15.PWR电源控制

千秋岁rr2026-10-10 16:18

PWR简介

PWR简介

  1. 电源监测 (PVD - 可编程电压监测器)

    • 作用：实时监控VDD电源电压。

    • 触发机制：当电压高于或低于设定的阈值时，会触发中断。

    • 应用场景：用于执行紧急关闭任务，保护系统数据或硬件免受低电压影响（例如掉电检测）。

  2. 电源管理 (低功耗模式)

    • 包含模式：睡眠模式 (Sleep)、停机模式 (Stop)、待机模式 (Standby)。（这三种模式的功耗依次递减）。

    • 应用场景：在系统处于空闲状态时进入这些模式，以极大降低STM32的功耗，常用于电池供电的嵌入式设备以延长续航时间。

电源框图

四大供电区域解析

  1. VDD 供电区域（主供电区域）

  • 连接引脚：VDD / VSS

  • 包含模块：I/O电路、待机电路（唤醒逻辑、独立看门狗IWDG）、电压调节器。

  • 核心作用 ：这是STM32的主要供电来源。图中的电压调节器非常关键，它负责将外部输入的VDD电压（通常为2.0V~3.6V）降压，提供给1.8V的核心域。

  1. 1.8V 供电区域（核心数字域）

  • 连接方式：不直接引出引脚，由上述的"电压调节器"降压供电。

  • 包含模块：CPU核心、存储器（Flash、SRAM）、内置数字外设。

  • 核心作用：这是芯片内部逻辑运行的核心区域，采用1.8V低电压运行以降低功耗。在低功耗模式下，电压调节器可以进入低功耗模式或关闭，从而极大降低整体功耗。

  1. VDDA 供电区域（模拟供电域）

  • 连接引脚：VDDA / VSSA，以及参考电压 VREF+ / VREF-。

  • 包含模块：A/D转换器、温度传感器、复位模块、PLL（锁相环）。

  • 核心作用 ：为对噪声敏感的模拟外设提供独立电源。注意图底部的备注 ：VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。在实际硬件设计中，VDDA通常会通过磁珠或电感与VDD隔离，并加滤波电容，以保证ADC转换精度。

  • 图注说明：VREF-从2.4V起至VDDA，VREF+用于设定ADC的参考电压。

  1. 后备供电区域（备份域）

  • 连接引脚：VBAT

  • 包含模块：LSE 32K晶体振荡器、后备寄存器、RCC BDCR寄存器、RTC（实时时钟）。

  • 核心作用：当主电源VDD掉电时，可以通过VBAT引脚接入纽扣电池（如3V锂电池）继续为这部分供电，保证RTC持续走时，并保存后备寄存器的关键数据不丢失。

  • 低电压检测器：图中显示低电压检测器连接了VDD和后备供电区域，它用于监控VDD电压，当电压低于阈值时触发中断或复位（呼应上一张PPT中提到的PVD功能）。

上电复位和掉电复位（POR+PDR）

这张图片展示了STM32微控制器中**上电复位（POR）和掉电复位（PDR）**的硬件工作机制。

核心概念解析

  1. 上电复位（POR - Power-On Reset）

  • 定义 ：当VDD/VDDA电压从0V开始上升，首次达到一个特定阈值（即图中的POR阈值）时，芯片才会解除复位状态，开始正常运行。

  • 滞后时间（tRSTTEMPO） ：图中标注了从电压到达POR阈值，到Reset信号真正拉高（解除复位）之间，有一段延迟时间tRSTTEMPO。

  • 作用：这段时间是为了让外部电源彻底稳定下来，同时也让芯片内部的振荡器（如HSE、HSI）和电压调节器有足够的时间起振和稳定。如果此时立即解除复位，CPU可能会在电源不稳定或时钟未就绪的情况下跑飞。

  1. 掉电复位（PDR - Power-Down Reset）

  • 定义：当VDD/VDDA电压下降，且跌破PDR阈值时，复位信号（Reset）会立即被拉低（触发复位）。

  • 作用：在电源电压不足以维持CPU和存储器正常工作时，强制芯片进入复位状态，防止内部逻辑出现乱码、数据损坏或Flash写入错误。

  1. 40mV 迟滞（Hysteresis）

  • 现象：图中POR阈值高于PDR阈值，两者相差约40mV。

  • 为什么需要迟滞？

    如果POR和PDR是同一个阈值，当电源电压正好处于临界点且有微小波动（纹波）时，复位信号会频繁地在"复位"和"解除复位"之间疯狂跳动，导致系统崩溃。这40mV的电压差起到了"防抖动"的作用，确保在电压回落时，必须下跌一段明显的距离才会触发复位。

可编程电压监测器（Programmable Voltage Detector）

**可编程电压监测器（PVD）**的电压门限和输出波形图。

  1. PVD阈值与门限

  • 可编程特性：与POR/PDR固定的硬件阈值不同，PVD的阈值（图中水平的虚线）是可以通过软件（配置PWR_CR寄存器的PLS位）进行选择的。

  • 电压上升阶段（左侧） ：当VDD/VDDA电压从0V上升，穿过设定的PVD阈值时，PVD输出信号会发生翻转（图中表现为从低电平跳变到高电平）。

  • 电压下降阶段（右侧） ：当电压从正常值下降，跌破PVD阈值时，PVD输出信号再次翻转（从高电平跳变到低电平）。

  1. 100mV 迟滞（Hysteresis）

  • 图注 ：图中明确标注了上升阈值和下降阈值之间相差 100 mV。

  • 与POR/PDR的区别 ：你上一张图中POR/PDR的迟滞是 40mV ，而PVD的迟滞是 100mV（具体数值以芯片数据手册为准，但通常PVD的迟滞更大）。

  • 作用：同样是为了防抖动。当电压在阈值附近波动时，这100mV的压差能避免PVD输出信号频繁跳动，防止CPU被反复触发中断，从而保证系统稳定。

与PVD（可编程电压监测器）的区别

特性 POR / PDR (本次图示) PVD (可编程电压监测器)
触发阈值 硬件固定，不可修改 软件可编程，可设置多个档位
作用 强制硬复位整个芯片 触发中断（或事件）
应用场景 电源上电和掉电时的安全保护 掉电预警（如紧急保存数据到Flash）、低压检测
两者关系 PVD的监测阈值通常高于PDR阈值。 当PVD中断触发时，系统还有时间做紧急处理，直到电压跌破PDR，发生强制复位。

低功耗模式

三种低功耗模式深度解析

  1. 睡眠模式 (Sleep) ------ 最轻度的"打盹"

  • 进入方式 ：执行 WFI（等待中断）或 WFE（等待事件）指令。

  • 唤醒条件 ：任一中断 （WFI模式）或 唤醒事件（WFE模式）。唤醒速度最快，几乎无延迟。

  • 时钟状态 ：仅关闭CPU时钟 。对1.8V区域的其他外设时钟和ADC时钟无影响。VDD区域的时钟也无影响。

  • 电压调节器 ：开。

  • 底层逻辑：CPU睡觉了，但所有外设（UART、SPI、ADC等）仍在正常运转。适合需要快速响应外部事件，但CPU暂时无事可做的场景。

  1. 停机模式 (Stop) ------ 深度休眠，保留上下文

  • 进入方式 ：配置 SLEEPDEEP 位（内核寄存器）+ PDDS位（选择Stop）+ LPDS位（选择调压器状态），然后执行 WFI 或 WFE。

  • 唤醒条件 ：任一外部中断（需提前在EXTI外部中断寄存器中配置使能）。

  • 时钟状态 ：关闭所有1.8V区域的时钟 （CPU和所有外设时钟停止）。同时关闭VDD区域的 HSI和HSE振荡器。

  • 电压调节器 ：开启或处于低功耗模式 （取决于 PWR_CR 寄存器的 LPDS 位设定）。

  • 底层逻辑 ：系统时钟全停，但1.8V核心域仍有电（SRAM和寄存器数据保留）。唤醒后，程序从进入停机模式的下一条指令继续执行。这是兼顾低功耗和保留运行状态的理想选择。

  1. 待机模式 (Standby) ------ 最极致的省电，近似关机

  • 进入方式 ：配置 SLEEPDEEP 位 + PDDS位（选择Standby），然后执行 WFI 或 WFE。（注意：不需要配置LPDS了）。

  • 唤醒条件：极其苛刻，只有四种方式：

    1. WKUP引脚的上升沿

    2. RTC闹钟事件

    3. NRST引脚上的外部复位

    4. IWDG（独立看门狗）复位

  • 时钟状态：关闭所有1.8V区域时钟，关闭HSI和HSE。

  • 电压调节器 ：关。（对应《电源框图》中1.8V核心域彻底断电）

  • 底层逻辑 ：功耗最低（通常只有微安级）。因为电压调节器关闭，1.8V区域断电，SRAM和寄存器数据全部丢失 。唤醒后，系统相当于经历了一次复位，程序会从头开始执行（从Flash的启动文件开始）。只有后备供电区域（RTC、后备寄存器）还在工作。

模式选择

当你执行 WFI 或 WFE 指令后，STM32会根据寄存器（内核SCR寄存器和PWR_CR寄存器）的不同配置，决定最终进入哪一种低功耗模式。

触发入口

一切低功耗模式的起点，都是CPU执行了 WFI（Wait For Interrupt） 或 WFE（Wait For Event） 指令。

第一层判断：SLEEPDEEP 位（内核系统控制寄存器 SCR）

这决定了系统是进入"普通睡眠"还是"深度睡眠"。

  • SLEEPDEEP = 0 ➡️ 进入【睡眠模式 (Sleep)】

    此时内核停止，但所有外设时钟正常。根据 SLEEPONEXIT 位又分为两种：

    • SLEEPONEXIT = 0 ➡️ 睡眠模式（立刻睡眠） ：

      执行WFI指令后，CPU立即进入睡眠。

    • SLEEPONEXIT = 1 ➡️ 睡眠模式（等待中断退出） ：

      执行WFI指令后，系统不会立即睡眠。如果此时正在执行一个中断服务函数（ISR），会等这个ISR执行完毕并退出时，才进入睡眠。（此模式常用于中断处理完后自动休眠的场景）。

  • SLEEPDEEP = 1 ➡️ 进入【深度睡眠模式（停机/待机）】

    此时内核及大部分外设时钟关闭。

第二层判断：PDDS 位（电源控制寄存器 PWR_CR）

在深度睡眠的前提下，PDDS 决定了是进入停机模式还是待机模式。

  • PDDS = 0 ➡️ 进入【停机模式 (Stop)】

    此时1.8V核心域不断电，SRAM和寄存器数据保留。进一步由 LPDS 决定电压调节器的状态：

    • LPDS = 0 ➡️ 停机模式（电压调节器开启）：功耗略高，但唤醒后系统恢复极快。

    • LPDS = 1 ➡️ 停机模式（电压调节器低功耗）：功耗更低，但唤醒时需要等待电压调节器稳定，唤醒延迟更长。

  • PDDS = 1 ➡️ 进入【待机模式 (Standby)】

    此时电压调节器关断，1.8V核心域断电，SRAM和寄存器数据全部丢失。唤醒后相当于复位重启

睡眠模式

  1. 唤醒机制（"断点续传"）

第一点强调了睡眠模式的一大优势：程序暂停，唤醒后从暂停处继续运行。

  • 这与后面的"待机模式"形成了鲜明对比（待机模式唤醒后等同于复位，程序从头开始）。这意味着在睡眠模式下，所有的变量、堆栈、程序上下文都被完整保留。
  1. SLEEPONEXIT 位的巧妙用法

  • SLEEPONEXIT = 0（立刻睡眠） ：执行WFI指令后，CPU立刻停止工作（进入睡眠）。适合主循环中 while(1){ ... __WFI(); } 的结构。

  • SLEEPONEXIT = 1（退出中断时睡眠） ：CPU执行WFI后，如果当前正在处理中断（比如刚处理完某个突发事件），它会先执行完当前中断，一直退到最低优先级的中断处理完后，才进入睡眠。这种模式特别适合"事件驱动型"程序：平时睡眠，发生中断唤醒处理，处理完中断后自动再次进入睡眠，无需在代码里到处写WFI指令。

  1. I/O 引脚状态保持

进入睡眠模式后，所有的外设时钟依然在运行，I/O引脚的状态保持不变。这意味着：

  • 如果你在睡眠前让某个引脚输出高电平（比如驱动LED），睡眠期间它依然保持高电平。

  • 这非常适合那些需要维持特定硬件状态（如片选信号、外设使能引脚），仅仅是为了等待某个外部输入信号而短暂降低功耗的场景。

4.WFI vs WFE 的本质区别

  • WFI (Wait For Interrupt) ：依靠**中断（Interrupt）**唤醒。这个中断必须是被NVIC（嵌套向量中断控制器）管理的，且优先级要满足条件。中断触发后，CPU会被唤醒，进入中断服务函数（ISR），执行完ISR后继续执行WFI后面的代码。

  • WFE (Wait For Event) ：依靠事件（Event） 唤醒。事件是STM32内部的一种硬件信号机制。发生外部事件时，CPU会被唤醒，但不一定会去执行中断服务函数（取决于中断是否使能）。（注：在STM32中，使用SEVONPEND和EXTI的配置，WFE也可以被中断唤醒，但从原理上，事件机制可以让CPU在没有中断开销的情况下醒来，速度更快，功耗更低）。

停止模式

  1. 依然保持"断点续传"

第一点与睡眠模式一致：SRAM和寄存器内容保留，唤醒后程序从进入停止模式的下一条指令继续执行。这意味着你的全局变量、堆栈状态都不会丢失。

  1. 功耗大幅下降（时钟全停）

第二点是与睡眠模式的核心区别：进入Stop模式后，1.8V核心域的所有时钟都被停止，PLL、HSI和HSE都被关闭。

  • 睡眠模式只是CPU睡觉，外设还在跑（mA级功耗）。

  • 停止模式是系统时钟全停，仅保留内部低速时钟（LSI/LSE）给IWDG或RTC。功耗通常会降到微安（μA）级别。

  1. IO引脚状态保持

与睡眠模式一样，Stop模式下IO引脚依然保持进入前的状态（不会变成高阻态）。这一点在控制外部硬件（如保持某个片选信号拉低）时非常有用。

  1. 极重要考点：唤醒后系统时钟变为HSI

幻灯片中明确提到："当一个中断或唤醒事件导致退出停止模式时，HSI被选为系统时钟"。

  • 实战现象：很多初学者从Stop模式唤醒后，发现串口乱码、定时器不准、程序跑得慢。这是因为唤醒后，硬件默认将系统时钟切回了内部的HSI（通常为8MHz或16MHz），而你原本依赖的HSE（外部晶振）和PLL倍频配置已经丢失。

  • 解决办法 ：唤醒后，必须在代码的最前端（比如中断服务函数退出前或主循环开头）重新调用系统时钟配置函数（如 SystemInit() 或手动配置RCC），等待HSE稳定并重新使能PLL。

  1. 唤醒延时（LPDS的作用）

结合之前的配置图，如果 LPDS=1（电压调节器处于低功耗模式），主调压器需要从低功耗状态唤醒，电压爬升需要时间。因此，系统退出Stop模式时会有额外的启动延时（通常几十微秒）。

  • 如果项目对唤醒响应时间要求极其苛刻（比如需要极速响应外部脉冲），必须将 LPDS 设为 0（调压器保持开启），牺牲一点点功耗换取极速唤醒。
  1. 唤醒源：只能靠 EXTI

与睡眠模式的"任意NVIC中断唤醒"不同，Stop模式的唤醒源被严格限制在 EXTI（外部中断/事件控制器）。

  • 这意味着在进入Stop模式前，你必须把唤醒源（如按键引脚、RTC闹钟、UART RX引脚）配置为外部中断模式，并使能对应的EXTI线。

  • WFI 对应 EXTI中断，WFE 对应 EXTI事件。

待机模式

  1. 唤醒即复位（程序从头开始）

这与睡眠和停止模式截然不同。因为唤醒后相当于执行了一次系统复位，程序会回到 main 函数的起点，重新初始化所有外设。所以，如果进入待机前有未保存的数据，它们将永久丢失。

  1. 彻底断电与数据丢失

结合之前的《电源框图》，待机模式下电压调节器关闭，1.8V核心域完全掉电。

  • SRAM和普通寄存器：内容丢失。

  • 备份区域（VBAT域） ：RTC、LSE、后备寄存器、待机电路维持供电。如果你外接了纽扣电池到 VBAT 引脚，RTC时间依然会走。

  1. I/O引脚变为高阻态

睡眠和停止模式下，I/O保持原状态；但在待机模式下，I/O变成了高阻态（浮空输入）。

  • 实战避坑 ：如果外部电路有上拉电阻或控制着某个关键使能引脚（如电机驱动器的使能），进入待机后，这个引脚由于高阻态，电压可能变得不确定，导致外部硬件误动作或产生漏电流。在进入待机前，务必在软件中将关键IO配置为安全的上下拉状态，或者加外部下拉电阻。
  1. 苛刻的唤醒条件

待机模式只能通过以下四种方式唤醒：

  • WKUP引脚的上升沿（通常是PA0，需提前配置）。

  • RTC闹钟事件（常用于定时唤醒）。

  • NRST引脚外部复位（按下复位键）。

  • IWDG独立看门狗复位（看门狗溢出）。

三模式功耗对比

特性 睡眠模式 (Sleep) 停止模式 (Stop) 待机模式 (Standby)
功耗 mA级 μA级 亚μA级（最低）
1.8V核心域 供电 供电 断电
电压调节器 开启 开启或低功耗 关闭
SRAM/寄存器 保留 保留 丢失
I/O引脚状态 保持 保持 高阻态（浮空）
唤醒源 任意NVIC中断 仅EXTI中断/事件 WKUP、RTC、NRST、IWDG
唤醒后程序 继续执行 继续执行 从头开始（复位）
典型唤醒时间 极快 较快 较慢（类似重新上电）

示例：

修改主频

在这里修改，用是否注释就可以了

cpp 复制代码 
#include "stm32f10x.h"
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"

int main(void)
{
    OLED_Init();
	 OLED_ShowString(1, 1, "SYSCLK:");
	 OLED_ShowNum(1, 8, SystemCoreClock, 8);


	 while(1)
	 {
		OLED_ShowString(2, 1, "Running");
		Delay_ms(500);
		 
		OLED_ShowString(2, 1, "       ");		 
		Delay_ms(500);	 	 
	 }
	 
	 return 0;
 }

串口发送+睡眠模式

芯片平时处于睡眠状态，只有发送数据时期才runing闪烁

cpp 复制代码 
#include "stm32f10x.h"
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"
#include "Serial.h"
#include "stdio.h"
int main(void)
{
    OLED_Init();
	SerialInit();
	NVIC_PriorityGroupConfig( NVIC_PriorityGroup_0);
   uint16_t data;
    while (1)
    {
//		if (USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_RXNE) == SET)
//		 {
//			 data = USART_ReceiveData(USART1);
//			 
//			 OLED_ShowHexNum(1, 1, data, 2);
//			 SendByte(data); 
//		 }轮循式接收
	
		if(GetRxDataWithCheck(&data)==1)
		{
			OLED_ShowHexNum(1,1,data,4);
		     SendByte(data);
		
		}
		OLED_ShowString(2, 1, "Running");
		Delay_ms(100);
		 
		OLED_ShowString(2, 1, "       ");		 
		Delay_ms(100);	
		
		
		//进入睡眠模式
		__WFI();
		
		
		
		

    }
}

对射红外传感器+停止模式

cpp 复制代码 
#include "stm32f10x.h"

#include "delay.h"
#include "oled.h"
#include "CountSensor.h"

 int main(void)
 {		 
	//初始化
	OLED_Init();
	 
	 //开启PWR时钟
	 RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);

	 OLED_ShowString(1, 1, "Count:");
	 
	 NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);

	 
	count_sensor_init();

	 

	while(1)
	{
	 
		OLED_ShowNum(1 , 7, CountSensor_Get(), 5);
		
		OLED_ShowString(2, 1, "Running");
		delay_ms(100);
		 
		OLED_ShowString(2, 1, "       ");		 
		delay_ms(100);	
		
		//进入停止模式
		PWR_EnterSTOPMode(PWR_Regulator_ON, PWR_STOPEntry_WFI);
		
		//系统重新初始化
		SystemInit();
	}
	 
	 return 0;
 }

平时 MCU 在 STOP 停止模式，OLED 定格不刷新，第二行空白；每次红外触发或按键按下时唤醒一次，更新 Count，并让 "Running" 闪一下，然后再次进入睡眠。：

  1. 上电初始化后

  • OLED 第一行显示 Count: 和计数值，按常见 OLED_ShowNum 写法可能是 Count:00000。

  • 第二行先显示 Running，约 100ms 后清空，再延时 100ms。

  • 然后执行：

    PWR_EnterSTOPMode(PWR_Regulator_ON, PWR_STOPEntry_WFI);

    进入停止模式。

  • 此时 MCU 停止运行，OLED 保持最后显示内容：第一行是当前 Count，第二行是空白。

  • 所以睡眠期间不会看到 Running 持续闪烁，屏幕基本静止。

  1. 对射红外传感器触发一次

  • 如果红外传感器接到 EXTI 外部中断，并且中断使能，会作为唤醒源把 MCU 从 STOP 模式唤醒。

  • 中断服务函数里执行 Count++。

  • 唤醒后继续执行 PWR_EnterSTOPMode 后面的 SystemInit()，然后回到 while(1) 开头。

  • OLED 第一行更新为新的 Count，例如 Count:00001。

  • 第二行 Running 显示 100ms，然后清空 100ms。

  • 再次进入 STOP 模式。

现象就是：每触发一次红外，Count 加 1，屏幕更新一次，同时第二行 "Running" 闪一下，然后继续睡眠。

  1. 按键按下

  • 如果按键也配置为 EXTI 中断并能唤醒 STOP 模式：

    • 按键中断里把 Count 清 0。

    • MCU 唤醒后 OLED 显示 Count:00000。

    • 第二行 Running 闪一下。

    • 再次进入 STOP 模式。

现象就是：按键按下后 Count 清零，屏幕更新为 0，Running 闪一下，然后继续睡眠。

  1. 没有触发时

  • MCU 一直停在 STOP 模式。

  • OLED 保持最后画面，第二行是空白。

  • 不会周期性刷新，也不会一直闪 Running。

实时时钟+睡眠模式

cpp 复制代码 
#include "stm32f10x.h"
#include "Delay.h"
#include "Oled.h"

#include "RTC.h"

 int main(void)
 {	
	 uint32_t alarm = 0;
	 
	 //初始化
	 OLED_Init();
	 
	
	 
	 rtc_init();
 
	 //开启PWR时钟
	 RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);

	 OLED_ShowString(1, 1, "CNT: ");
	 OLED_ShowString(2, 1, "ALR: ");
	 OLED_ShowString(3, 1, "ALRF: ");
	 
	 PWR_WakeUpPinCmd(ENABLE);
	 
	 alarm = RTC_GetCounter() + 10;
	 RTC_SetAlarm(alarm);
	 OLED_ShowNum(2, 6, alarm, 10);
		 
	 while(1)
	 {	 			
		OLED_ShowNum(1, 6, RTC_GetCounter(), 10);	//显示32位的秒计数器		
		OLED_ShowNum(3, 6, RTC_GetFlagStatus(RTC_FLAG_ALR), 1);
		 
		OLED_ShowString(4, 1, "Running");
		Delay_ms(100);
		 
		OLED_ShowString(4, 1, "       ");		 
		Delay_ms(1000);	 
		 
		OLED_ShowString(4, 9, "STANDBY");
		Delay_ms(100);
		 
		OLED_ShowString(4, 9, "       ");		 
		Delay_ms(100);	 
		 
		 OLED_Clear();

		PWR_EnterSTANDBYMode();
	 }
	 
	 return 0;
 }

  • 每次上电或唤醒后，屏幕会快速显示一下 Running 和 STANDBY，然后黑屏进入待机。

  • 每隔 10 秒（或按下 WKUP 键）屏幕会再次闪烁一下，然后继续待机。

  • 由于每次唤醒都重新设置闹钟为当前时间 +10 秒，所以表现为周期性唤醒（约 10 秒一次）

相关推荐
额额额对了1 小时前
嵌入式 Linux 启动程序文件
开发语言·嵌入式硬件·php
甜甜的大香瓜1 小时前
【MT32F006】MT32F006之PWM控制背光灯（白光）
单片机
李日华大战鸡红1 小时前
FOC SVPWM过调制(学习记录)
stm32·单片机·学习
独孤九剑打醒他2 小时前
【原创开源·修订版】源-栅-漏-栅-源横向双栅MOS：从“被误解的短路”到“电流路径多值逻辑与顶层供电架构”
前端·嵌入式硬件·架构·开源·硬件工程
千里马022 小时前
STM32读取AD7606-4（HAL库）
stm32·单片机·嵌入式硬件
weixin_464078072 小时前
电路中补偿器的作用
嵌入式硬件
不会代码的小猴4 小时前
中断（NVIC）
单片机·嵌入式硬件
糖糖单片机设计4 小时前
基于STM32的空气污染检测与报警系统设计与实现
stm32·单片机·嵌入式硬件
热门推荐
01如何新建文件夹？ 电脑新建文件夹的4种方法02历年考研数学一、数学二、数学三真题试卷及答案PDF03国内可直接用、免费额度/永久免费的大模型API清单（含 SiliconFlow、火山、阿里、智谱、百度、Kimi、DeepSeek、DMXAPI 等）04GitHub 镜像站点05蜘蛛磁力 搜索引擎大全，如何使用蜘蛛磁力查找磁力链接06轻量化AI渗透武器库｜ARTEX自主攻防系统、资产梳理、漏洞挖掘、链路分析全流程智能化落地07Windows 10/11 如何退出微软账户并改用本地账户登录（含找不到选项的解决方法）08Telegram APK 下载安装完整指南 — 2026年最新09微信历史版本含下载地址（ Windows PC | 安卓 | MAC ）及设置微信不更新10「全语录+省流版」邵艾伦 × 孙宇晨：聊风口、聊个人IP、聊年轻人如何抓住 AI 时代的机会