB 到 FLASH_KEYR 寄存器
写操作必须按**半字（16 bit）**写入，不能按字节写
写入前目标地址必须是 0xFFFF（擦除后的状态）

③.擦除操作（2种方式）

Flash 的物理特性：只能把 1 变成 0，不能把 0 变成 1
要把 0 变回 1，只能靠擦除，擦除会将整页或整片变为全 0xFFFF
两种擦除模式：
- 页擦除：擦除某一页（1 KB），对其他页无影响
- 整片擦除：擦除全部 64 KB，包括你正在运行的程序！慎用

3：编程/擦除流程（标准库）

复制代码

// 1. 解锁 Flash
FLASH_Unlock();

// 2. 等待 Flash 空闲（可选，大多数函数内部已处理）
// while(FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_BSY) == SET);

// 3a. 页擦除
FLASH_ErasePage(0x0800_FC00);  // 擦除最后一页（第63页）

// 3b. 或 整片擦除（慎用！会擦掉程序本身）
// FLASH_EraseAllPages();

// 4. 编程写入（半字单位）
FLASH_ProgramHalfWord(0x0800_FC00, 0x1234);
FLASH_ProgramHalfWord(0x0800_FC02, 0x5678);

// 5. 上锁保护
FLASH_Lock();

// 6. 读取验证（直接读地址就行）
uint16_t data = *(volatile uint16_t *)0x0800_FC00;

4：几大应用

1.模拟 EEPROM --- STM32F103C8T6 没有真正的 EEPROM，但可以用最后几页 Flash 来存配置参数（你的备份寄存器项目就是这个思路的入口）

2.IAP（在线升级） --- 通过串口/CAN 接收新固件，写入 Flash 的高地址区域，然后跳转执行

3.写保护 --- 通过 FLASH_WRPR 可以把某些页设为写保护，防止误擦

4.选项字节（Option Bytes） --- 位于 0x1FFFF800 区域，控制读保护、看门狗、复位等，操作时需要额外解锁 FLASH_OPTKEYR

5：与BKP寄存器的区别

读取flash程序实例

1：字节寻址

在包括 STM32（ARM Cortex-M）在内的几乎所有现代计算机架构 中，内存是按字节编址 的------每个地址指向一个字节（8 bits）。

所以 0x08000000 存的是 1 字节，这是对的。但这不是 flash 的特殊限制，你的 RAM（比如 0x20000000）也是这样的。

2：大端和小端

小端和大端------就是"多字节数据怎么排队"

当你存一个多字节的值（比如 uint32_t 是 4 字节），这 4 个字节在内存里是按什么顺序放的，这就是端序（endianness）。

3：写入半字地址处理

一个地址存一个字节，此处写入的是半字，是两个字节，所以是两个地址存刚好两个字节也就是一个半字，所以循环中，需要给数据的i索引乘上2

MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS +i * 2, 0x0000); 让地址索引一次+2

4：创建自己的SRAM

objectivec 复制代码

void Store_Init(void)
{
	/*判断是不是第一次使用*/
	if (MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) != 0xA5A5)	//读取第一个半字的标志位，if成立，则执行第一次使用的初始化
	{
		MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);					//擦除指定页
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS, 0xA5A5);	//在第一个半字写入自己规定的标志位，用于判断是不是第一次使用
		for (uint16_t i = 1; i < STORE_COUNT; i ++)				//循环STORE_COUNT次，除了第一个标志位
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2, 0x0000);		//除了标志位的有效数据全部清0
		}
	}
	
	/*上电时，将闪存数据加载回SRAM数组，实现SRAM数组的掉电不丢失*/
	for (uint16_t i = 0; i < STORE_COUNT; i ++)					//循环STORE_COUNT次，包括第一个标志位
	{
		Store_Data[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2);		//将闪存的数据加载回SRAM数组
	}
}

作用：系统上电时，检查 Flash 里有没有存档；如果没有，就创建初始存档；如果有，就把存档读到 SRAM，实现我们手写的sram数值掉电不丢失，

5：从SRAM写入到flash

objectivec 复制代码

void Store_Save(void)
{
	MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);				//擦除指定页
	for (uint16_t i = 0; i < STORE_COUNT; i ++)			//循环STORE_COUNT次，包括第一个标志位
	{
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2, Store_Data[i]);	//将SRAM数组的数据备份保存到闪存
	}
}

先擦除后写入，包括标志位，也索性从写一下，不想麻烦就i从1起始也可以

6：清空SRAM数组

objectivec 复制代码

void Store_Clear(void)
{
	for (uint16_t i = 1; i < STORE_COUNT; i ++)			//循环STORE_COUNT次，除了第一个标志位
	{
		Store_Data[i] = 0x0000;							//SRAM数组有效数据清0
	}
	Store_Save();										//保存数据到闪存
}