存储器的介绍：
一、易失性存储器RAM：存储速度快，掉电丢失
- SRAM（静态RAM）：极快
- DRAM（动态RAM）：需要配一个扫描电路，进行"补电"（动态刷新）
二、非易失性存储器ROM：掉电不丢失，存储较慢
- Mask ROM（掩膜ROM）：只能读不能写
- PROM（可编程ROM）：只能写一次
- EPROM（可擦除可编程ROM）：要用紫外线照射30分钟才能擦除
- E2PROM（电可擦除可编程ROM）：用程序即可擦除
- Flash（闪存）
- 硬盘，软盘，光盘等
I²C总线介绍：
两根通信线：SCL,SDA（半双工就是一条线可以双向传输数据但是一个时间只能一个方向传）
好处：可以使各种设备通信标准统一
I²C电路规范：
所有SCL连一起，SDA连一起
SCL和SDA均要配置成开漏输出模式。在下面每个设备引出的两条线都设一个开关，开漏输出模式输出1意思就是开关全部断开，也就是电阻无限大，又称高阻态，毫无驱动能力。
由于总线是弱上拉，设备写0的时候线会自动被拉为1；当设备写1时，设备与总线断开，但由于总线配置弱上拉，所以总线自动置1；然后不用的设备两条线全部置1 要用的设备就不断写零写一。如果cpu控制的base基级是0，那么out口会被拉低，电压因而为零，即使外界有接的vcc，vcc的电流也会被导通到ground，out端口输出仍然是0。SDA,SCL是半双工，1想象成下面开关断了，SDA,SCL靠VDD拉。当SDA,SCL为0的时候，想象成下面开关连接了，选择被控IC。
上拉电阻：【上拉电阻的通俗解释，你真正知道吗？-哔哩哔哩】【上拉电阻的通俗解释，你真正知道吗？-哔哩哔哩】
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弱上拉：高电平驱动能力弱，低电平驱动能力强。上拉电阻增强了驱动能力。
开漏输出，推挽输出：开漏的线与特性：当多个开漏输出链接到一起，当它们全部都输出高电平时，总线上才是高电平，但凡有一个开漏输出引脚上是低电平，总线就会被拉低。
【推挽 开漏 高阻 这都是谁想出来的词？？-哔哩哔哩】https://b23.tv/VDIqAgm
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当有空闲设备部通信时,可能会影响到正在通信的设备,所以需要加上拉电阻,使其空闲设备处于一个高阻态(不是高电频也不是低电平)的情况下,这样空闲设备就会断路
I²C时序结构：
起始条件：SCL高电平期间，SDA从高电平变成低电平
终止条件：SCL高电平期间，SDA从低电平变成高电平
发送一个字节：SCL低电平期间，主机将数据位依次放到SDA线上（高位在前），然后拉高SCL，从机将在SCL高电平期间读取数据位，所以SCL高电平期间SDA不允许有数据变化，依次循环上述过程8次，即可发送一个字节
下面不是两根线只是两种情况根据前面SDA是处于高电平还是低电平来确定的。
接收一个字节：SCL低电平期间，从机将数据位依次放到SDA线上（高位在前），然后拉高SCL，主机将在SCL高电平期间读取数据位，所以SCL高电平期间SDA不允许有数据变化，依次循环上述过程8次，即可接收一个字节（主机在接收之前，需要释放SDA，也就是置1）
发送应答：在接收完一个字节之后，主机在下一个时钟发送一位数据，数据0表示应答，数据1表示非应答
接收应答：在发送完一个字节之后，主机在下一个时钟接收一位数据，判断从机是否应答，数据0表示应答，数据1表示非应答（主机在接收之前，需要释放SDA）
都是对主机而言的，发送应答指的是主机接收从机数据，然后主机给从机发送应答。1表示非应答是因为默认为1，如果从机根本不存在是1，从机不应答也是1，只有从机应答才是0。
SLAVE ADDRESS 是AT24C02的地址，WORD ADDRESS是AT24C02这个设备要写入数据的地址。
