目录
[1. 基本认识](#1. 基本认识)
[2. 引脚介绍](#2. 引脚介绍)
[1. SPI模式](#1. SPI模式)
[2. 双输出SPI方式](#2. 双输出SPI方式)
[1. BUSY位](#1. BUSY位)
[2. WEL位](#2. WEL位)
[3. BP2、BP1、 BP0位](#3. BP2、BP1、 BP0位)
[4. TB位](#4. TB位)
[5. 保留位](#5. 保留位)
[6. SRP位](#6. SRP位)
[1. 写使能指令（06h）](#1. 写使能指令（06h）)
[2. 写禁止指令（04h）](#2. 写禁止指令（04h）)
[3. 读状态寄存器指令（05h）](#3. 读状态寄存器指令（05h）)
[4. 写状态寄存器指令（01h）](#4. 写状态寄存器指令（01h）)
[5. 读数据指令（03h）](#5. 读数据指令（03h）)
一、初识W25Q64
1. 基本认识
W25Q64是华邦公司推出的大容量 基于SPI通信 的FLASH 产品 ，工作电压为 2.7~3.6V，存储容量为 64Mb（8MB），擦写周期可达 10万次，数据保存时间可达 20年。 W25Q64系列 Flash存储器与 普通串行Flash存储器 相比，其使用 更灵活、性能更出色，非常 适合用于存储声音、文本和数据。
W25Q64 有 ++32768个 可编程页，每页 256字节。++
使用 页编程指令 就可以 每次编程 256字节。
使用 扇区擦除指令 可以 每次擦除 256字节。
使用 块擦除指令 可以 每次擦除 256 页。
使用 整片擦除指令 可以 擦除整个 芯片。
W25Q64 共有 2048个可擦除扇区（一个大小 4096） 或 128个 可擦除块。
2. 引脚介绍
W25Q16、 W25Q32 和 W25Q64 支持**++标准的 SPl接口，传输速率最大 75 MHz，采用四线制，即4个引脚。++**
① 串行 时钟引脚 （CLK）
② 芯片 选择引脚 （CS）
③ 串行数据 输出引脚（DO）
④ 串行数据 输入 / 输出引脚（DIO）：在普通情况下，该引脚是 串行输入引脚（DI） ，当使用 快读双输出 指令时，该 引脚就变成了 输出引脚，在 这种情况下，芯片就有 2个 DO引脚 ，所以称为 双输出，其 通信速率 相当于翻了 一番，所以 传输速率更快。
二、W25Q64特性
1. SPI模式
W25Q16 / 32 / 64支持通过 四线制SPl总线方式访问 ，支持 两种 SPI通信方式 ，即模式 0 和模式 3都支持。
模式 0 和 模式 3 的主要区别 是：当主机的SPl接口处于空闲或者没有数据传输时 ，CLK的电平 是 高电平还是 低电平。对于模式 0，CLK的电平为 低电平；对于模式 3，CLK的电平为 高电平。在 ++两种模式下芯片都是在 CLK的上升沿 采集输入数据，下降沿 输出数据。++
2. 双输出SPI方式
W25Q16 / 32 / 64 支持 SPI 双输出方式 ，但需要使用 快读双输出指令（Fast Read Dual Output） ，这时通信速率相当于标准 SPI 的 2倍。这个命令非常适合在 ++需要一上电就快速下载代码到内存中的情况 或者 需要缓存代码段到内存中运行的情况。++ 在使用快读双输出指令后，DI 引脚变为 输出引脚。
3.保持功能
芯片处于使能状态（CS=0）时，把 HOLD引脚拉低可以 使芯片暂停工作 ，适用于**++芯片和其他器件 共享主机 SPI 接口的情况。++**
例如：当 主机接收到一个更高优先级的中断时 就会抢占主机的 SPl接口，而这时芯片的页缓存区（Page Buffer） 还有一部分 没有写完，在这种情况下，保持功能可以保存好 页缓存区的数据，等中断释放 SPI 口时，再继续完成刚才 没有写完的工作。
使用保持功能，CS引脚必须为低电平 。在 HOLD引脚出现下降沿 以后，如果CLK引脚为低电平，将 开启保持功能 ；如果 CLK引脚为高电平，保持功能在 CLK引脚的下一个 下降沿开始 。在 HOLD引脚 出现上升沿 以后，如果 CLK引脚为低电平，保持功能将结束 ；如果 CLK引脚为高电平，在 CLK引脚的下一个下降沿保持功能将结束。
在 保持功能起作用期间，DO引脚 处于 高阻抗状态 ，DI引脚 和 DO引脚上的信号将被忽略 ，而且在此期间，CS引脚 也必须 保持低电平，如果在此期间 CS引脚电平 被拉高，芯片内部的 逻辑将会被重置。
三、状态寄存器
1. BUSY位
忙位 ，是只读位 ，位于状态寄存器中的S0。当执行页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除、写状态寄存器等指令 时，该位将自动置 1。此时，除了读状态寄存器指令，其他指令都忽略；当页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写状态寄存器等指令执行完毕之后，该位将自动清 0，表示芯片可以接收其他指令了。
2. WEL位
写保护位 ，是只读位 ，位于状态寄存器中的S1。执行完写使能指令 后，该位将置 1。当芯片处于写保护状态下，该位为 0。
在下面两种情况下，会进入 写保护状态：掉电后执行指令写禁止、页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除，以及 写状态寄存器。
3. BP2、BP1、 BP0位
块保护位 ，是可读可写位 ，分别位于状态寄存器的S4、S3、S2，可以**++用 写状态寄存器指令置位 这些块保护位。++**
在默认状态下，这些位都为 0，即 块处于 未保护状态下 。可以设置块为**++没有保护、部分保护或者全部保护等状态。++**
当 SPR位为 1 或 /P引脚 为低电平时，这些位 不可以被更改。
4. TB位
底部和顶部块的保护位 ，是可读可写位 ，位于状态寄存器的 S5。该位默认为 0，表明顶部和底部块 处于未被保护状态下 ，可以用 写状态寄存器指令置位该位。当 SPR位为 1 或 /WP引脚 为低电平时，这些位不可以被更改。
5. 保留位
位于状态寄存器的 S6，读取状态寄存器值时，该位为 0。
6. SRP位
状态寄存器保护位 ，是可读可写位 ，位于状态寄存器的 S7。该位结合 /P引脚 可以禁止写状态寄存器功能。
该位默认值为0。当SRP=0时，/WP引脚 不能控制状态寄存器的写禁止 ；当 SRP=1 且 /P=0时，写状态寄存器指令失效 ；当SRP=1 且 /P=1 时，可以执行写状态寄存器指令。
四、常用操作指令
1. 写使能指令（06h）
该指令会使 状态寄存器WEL位置位。在执行每个页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写状态寄存器等指令之前，都要先置位 WEL 。/CS引脚 先拉低为低电平后，写使能指令代码 06h 从 DI引脚输入，在 CLK上升沿采集，然后将 /CS引脚 拉高为高电平。
2. 写禁止指令（04h）
该指令将会使 WEL位 变为0。/CS引脚 拉低为低电平 后，再把 04h 从 DI引脚 输入到芯片，将 /CS引脚 拉高为高电平后，就可完成这个指令。
在执行完 写状态寄存器、页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除等指令 之后，WEL位就会自动变为 0。
3. 读状态寄存器指令（05h）
当 /CS引脚 拉低为低电平 后，开始把 05h 从 DI引脚 输入到芯片 ，在 CLK的上升沿 时数据被芯片采集 ，当芯片采集到的数据为 05h 时，芯片就会把 状态寄存器的值从 DO引脚输出，数据在CLK的下降沿输出 ，高位在前。
读状态寄存器指令 在任何时候都可以用，甚至在 编程、擦除 和 写状态寄存器的过程中也可以用，这样就可以 ++根据状态寄存器的 BUSY位 判断编程、擦除和写状态寄存器周期有没有结束，从而知道芯片 是否可以接收 下一条指令了。++
如果 /CS引脚 没有被拉高为高电平 ，状态寄存器的值将一直从DO引脚输出 。/CS引脚拉高为高电平后，读状态寄存器指令结束。
4. 写状态寄存器指令（01h）
在执行 写状态寄存器指令之前，需要 先执行写使能指令 。先将 /CS引脚 拉低为低电平后，然后把 01h 从 DI引脚 输入到芯片，接着把 想要设置的状态寄存器值通过 DI引脚 输入到芯片，/CS引脚拉高为高电平时，写状态寄存器指令结束。如果此时没有把 /CS 引脚 拉高为高电平 或者 拉得晚了 ，值将不会被写入，指令无效。
只有 状态寄存器中的 SRP、TB、BP2、BP1、BP0 位可以被写入 ，其他只读位的值不会变 。在该指令执行的过程中，状态寄存器中的 BUSY位为 1，这时可以用 读状态寄存器指令读出 状态寄存器的值并进行判断 。当 写寄存器指令 执行完毕时，BUSY 位将自动变为 0，WEL位 也自动变为 0。
通过对 TB、 BP2、 BP1、 BP0 等位写 1，就可以 ++实现将芯片的部分或全部存储区域设置为只读。++ 通过对SRP位写 1，再把 /WP引脚 拉低为低电平，就可以 ++实现禁止写入 状态寄存器的功能。++
5. 读数据指令（03h）
该指令 ++允许读出一个字节或一个以上的字节++ 。先把 /CS引脚 拉低为低电平，然后把 03h 通过DI引脚 写入芯片，再送入 24位的地址 ，这些数据将在 CLK 的上升沿被芯片采集。
芯片接收完 24位地址 之后，就会把相应地址的数据在 CLK引脚的下降沿 从 DO引脚 发送出去，高位在前。当发送完这个地址的数据之后，地址将自动增加 ，然后通过 DO引脚把 下一个地址的数据发送出去 ，从而形成一个 数据流 。也就是说，++只要时钟在工作，通过 一条读指令，就可以把 整个芯片存储区的数据读出来。++
把 /CS引脚 拉高为高电平时，读数据指令将结束 。++当芯片在 执行页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和读状态寄存器指令的周期内，读数据指令不起作用。++
代码后期补充。