一、产品整体概述
SA8346 是矽塔科技单通道全 NMOS‑H 桥驱动芯片，内置电荷泵，支持上管 100% 占空比输出；可实现电机正转、反转、停止、刹车，支持 PWM 调速。VM 推荐工作电压4‑36V ，最大绝对耐压 40V；SOP‑8 封装，PCB 条件 25mm² FR4‑1oz 铜箔下持续 3.0A，峰值 6.5A；高低桥合计导通电阻典型200mΩ。INA、INB 同时拉低延时 1ms 自动进入休眠；集成 UVLO 欠压、硬件 OCP 过流、TSD 热关断，故障自动重试恢复；HBM 2kV ESD 防护，工作结温‑40~150℃，面向机器人、工业中高压直流电机设备。
二、五大核心差异化硬件优势
- 4‑36V 宽压，3A 输出，SOP‑8 标准封装 VM 工作 4‑36V，耐压 40V；Rds (on)=200mΩ；适配 12V、24V 系统；SOP‑8 通用贴片，大批量成本友好。
- 标准双引脚逻辑，两套 PWM 调速模式 INA、INB 双引脚控制； ①模式 A：PWM + 低电平，导通‑滑行快衰减，依靠体二极管续流； ②模式 B：PWM + 高电平，导通‑刹车慢衰减，绕组能量快速释放，调速精度更高； 内置200ns 硬件死区，防止 H 桥上下管直通烧毁。
- 自动休眠低功耗 INA、INB 全部置低维持 1ms 自动休眠，休眠电流典型 2.0μA；唤醒输入高电平需要维持≥30μs；INA/INB 内置 100kΩ 下拉，引脚悬空默认低电平，避免电机误启动。
- 全套内置硬件保护，故障自动重试 硬件硬过流，不依赖外部采样电阻；过流故障 3ms 自动重试，过温降温后自动恢复，无需 MCU 干预。
- BOM 精简，支持 GND 端外部检流 外围主要为 VM 电源电容；可在 GND 引脚与系统地之间串联检流电阻，实现外部电流采集。
三、完整内置安全保护机制
- UVLO 欠压锁存：VM 上升 3.8V 开启，下降 3.6V 关断，低压关闭全部输出；
- OCP 硬件过流保护：OCP 阈值 6.5‑7.0A，1.5μs 消隐滤波，故障后 3ms 自动重试；
- TSD 热关断保护：160℃触发关断功率管，降温 30℃自动恢复；
- 200ns 硬件死区，防止 H 桥上下管共态导通；
- 1ms 自动休眠，输入引脚内置下拉电阻，防止悬空误触发；
- HBM 2kV ESD 静电防护。
四、引脚功能定义（SOP‑8）
1 脚 INA：逻辑输入 A，内置下拉； 2 脚 INB：逻辑输入 B，内置下拉； 3 脚 GND：功率地；可外接检流电阻； 4 脚 VM：功率电源输入，就近接≥10μF 高压电容； 5、6 脚 OUTB：H 桥输出 B，并联引出接电机一端； 7、8 脚 OUTA：H 桥输出 A，并联引出接电机另一端。
逻辑真值表 | INA | INB | OUTA | OUTB | 工作状态 | |---|---|---|---|---| | L | L | Hi‑Z | Hi‑Z | 待命，1ms 后进入休眠 | | H | L | H | L | 正转 | | L | H | L | H | 反转 | | H | H | L | L | 刹车 |
五、外围元器件标准化选型规范
VM 电源电容 VM 对地≥10μF 高压 X5R/X7R 陶瓷电容，可搭配电解，紧靠 VM‑GND 引脚。
电机吸收电容 OUTA 与 OUTB 之间并联 0.1μF，吸收电机反电动势尖峰。
电机负载 直流有刷电机；良好 PCB 散热条件下持续 3.0A，峰值≤6.5A；高温环境必须降额。
逻辑输入 INA、INB 直接接 MCU GPIO；休眠唤醒高电平≥30μs。
PWM 信号 高精度调速优先模式 B；PWM 频率不宜过高，否则电机存在启动异常风险。
检流电阻（可选） 如需电流采样，串联在芯片 GND 与系统地之间；电源电容负极接芯片 GND。
六、PCB 布线硬性规范
- VM、OUTA、OUTB 功率走线短粗；OUTA、OUTB 各自双引脚并联走线，降低引脚电流密度；
- VM 电源电容紧靠 VM‑GND；OUT 之间 0.1μF 吸收电容靠近输出引脚；
- SOP‑8 依靠 PCB 铜箔散热，加大 GND 铺铜，铜箔不足会压低最大输出电流；
- INA、INB 逻辑走线远离 OUT 功率走线，规避感性负载干扰造成逻辑误动作；
- 功率地大面积铺铜，减小地弹噪声；外接检流电阻放在芯片 GND 侧。
七、主流应用场景
SA8346 用于 4‑36V 中高压直流电机：智能机器人轮驱、工业小型执行机构、24V 设备马达、各类消费类运动控制模组。