20W~200W副边反馈SSR隔离方案中的主控芯片HN1562 是SOT23-6 电流模式 PWM，专门适配驱动 SiC MOS；SSR 架构 = 副边 TL431 + 光耦采样输出，反馈传回原边 HN1562 FB 脚，CV 精度 ±1%，比 PSR 原边反馈稳压、负载瞬态更好，适合充电器、工业隔离电源、电池适配器，20W~200W 全功率覆盖。
外挂MOS/SSR隔离方案选型(含光耦817，431）
1，恒压恒流，可以应用适配器，LED灯
输出规格:20W~25W ： HN1562+HN800M65D（外挂MOS管）
输出规格:26W~36W：HN1562+HN500M65D（外挂MOS管）
输出规格36W~45W： HN1562+HN380M65D（外挂MOS管）
输出规格46W~75W： HN1562+HN260M65D（外挂MOS管）
输出规格76W~150W： HN1562+HN180M65F（外挂MOS管）HN36228V（同步整流）
输出规格150W~200W：HN1562 +HN36228V（同步整流）
HN800M65D/HN500M65D/HN380M65D/HN260M65D/HN180M65F 为碳化硅SIC N 沟道MOS管：
HN800M65D 800V 4A TO-252 SIC 碳化硅 N沟道 MOSFET
HN500M65D 800V 7A TO-252 SIC 碳化硅 N沟道 MOSFET
HN380M65D 800V 11A TO-252 SIC 碳化硅 N沟道 MOSFET
HN380M65F 800V 11A TO-220F SIC 碳化硅 N沟道 MOSFET
HN180M65F 800V 15A TO-220F SIC 碳化硅 N沟道 MOSFET
HN280M65F 800V 13A TO-220F SIC 碳化硅 N沟道 MOSFET
**SiC 优势：**开关损耗远低于硅 MOS，130kHz 下温升低、功率密度高；结温 175℃，密闭外壳散热压力更小；反向恢复几乎为零，尖峰与 EMI 更容易处理。
HN1562详情：
HN1562是一款适用于离线反激式转换器的高性能电流模式PWM控制器，适用于驱动SiC功率MOS。芯片内置原边恒流控制技术，可简化恒流输出的隔离电源设计。
HN1562具有多种工作模式。当负载很轻时，以间歇模式运行，最大限度地减少待机功耗，实现低于75mW的待机功率;低负载和中等负载时，工作在绿色降频模式;满载时，工作在固定频率模式(130KHz)。这些不同工作模式使得整个负载范围均保持较高的效率。
HN1562设计有基于自恢复的丰富保护功能，这些功能包括欠压锁定(UVLO)、VDD过压保护、逐周期电流限制、负载短路保护(SLP)、过载保护(OLP)、过温保护(OTP)、CS脚开路保护等。
HN1562特征
可支持断续模式(DCM)和连续模式(CCM)的原边恒流技术
±5%恒流(CC)精度，+1%恒压(CV)精度:
适用于驱动SiC功率MOS
快速动态响应
恒流补偿技术
低于75mw 的待机功耗
极低的启动电流和工作电流
绿色节能模式和间歇工作模式
固定130kHZ开关频率(无频抖)
内置前沿消隐
内置斜率补偿
VDD欠压锁定(UVLO)
VDD过压保护
逐周期电流限制
过载保护(OLP)
过温保护(OTP)
CS脚开路保护
典型应用原理图：
