【机器学习智能硬件开发全解】(二)—— 政安晨:嵌入式系统基本素养【处理器原理】

嵌入式系统的基本素养包括以下几个方面

  1. 硬件知识:嵌入式系统通常由硬件和软件组成,了解和熟悉硬件的基本知识,包括微处理器、存储器、外设等,并了解它们的工作原理和特性。

  2. 软件编程 :熟悉至少一种编程语言,如C/C++,并具备良好的编程能力。嵌入式系统通常需要编写底层驱动程序、中间件和应用程序等,具备嵌入式软件开发经验和技能。

  3. 系统设计能力:了解嵌入式系统的整体架构和设计原理,能够根据需求和约束进行系统设计,并能够对系统进行性能优化和资源管理。

  4. 实时系统知识:嵌入式系统通常需要实时响应和处理数据,因此了解实时系统的基本概念和原理,掌握实时任务调度算法和实时性分析方法等是必要的。

  5. 通信协议和接口:掌握常用的通信协议和接口标准,如UART、SPI、I2C、CAN、Ethernet等,并能够进行数据传输和通信。

  6. 调试和故障排除能力:嵌入式系统常常会遇到各种问题和故障,因此要具备良好的调试和故障排除能力,善于使用各种工具和仪器进行调试和分析。

  7. 学习和研究能力:嵌入式系统技术发展迅速,新的硬件和软件技术不断涌现,掌握学习和研究的方法,能够持续学习和跟进最新的嵌入式技术是非常重要的。

总之嵌入式系统的基本素养要包括硬件知识、软件编程、系统设计、实时系统、通信协议和接口、调试和故障排除能力以及学习和研究能力等方面的知识和技能。


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收录专栏: 机器学习智能硬件开发全解

希望政安晨的博客能够对您有所裨益,如有不足之处,欢迎在评论区提出指正!



技术体系结构

嵌入式开发很大一部分工作跟底层紧密相关,如系统移植、BSP开发、驱动开发等,和芯片、硬件、以及算法、中间件、系统打交道的地方都比较多。

要想成为一名真正的嵌入式工程师,除了要精通C语言编程,还要对计算机原理和系统结构、CPU工作原理、相关编程语言、硬件电路、通信协议、操作系统、验证测试等相关知识和理论有一定的掌握。

在这篇文章中,咱们重点掌握处理器工作原理,因为CPU在处理器中比较典型,嵌入式系统中MCU本质上也是通用CPU处理器的简化版,咱们接下来可以用CPU为例,重点理解。

掌握这类技术体系结构的好处如下

掌握了CPU的工作原理 ,可以更好地理解指令到底是如何执行的;

掌握计算机的工作原理和系统结构 ,可以更好地理解程序的编译、链接、安装和运行机制;

掌握一门汇编语言,可以从底层的角度去看C语言 ,可以帮助我们更好地理解C语言。我们编写的C程序,最终都会转换成CPU所支持的二进制指令,而汇编语言又是这些指令集的助记符,通过反汇编代码,我们可以更加深刻地理解编译器的特性和C语言的语法。

如果你在芯片原厂从事嵌入式研发工作,可能还要和一帮IC工程师、硬件工程师打交道,和他们一起解决芯片、硬件电路中的各种问题。为了更好地和他们沟通,你可能还需要对半导体知识、IC行业的专业术语有一定的了解,如逻辑综合、前端设计、后端设计、仿真验证等。

本着直达本质的探究精神,咱们这篇文章打算从半导体工艺开始,给大家科普一下CPU的制造过程,科普一下一款处理器是如何从一堆沙子变成市场上销售的芯片的,以及CPU的工作原理和计算机体系结构的相关知识。

希望通过咱们这篇文章的学习,让大家对半导体工艺、芯片、CPU、指令集、微架构、计算机系统架构、总线与地址等有一个完整的认知框架,为后续的学习打下基础。


处理器是怎样诞生的

处理器是一类芯片,芯片属于半导体,半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质,元素周期表中硅、锗、硒、硼的单质都属于半导体。

这些单质通过掺杂其他元素生成的一些化合物,也属于半导体的范畴。

这些化合物在常温下可激发载流子的能力大增,导电能力大大增强,弥补了单质的一些缺点,因此在半导体行业中广泛应用,如氮化硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓等。

在这些半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用,充当着集成电路的原材料

在自然界中,硅是含量第二丰富的元素,如沙子,就含有大量的二氧化硅。

可以说制造芯片的原材料是极其丰富、取之不尽的

一堆沙子,可以和水泥做搭档,沉寂于一座座高楼大厦、公路桥梁之中;

也可以在高温中凤凰涅槃、浴火重生,变成集成电路高科技产品。到底要经过怎样奇妙的变化,才能让一堆沙子变成一颗颗芯片呢?

从沙子到单晶硅

如何从沙子中提取单晶硅呢? 沙子的主要成分是二氧化硅,这就涉及一系列化学反应了,其中最主要的过程就是使用碳经过化学反应将二氧化硅还原成硅。

经过还原反应生成的硅叫粗硅,粗硅里面包含很多杂质,如铁、碳元素,还达不到制造芯片需要的纯度(需要99.999999999%以上)标准,需要进一步提纯。提纯也需要一系列化学反应,如通过盐酸氯化、蒸馏等步骤。提取的硅纯度越高,质量也就越高。

经过一系列化学反应、提纯后生成的硅是多晶硅。将生成的多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒。

如下图所示:

为了增强硅的导电性能,一般会在多晶硅中掺杂一些硼元素或磷元素,待多晶硅融化后,在溶液中加入硅晶体晶种,同时通过拉杆不停旋转上拉,就可以拉出圆柱形的单晶硅棒。根据不同的需求和工艺,单晶硅棒可以做成不同的尺寸,如常见的6寸、8寸、12寸等。

接下来,将这些单晶硅棒像切黄瓜一样,切成一片一片的,每一片我们称为晶圆(wafer)。晶圆****是设计集成电路的载体,我们设计的模拟电路或数字电路,最终都要在晶圆上实现

晶圆上的芯片电路尺寸随着半导体工艺的发展也变得越来越小,目前已经达到了纳米级,越来越精密的半导体工艺除了要求单晶硅的纯度极高,晶圆的表面也必须光滑平整,切好的晶圆还需要进一步打磨抛光。

晶圆表面需要光滑平整到什么程度呢?

打个比方,假如需要从北京到上海铺设一段铁轨,对铁轨的要求就是两者之间的高度差不超过1mm。一粒灰尘落在晶圆上,就好像一块大石头落在马路上一样,会对芯片的良品率产生很大的影响,所以大家会看到芯片的生产车间对空气的洁净度要求非常高,员工必须穿着防尘服才能进入。 在每一个晶圆上,都可以实现成千上万个芯片电路,如下图所示

晶圆上的每一个小格子都是一个芯片电路的物理实现,我们称之为晶粒(Die)。

接下来还要对晶圆上的这些芯片电路进行切割、封装、引出管脚,然后就变成了市场上常见的芯片产品,最后才能焊接到我们的电路板上,做成整机产品,如下图所示:

在一个晶圆上是如何实现电路的呢?将晶圆拿到显微镜下观察,你会发现,在晶圆的表面上全是纵横交错的3D电路,犹如一座巨大的迷宫,如下图所示:

要想弄明白在晶圆上是如何实现我们设计的电路的,就需要先了解一下电子电路和半导体工艺的知识:

电路一般由大量的三极管、二极管、CMOS管、电阻、电容、电感、导线等组成,我们搞懂了一个CMOS元器件在晶圆上是如何实现的,基本上也就搞懂了整个电路在晶圆硅片上是如何实现的。

这些电子元器件的实现原理,其实就是PN结的实现原理。

PN结是构成二极管、三极管、CMOS管等半导体元器件的基础

PN结的工作原理

想要了解PN结的导电原理,还得从金属的导电原理说起。

一个原子由质子、中子和核外电子组成。中子不带电,质子带正电,核外电子带负电,整个原子显中性。根据电子的能级分布,一个原子的最外层电子数为8时最稳定。如钠原子,核外电子层分布为2---8---1,最外层1个电子,能量最大、受原子核的约束力小,所以最不稳定,受到激发容易发生跃迁,脱离钠原子,成为自由移动的电子。这些自由移动的电子在电场的作用下,会发生定向移动形成电流,这就是金属导电的原理。很多金属原子的最外层电子数小于4,容易丢失电子,称为自由移动的电子,所以金属容易导电,是导体。而对于氯原子,最外层有7个电子,倾向于从别处捕获一个电子,形成最外层8个电子的稳定结构,氯原子因为不能产生自由移动的电子,所以不能导电,是绝缘体。

半导体元素,一般最外层有4个电子,情况就变得比较特殊 :这些原子之间往往通过"共享电子"的模式存在,多个原子之间分别共享其最外层的电子,通过共价键形成最外层8个电子的稳定结构,如下图所示(硅原子之间的共价键):

这种稳定也不是绝对的,当这些电子受到能量激发时,如下图所示,也会有一部分发生跃迁,成为自由移动的电子,同时在共价键中留下同等数量的空穴。

(自由电子和空穴的产生)

这些自由移动的电子虽然非常少,但是在电场的作用下,也会发生定向移动,形成电流。电子的移动产生了空穴,临近的电子也很容易跳过去填补这个空穴,产生一个新的空穴,造成空穴的移动。空穴带正电荷,空穴的移动和自由电子的移动一样,也会产生电流。

金属靠自由电子的移动产生电流导电,而半导体则有两种载流子:自由电子和空穴。但是由于硅原子比较稳定,只能生成极少数的自由电子和空穴,这就决定了硅无法像金属那样导电,但也不像绝缘体那样一点也不导电,因此我们称之为半导体。正是由于硅的这种特性,才有了半导体的飞速发展。

既然半导体内自由电子和空穴浓度很小,导电能力弱,那我们能不能想办法增加这两种载流子的浓度呢?载流子的浓度上去了,导电能力不就增强了吗?只要有利润空间,办法总是有的,那就是掺杂。我们可以在一块半导体两边分别掺入两种不同的元素一边掺入三价元素,如硼、铝等另一边掺入五价元素,如磷

硼原子的电子分布为2---3,最外层有3个电子。如下图所示,在和硅原子的最外层4个电子生成共价键时,由于缺少一个电子,于是从临近的硅原子中夺取一个电子,因而产生一个空穴位。每掺杂一个硼原子,就会产生一个空穴位,这种掺杂三价元素的半导体增加了空穴的浓度,我们一般称之为空穴型半导体,或称P型半导体。

掺杂硼元素的P型半导体

磷原子的最外层有5个电子,如下图所示,在和硅原子的最外层4个电子生成共价键时,还多出来一个电子,成为自由移动的电子。每掺杂一个磷原子,就会产生一个自由移动的电子。这种掺杂五价元素的半导体增加了自由电子的浓度,我们一般称之为电子型半导体,或称N型半导体。

掺杂磷元素的N型半导体

我们在一块半导体的两边分别掺入不同的元素,使之成为不同的半导体,如下图所示,一边为P型,一边为N型。在两者的交汇处,就会形成一个特殊的界面,我们称之为PN结。理解了PN结的工作原理,也就理解了半导体器件的核心工作原理。接下来我们就看看PN结到底有什么名堂。

PN结两边的自由电子、空穴分布

掺杂不同元素的半导体两边由于空穴和自由电子的浓度不同,因此在边界处会发生相互扩散:空穴和自由电子会分别越过边界,扩散到对方区域,并与对方区域里的自由电子、空穴在边界附近互相中和掉。如下图所示,P区边界处的空穴被扩散过来的自由电子中和掉后,剩下的都是不能自由移动的负离子,而在N区边界处留下的则是正离子。这些带电的正、负离子由于不能移动,就会在边界附近形成了耗尽层,同时会在这个区域内生成一个内建电场。

PN结区域的内建电场

这个内建电场会阻止P区的空穴继续向N区扩散,同时也会阻止N区的自由电子继续向P区扩散,空穴的扩散和自由电子的漂移从而达到一个新平衡,这个区域就是我们所说的PN结:载流子的移动此时已达到动态平衡,因此流过PN结的电流也变为0 。这个PN结看起来也没什么,但它有一个特性:单向导电性。正是这个特性确立了它在电路中的重要地位,也构成了整个半导体"物理大厦"的核心基础。

我们先来看看这个特性是怎么实现的:**在上图中,当我们在PN结两端加正向电压时,即P区接正极,N区接负极,此时就会削弱PN结的内建电场,平衡被打破,空穴和自由电子分别向两边扩散,形成电流,半导体呈导电特性。**当我们在PN结两端加反向电压时,内建电场增强,此时会进一步阻止空穴和自由电子的扩散,不会形成电流,半导体呈现高阻特性,不导电。

从PN结到芯片电路

无论二极管、三极管还是MOSFET场效应管,其内部都是基于PN结原理实现的。通过上面部分,我们已经了解了PN结的工作原理,接下来我们就看看如何在一个晶圆上实现PN结。PN结的实现会涉及半导体工艺的方方面面,包括氧化、光刻、显影、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜沉淀、金属化等主要流程。

为了简化流程,方便理解,我们就讲讲两个核心的步骤:离子注入和光刻。离子注入其实就是掺杂,如下图所示,就是往单质硅中掺入三价元素硼和五价元素磷,进而生成由PN结构成的各种元器件和电路。而光刻则是在晶圆上给离子注入开凿各种掺杂的窗口。

(通过光刻胶制作掺杂窗口)

在晶圆上进行离子注入掺杂之前,首先要根据电路版图制作一个个掺杂窗口,如下图所示,这一步需要光刻胶来协助完成:**在硅衬底上涂上一层光刻胶,通过紫外线照射掩膜版,将电路图形投影到光刻胶上,生成一个个掺杂窗口,并将不需要掺杂的区域保护起来。那如何产生这个掺杂窗口呢?**原理很简单,就和我们使用感光胶片去洗照片一样,还需要一个叫作光刻掩膜版的东西。

光刻掩膜版原理和我们照相用的胶片差不多,由透明基板和遮光膜组成,如下图所示,通过投影和曝光,我们可以将芯片的电路版图保存在掩膜版上。然后通过光刻机的紫外线照射,利用光刻胶的感光溶解特性,被电路图形遮挡的阴影部分的光刻胶保存下来,而被光照射的部分的光刻胶就会溶解,成为一个个掺杂窗口。最后通过离子注入,掺杂三价元素和五价元素,就会在晶圆的硅衬底上生成主要由PN结构成的各种CMOS管、晶体管电路。

我们设计的芯片物理版图的每一层电路,都需要制作对应的掩膜版,重复以上过程,就可以在晶圆上制作出迷宫式的3D立体电路结构。

(半导体工艺主要流程)

随着集成电路规模越来越大,在一个几英寸的晶圆硅衬底上,要实现千万门级、甚至上亿门级的电路,需要几十亿个晶体管,电路的实现难度也变得越来越大。尤其是纳米级的电路,如现在流行的14nm、7nm、5nm工艺制程,要将千万门级的晶体管电路都刻在一个指甲盖大小的硅衬底上,这就要求电路中的每个元器件尺寸都要非常小,同时要求"感光胶片"要非常精密,对电路图形的分辨率要非常高。这时候光刻机就闪亮登场了,光刻机主要用来将你设计的电路图映射到晶圆上,通过光照将你设计的电路图形投影到光刻胶上,光刻胶中被电路遮挡的部分被保留,溶解的部分就是掺杂的窗口。晶体管越多,电路越复杂,工艺制程越先进,对光刻机的要求越高,因为需要非常精密地把复杂的电路图形投影到晶圆的硅衬底上。光刻机因此也非常昂贵,如网上广泛讨论的荷兰光刻巨头ASML(阿斯麦),如下图所示,一台光刻机的售价为1亿欧元,很多芯片代工巨头,如台积电、三星、Intel、中芯国际,都是它的客户。

ASML光刻机

光刻机的作用是根据电路版图制作掩膜版,开凿各种掺杂窗口,然后通过离子注入,生成PN结,进而构建千千万万个元器件。将这些工艺流程走一遍之后,在一个晶圆上就生成了一个个芯片的原型:芯片电路,就如上面晶圆图所示的那样,晶圆上的每一个小格子都是一个芯片电路,这些芯片电路的专业术语叫作Die,翻译成中文叫作晶粒。

芯片的封装

单纯的芯片电路无法直接焊接到硬件电路板上,如下图所示,还需要经过切割、封装、引出管脚、芯片测试等后续流程,测试通过后经过包装,才会变成市场上我们看到的芯片的样子。

从晶粒到芯片成品

芯片的封装主要就是给芯片电路加一个外壳,引出管脚。芯片的封装不仅可以起到密封、保护芯片的作用,还可以通过管脚,直接将芯片焊接到电路板上。芯片的封装技术经过几十年的发展,越来越先进,芯片的面积也越来越小。常见的封装形式有DIP、QFP、BGA、CSP、MCM等。

DIP(Dual in-line Package),指采用双列直插形式封装集成电路芯片,芯片有2排管脚,可以直接插到电路板上的芯片插座上,或者插到PCB电路板上穿孔焊接,非常方便。DIP一般适用于中小规模的集成电路芯片,芯片的管脚数比较少,如下图所示,我们常见的C51单片机、早期的8086 CPU都采用这种封装。

早期8086 CPU芯片(DIP)

在超大规模集成电路设计中,当芯片的主频很高、芯片的管脚很多时,使用DIP就不太合适了,我们一般会使用球栅阵列封装(Ball Grid Array Package,BGA)。

如下图所示,使用BGA的芯片管脚不再从芯片周边引出,而是采用表面贴装型封装

在印刷基板的背面按照阵列方式制作出球形凸点来代替管脚,然后将芯片电路装配到基板的正面,最后用膜压树脂或灌封方法进行密封。BGA封装适用于CPU等管脚比较多的超大规模集成电路芯片。

BGA芯片

芯片级封装(Chip Scale Package,CSP)是一种比较新的芯片封装技术,封装后的芯片尺寸更接近实际的芯片电路。随着电子设备越来越微型化,对芯片的面积、厚度要求也越来越高,通过CSP封装可以让芯片的封装面积和原来面积之比超过1:1.14,芯片封装的厚度也大大减小,从而缩减了芯片的体积。DIP和CSP芯片尺寸对比如下图所示:

DIP和CSP芯片尺寸对比

CSP可以让芯片面积减小到DIP的四分之一,同时具备信号传输延迟短、寄生参数小、电热性能更好的优势,更适合高频电路的封装。CSP技术在目前的芯片和微型电子设备中被广泛使用。

随着市场上智能手表、运动手环等智能硬件的流行,对芯片的封装尺寸也有了更严苛的要求,层叠封装(Package-on-Package,PoP)技术此时就应运而生了。PoP可以将多个芯片元器件分层堆叠、互连,封装在一个芯片内,从而让整个芯片更薄、体积更小。现在很多智能手机,为了薄化电路板,一般会将LPDDR内存芯片和eMMC存储芯片封装在一起,或者将应用处理器和基带芯片封装在一起。如苹果的iWatch,直接将应用处理器、LPDDR4X DRAM和eMMC Flash存储芯片封装在一个芯片内,大大减少了整个芯片和电路板的尺寸,然后和发动机、电池板等器件像汉堡一样三层封装在一起,可以将整个电子产品做得更加轻薄、小巧。

芯片封装好后,还要经过最后一步:测试。测试主要包括芯片功能测试、性能测试、可靠性测试等。测试的主要工作就是测试芯片的功能、指标、参数和前期的设计目标是否一致,筛选掉制造过程中有缺陷的芯片,或者根据性能对芯片进行分级,包装成不同规格等级的芯片,最终测试通过的芯片才能拿到市场上销售。

处理器是怎么设计出来的

通过刚才的文章,我们已经知道了芯片制造的基本流程:**从沙子中提取硅、把硅切成片,在硅片上通过掺杂实现PN结,实现各种二极管、三极管、CMOS管,就可以将我们设计的电路图转换为千万门级的大规模集成电路。**接下来我们继续了解一款CPU芯片电路是怎样设计出来的:

首先,我们需要了解一下CPU内部的结构及工作原理。想要搞懂CPU的工作原理,这里又不得不说一下图灵机。图灵机原型证明了实现通用计算机的可能性,奠定了现代计算机发展的理论基石。

计算机理论基石:图灵机

现代计算机理论的技术源头可以追溯到几十年前的图灵机。 在20世纪40年代,英国科学家图灵在他发表的一篇论文中提出了图灵机的概念,大家有兴趣可以在网上搜搜这篇论文,公式很复杂,也很难看懂。我们简化分析,可以简单地理解为:任何复杂的运算都可以分解为有限个基本运算指令。

图灵机的构造如下图所示:

一条无限长的纸带Tape、一个读写头Head、一套控制规则Table、一个状态寄存器。图灵机内部有一个机器读写头Head,读写头可以一直读取纸带,图灵机根据自己有限的控制规则,根据纸带的输入,不断更新机器的状态,并将输出打印到纸带上。

图灵机原理图

比较图灵机原型与现代计算机,你会发现有很多相似的地方。

● 无限长的纸带:相当于程序代码。

● 一个读写头Head:相当于程序计数器PC。

● 一套控制规则Table:相当于CPU有限的指令集。

● 一个状态寄存器:相当于程序或计算机的状态输出。

不同架构的CPU,指令集不同,支持运行的机器指令也不同,但是有一条是相同的:**每一种CPU只能支持有限个指令,任何复杂的运算最终都可以分解成有限个基本指令来完成:加、减、乘、除、与、或、非、移位等算术运算或逻辑运算。**在个人计算机上,我们可以玩游戏、上网、聊天、听音乐、看视频,这些复杂多变的应用程序,最终都可以分解成CPU所支持的有限个基本指令,通过指令的组合运算来完成。

CPU内部结构及工作原理

基于图灵机的构想,现代计算机的基本结构就逐渐清晰了。如下图所示,**CPU内部构造很简单,只包含基本的算术逻辑运算单元、控制单元、寄存器等,仅支持有限个指令。**CPU支持的有限个基本指令集合,称为指令集。程序代码存储在内部存储器(内存)中,CPU可以从内存中一条一条地取指令、翻译指令并执行它。

CPU内部结构

CPU内部的算术逻辑单元(Arithmetic and Logic Unit,ALU)是处理器最核心的部件,相当于CPU的大脑。理解了ALU的工作流程基本上也就理解了计算机的工作流程。ALU由算术单元和逻辑单元组成,算术单元主要负责数学运算,如加、减、乘等;逻辑单元主要负责逻辑运算,如与、或、非等。

ALU只是纯粹的运算单元,要想完成一个指令运行的整个流程,还需要控制单元的协助。控制单元根据程序计数器PC中的地址,会不断地从内存RAM中取指令,放到指令寄存器中并进行译码,将指令中的操作码和操作数分别送到ALU,执行相应的运算。以两个整数A、B相加的指令为例,如上图所示,控制单元通过指令译码电路会将该指令分解为操作码和操作数,再根据操作数地址从内存RAM中加载(Load)数据A和B,传送到ALU的输入端,然后将操作运算类型(操作码)即加法也告诉ALU。ALU有了输入数据和操作类型,就可以直接进行相应的运算了,并输出运算结果。

为了效率考虑,运算结果一般会先保存到寄存器中,然后由控制单元将该数据从寄存器存储(Store)到内存RAM中。执行到这一步,一个完整的加法指令执行流程就结束了,控制单元会继续取下一条指令,然后翻译指令、运行指令,周而复始。CPU内部有个程序计数器(Program Counter,PC),系统上电后默认初始化为0,控制单元会根据这个PC寄存器中的地址到对应的内存RAM中取指令,然后PC寄存器中的地址自动加一。通过这种操作,控制单元就可以不停地从内存RAM中取指令、翻译指令、运行指令,程序就可以源源不断地运行下去了。

早期CPU的工作频率和内存RAM相比,差距不是一般的大。 控制单元从RAM中加载数据到CPU,或者将CPU内部的数据存储到RAM中,一般要经过多个时钟读写周期才能完成:找地址、取数据、配置、输出数据等。运算速度再快的CPU,也只能傻傻地干等几个时钟周期,等数据传输成功后才可以接着执行下面的指令。内存带宽的瓶颈会拖CPU的后腿,影响CPU的性能。

为了提高性能,防止RAM拖后腿,CPU一般都会在内部配置一些寄存器,用来保存CPU在计算过程中的各种临时结果和状态值。ALU在运算过程中,当运算结果为0、为负、数据溢出时,也会有一些Flags标志位输出,这些标志位对控制单元特别有用,如一些条件跳转指令,其实就是根据运算结果的这些标志位进行跳转的。

CPU跳转指令的实现其实也很简单根据ALU的运算结果和输出的Flags标志位,直接修改PC寄存器的地址即可,控制单元会自动到PC指针指向的内存地址取指令、翻译指令和运行指令。跳转指令的实现,改变了程序按顺序逐步执行的线性结构,可以让程序执行更加灵活,可以实现更加复杂的程序逻辑,如程序的分支结构、循环结构等。

CPU所支持的加、减、乘、与、或、非、跳转、Load/Store、IN/OUT等基本指令,一般称为指令集。任何复杂的运算都可以分解为指令集中的基本指令。在软件层面上,我们可以把这些有限的基本指令进行不同的组合,实现各种不同的功能:播放视频、播放音乐、图片显示、网络传输。

我们也可以基于这些基本指令实现新的指令,以除法运算为例,如果CPU在硬件电路上不支持除法指令,我们就可以基于CPU指令集中的原生加、减、移位等指令来模拟除法的实现,生成新的除法指令。

这种由基本指令组成的不同组合,我们称为程序 。为了编程方便,我们给每个二进制指令起一个别名,使用一个助记符表示,这些助记符就是汇编语言,由助记符组成的指令序列就是汇编程序。汇编语言的可读性虽然比二进制的机器指令好了很多,但是当汇编程序很大、程序的逻辑很复杂时,维护也会变得无比艰难,这时候高级语言就开始问世了,如C、C++、Java等。高级语言的读写更符合人类习惯,更适合开发和阅读,如下图所示,编写好的高级语言程序通过编译器,就可以翻译成CPU所能识别的二进制机器指令。

高级语言的编译流程

CPU内部的各种运算单元,无论是算术逻辑单元、控制单元,还是各种寄存器、译码电路,其实都是由大量逻辑门电路组合构成的:与门、或门、非门等

这些基本的门电路通过逻辑组合、封装和抽象,就构成了一个个具有特定功能的模块:寄存器、译码电路、控制单元、算术逻辑运算单元等。具有不同功能的模块再经过不断地抽象、堆叠和组合,就构成了一个完整的CPU内部电路系统组件。

随着集成电路的发展,CPU也变得越来越复杂,现在的CPU可由上亿个门电路、几十亿个晶体管组成。如果靠手工一个一个门电路地连接它们,效率太低了,目前的CPU设计,一般都使用VHDL或Verilog硬件描述语言(Hardware Description Language,HDL)来整合ALU、内控制单元、寄存器、Cache等电路模块,然后通过电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)工具将其转换为逻辑门电路。借助HDL编程和EDA开发工具,数字IC设计工程师只需要关心数字电路的逻辑功能实现,而具体物理电路的实现、布线和连接则由EDA工具自动完成,大大提升了工作效率。

CPU设计流程

集成电路(Integrated Circuit,IC)设计一般分为模拟IC设计、数字IC设计和数模混合IC设计。数字IC设计一般都是通过HDL编程和EDA工具来实现一个特定逻辑功能的数字集成电路的。以设计一款ARM架构的SoC芯片为例,它的基本设计流程如下图所示:

SoC芯片设计流程

1.设计芯片规格

根据需求,设计出芯片基本的框架、功能,进行模块划分。有些复杂的芯片可能还需要建模,使用MATLAB、CADENCE等工具进行前期模拟和仿真。

2.HDL代码实现

使用VHDL或Verilog硬件描述语言把要实现的硬件功能描述出来,接着通过EDA工具不断仿真、修改和验证,直到芯片的逻辑功能完全正确。这种仿真我们一般称为前端仿真 ,简称前仿

前仿只验证芯片的逻辑功能是否正确,不考虑延时等因素。这个阶段也是芯片设计最重要的阶段,会耗费大量的时间去反复验证芯片逻辑功能的正确性。

芯片公司内部一般也会设有数字IC验证工程师岗位,招聘工程师专门从事这个工作。以设计一个1位加法器为例,我们可以通过EDA工具编写下面的Verilog代码来实现,并通过EDA工具提供的仿真功能来验证加法器的逻辑功能是否正确。

3.逻辑综合

数字电路的实现:逻辑门电路的组合

如上图所示,前端仿真通过后,通过EDA工具就可以将HDL代码转换成具体的逻辑门电路。专业说法是将HDL代码翻译成门级网表:Gate-level netlist,网表文件用来描述电路中元器件之间的连接关系。有数字电路基础的人都知道,任何一个逻辑运算都可以转化为基本的门级电路(与门、或门、非门等)的组合来实现,而网表就是用来描述这些门级电路的连接信息的。

在综合过程中,有时候还需要设定一些约束条件,让综合出来的具体电路在芯片面积、时序等参数上满足预期要求。此时的电路考虑了延时等因素,和实际的芯片电路已经很接近了。

现在很多IC设计公司一般都是Fabless。Foundry在集成电路领域一般指专门负责生产、制造芯片的厂家,如台积电、中芯国际等。Fabless是Fabrication(制造)和less的组合词专指那些只专注于集成电路设计,而没有芯片制造工厂的IC设计公司。像高通、联发科、海思半导体这些没有自己的芯片制造工厂,需要台积电、中芯国际代工生产的IC设计公司就是Fabless,而像Intel、三星半导体这些有自己芯片制造工厂的IC设计公司就不能称为Fabless。

对于一些Fabless的IC设计公司而言,门级电路一般是由晶圆厂,也就是芯片代工厂以工艺库的形式提供的,如中芯国际、台积电、三星半导体等。如果你设计的芯片委托台积电代工制造,工艺制程是14nm,那么当你在设计芯片时,台积电会提供给你14nm级的工艺库,里面包含各种门电路,经过逻辑综合生成的电路参数,如延时参数,和台积电生产芯片实际使用电路的工艺参数是一致的。

4.仿真验证

通过逻辑综合生成的门级电路,已经包含了延时等各种信息,接下来还需要对这些门级电路进行进一步的静态时序分析和验证。为了提高工作效率,除了使用仿真软件,有时候也会借助FPGA平台进行验证。前端仿真发生在逻辑综合之前,专注于验证电路的逻辑功能是否正确;逻辑综合后的仿真,一般称为后端仿真,简称后仿。后端仿真会考虑延时等因素。

后端仿真通过后,从HDL代码到生成门级网表电路,整个芯片的前端设计就结束了。

5.后端设计

通过前端设计,我们已经生成了门级网表电路,但门级网表电路和实际的芯片电路之间还有一段距离,我们还需要对其不断完善和优化,将其进一步设计成物理版图,也就是芯片代工厂做掩膜版需要的电路版图,这一阶段称为后端设计。后端设计包括很多步骤,具体如下:

DFT:Design For Test,可测试性设计。芯片内部一般会自带测试电路,如插入扫描链、引出JTAG调试接口。

布局规划:各个IP电路模块的摆放位置、时钟线综合、信号线的布局等。

物理版图验证:检查设计规则、连线宽度、间距是否符合工艺要求和电气规则。

物理版图验证通过后,芯片设计公司就可以将这个物理版图以GDSII文件的格式交给芯片制造代工厂(Foundry)去流片了。到了这一步,整个芯片设计、仿真、验证的流程就结束了,我们称为tap-out。

物理版图是由我们设计的芯片电路转化而成的几何图形。

如下图所示,和PCB版图类似,物理版图中包含了集成电路元器件的尺寸大小、各层电路的拓扑关系等。物理版图也分为好多层,版图中不同的颜色代表不同的层,每一层都代表不同的电路实现。

从逻辑门电路到物理版图的转换

芯片代工厂根据物理版图提供的这些信息来制造掩膜板,然后使用光刻机,通过掩膜板在晶圆的硅片衬底上开凿出各种掺杂窗口,接着对硅片进行离子注入,掺杂不同的三价元素和五价元素,生成PN结,进而构成二极管、三极管、CMOS管等基本元器件,构建出各种门电路。

如下图所示,光刻机根据物理版图的不同层,制作不同的掩膜板,从底层开始,逐层制作,就可以在晶圆硅片衬底上生成多层立体的3D电路结构。

从物理版图到实际的芯片电路

晶圆上的一个个CPU芯片电路在经过切割、封装、引出管脚、测试后,就是我们在市场上常见的各种CPU芯片了。

到这里,我们已经把芯片设计、制造的整个大致流程给大家分享完了。

芯片的设计和制造看起来很简单,但实际上每个环节都有极高的技术含量。集成电路行业是一个极其专业而且高度分工的行业,每个环节都有不同的行业巨头或隐形冠军把守,从芯片的设计、验证仿真、制造加工、封装测试到各种EDA工具、IP核、光刻机、刻蚀机,每个环节都有非常专业的制造商、服务商、EDA工具商精密严谨地配合,大家互相促进,将CPU芯片一代又一代地不断更新迭代下去。

有了CPU处理器,还需要配套的主板或开发板、内存RAM、硬盘或Flash存储器,才能构成一个完整的计算机整机系统,这样才能运行我们编写的程序软件。


咱们这篇文章告一段落,在以后的文章中,咱们将继续给大家分享一些有关计算机体系结构的知识。

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