前言
**文档版本：**V1.0
**编制目的：**规范通用整流二极管选型、电路设计、降额设计、PCB布局及可靠性验证，用于电源整流、续流、防反接、钳位等场景，规避过压击穿、过流烧毁、高温失效、反向漏电流超标等风险。
**适用范围：**普通硅PN结通用整流二极管（直插、贴片）；不含肖特基、快恢复、TVS、齐纳稳压二极管。
**参考标准：**GB/T 4587、IEC 60747-1
1 术语与定义
**正向平均电流IF(AV)：**允许长期连续流过的正向平均电流。
**反向重复峰值电压VRRM：**可重复施加的最大反向峰值电压。
**正向压降VF：**指定正向电流下的二极管正向电压。
**反向漏电流IR：**指定反向电压、温度下的反向泄漏电流，高温会明显增大。
**反向恢复时间trr：**二极管从导通转为关断所需时间，决定开关速度。
**功耗Pd：**器件允许最大耗散功率。
**失效模式：**反向电压超标→雪崩击穿；正向电流过载→PN结过热烧毁；高温老化漏电流上升；浪涌冲击损坏。
2 选型核心参数设计准则
2.1 反向重复峰值电压VRRM（强制降额）
降额规范：
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普通商用，环境≤70℃：回路最大反向峰值电压 ≤0.7×VRRM
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存在浪涌、电压尖峰工况：最大反向峰值电压 ≤0.5×VRRM
交流整流回路，反向峰值是交流电压峰值，不是有效值，以此计算余量。
2.2 正向平均电流IF(AV)（强制降额）
降额规范：
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自然风冷，环境≤70℃：实际正向平均电流 ≤0.7×IF(AV)
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密闭高温、散热差环境：实际正向平均电流 ≤0.5×IF(AV)
注意：需要额外校核非重复浪涌电流IFSM，上电冲击、短路浪涌不能超过规格书IFSM。
2.3 反向恢复时间trr
通用二极管trr较长（μs级别），适合工频50Hz低频整流；不适合高频开关回路，高频下反向恢复损耗巨大，发热严重。
2.4 正向压降VF与损耗
**VF越大，导通损耗越高，温升越高；**大电流整流优先选择低VF型号，降低发热。
2.5 温度特性
PN结温度升高，正向压降略微下降，反向漏电流指数上升；器件存在最大结温限制，一般150℃。
3 电路设计规则
3.1 串并联设计
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串联：提升反向耐压；二极管反向漏电流不一致，需要并联均压电阻，否则电压分配不均，单颗击穿；工程高压整流可使用。
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并联：提升载流能力；VF不一致会造成电流分配不均，部分二极管过载；并联时优先同型号、同批次，预留充足电流余量。
3.2 典型应用场景
✅ 工频AC-DC桥式整流、半波整流
✅ 直流回路防反接保护
✅ 低频电感续流、单向隔离、信号单向钳位
3.3 续流使用注意
电感续流场景，关断瞬间会产生反向电压尖峰，VRRM必须预留足够余量。
4 PCB布局规范
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大功率整流二极管发热明显，远离电解电容、塑料件等热敏器件。
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功率二极管走线加粗，减小引线压降与发热；贴片大功率二极管加大焊盘，增强散热。
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高压应用，二极管引脚之间、引脚对地预留安规爬电距离。
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器件散热优先，大功率型号可预留散热片安装位置。
5 禁止使用场景
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高频开关电源次级整流（几十kHz及以上）：trr大，反向恢复损耗高，发热严重；改用快恢复或肖特基。
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高频高速信号单向开关。
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稳压基准电路：不能替代齐纳稳压二极管。
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大能量浪涌、雷击防护，不能替代TVS。
6 可靠性降额规范汇总（强制）
反向电压：常规工况≤0.7VRRM；浪涌尖峰工况≤0.5VRRM
正向电流：自然风冷≤0.7IF(AV)；密闭高温≤0.5IF(AV)
结温：PN结结温不超过规格最大结温；高温环境进一步降额
浪涌：短时冲击电流不超过IFSM
7 测试验证项目
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正向压降VF、反向漏电流IR测试；
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正向电流温升测试；
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反向耐压测试；
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浪涌电流冲击测试；
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高低温循环测试；
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耐久性老化测试。
8 通用二极管选型评审检查表
☐ VRRM按回路最大反向峰值电压核算，满足降额要求
☐ 正向平均电流IF(AV)完成降额，同时校核IFSM浪涌能力
☐ 确认工作频率，低频工频场景选用通用二极管
☐ 串并联方案评估均压/均流风险
☐ 大功率二极管评估温升，远离热敏器件
☐ 高压场景校核引脚间爬电距离
☐ 区分用途，不与肖特基/快恢复/TVS混用
9 典型选型示例
示例1：AC220V工频桥式整流，交流峰值约311V选用VRRM≥1000V通用整流二极管，IF(AV)按平均电流降额选型。
示例2：12V直流电源防反接保护，平均电流0.5A选用1N4007（1A/1000V），电流0.5A，0.5/1=0.5，满足降额。
示例3：500kHz开关电源次级整流禁止通用二极管，选用快恢复或肖特基二极管。