数字IC后端物理验证PV | TSMC 12nm Calibre Base Layer DRC案例解析

基于TSMC 12nm ARM A55 upf flow后端设计实现训练营将于6月中旬正式开班!小班教学!目前还有3个名额,招满为止!有需要可以私信小编 ic-backend2018报名。吾爱IC社区所有训练营课程均为直播课!

这个课程支持升级成双核A55 Top后端训练营!

T12 A55后端训练营简介:

主时钟频率:>= 2.5GHz tt1v85c +rcworst85c

设计规模:140万instance

Power Domain数量:2个

实现方式:低功耗模块级UPF Flatten实现 (UPF Flow)

项目成果:Timing Signoff Timing Clean,DRC,Antenna,LVS clean

涉及EDA工具:Innovus,Starrc,PrimeTime,Calibre

授课形式:直播课+每日问题解答+远程协助。每周直播2次,每次近2小时。

课程费用:原价7900元(现价6900元)


今天给大家分享TSMC 12nm高频遇到的几个base layer drc violation及其解决方法。这些DRC Violation均来自训练营学员做项目遇到的问题。

1)PP.S.1/NP.S.1

在传统28nm工艺实现中,两个tapcell或endcap 贴在一起并不会引起drc violation。但在这个12nm先进工艺中,tapcell是不允许出现abutment的情况。

由于PR工具Innovus中看不到base layer的层次,所以我们通过calibre查看gds可以看到如下所示的PP layer间距不满足设计规则要求。

解决这类Calibre DRC Violation主要有两种方法:

  • 在PR Flow的floorplan阶段添加tapcell添加avoidAbutment即可自动解决这类drc violation

addWellTap -cell TAPCELLBWP6T16P96CPD -cellInterval 48 -checkerBoard -check_channel -prefix WELLTAP -avoidAbutment

  • 手工挪tapcell

这种适用于DRC Violation数量不多的场景,比如这个案例就可以使用这种方法。

2)VTL_N_W.1.1/VTL_P_W.1.1

在 TSMC12nm 实现中,当相同VT cell 之间间距小于 4 个 site 的时候,这个时候中间位置就只能加相同阈值的 stdcell 进去,比如下图所说的,ULVT 和 ULVT 之间的间距如果小于 4 个 site 的宽度,也就是 4 个 poly pitch 间距,这个时候中间就必须插 ulvt,不能插其他阈值的 standard cell,否则就会有VT的间距问题。当间距大于 4 个 site 宽度,这个时候就没有限制了。

这个在咱们12nm A72后端训练营直播课也是反复强调过这点。我们需要在placement阶段加入对应的cell edge spacing约束。

我们把Calibre DRC结果导入Innovus后,可以看到的确有两颗RVT之间存在一个较小的LVT Filler Cell。

所以,这个DRC Violation出现的原因有两个。第一个是工具能力有限,最后会残留几个filler vt插错的情况,这个类似DRC无法完全修干净一样。第二个是placemnet阶段没有加好placeMode导致大规模这类drc violation的情况。

3)PO.S.22.6

这类DRC Violation是因为在floorplan阶段没有指定好一个合理的core2die值。core2die和memory 的 halo 宽度都需要设置为 0.048 的整数倍。这样做之后,我们就可以从源头上解决这类floorplan带来的base layer drc。

4)PB.L.1

通过Calibre DRC Violation的描述,我们知道这是关于M2_P48和M3_P48 Layer length不够的问题。

如果一开始看不太懂这类drc violation,我们可以查阅T12 design manual中对应drc violation的文字描述和图形示意图。

出现这类DRC Violation主要原因有两个。

第一个是报P48 Layer没有盖好!

解决方案如下:

createSpecialDrcRegion -layer M2_P48 -extendOuterY 0.2 -extendOuterX 0.2 -insts [dbGet [dbGet -p2 top.insts.cell.baseClass block].name]

createSpecialDrcRegion -layer M3_P48 -extendOuterY 0.2 -extendOuterX 0.2 -insts [dbGet [dbGet -p2 top.insts.cell.baseClass block].name]

第二种是设计中存在未摆放的TCD 或memory!本案例就是学员在添加TCD Cell时存在一颗未摆放到core区域的TCD cell。

相关推荐
杰出的胡兵12 天前
景芯SOC设计实战
面试·职场和发展·soc·芯片·数字后端·数字ic后端·芯片设计全流程培训
IC拓荒者1 个月前
数字IC后端设计实现十大精华主题分享
数字ic后端·数字后端培训·calibre lvs·clock tree·clock gating时序·innovus案例
IC拓荒者1 个月前
芯片Tapeout power signoff 之IR Drop Redhawk Ploc文件格式及其意义
数字后端培训·ic后端培训·innovus零基础·io ring·pad ring·redhawk·ir drop
IC拓荒者1 个月前
数字IC后端设计实现篇之TSMC 12nm TCD cell(Dummy TCD Cell)应该怎么加?
数字ic后端·数字后端培训·tsmc12nm·dummy tcd·tcd工艺校准·数字后端零基础入门·a55 a72 cpu
IC拓荒者1 个月前
芯片级IO (Pad) Ring &IP Checklist
esd·数字ic后端·ic后端培训·innovus零基础·io ring·pad ring·checklist
IC拓荒者1 个月前
数字IC后端实现常见的physical only cell都有哪些?如何添加这些cell?
数字ic后端·数字后端培训·physical cell·latchup栓锁效应·endcap cell·boundary cell·ic后端设计实现
IC拓荒者2 个月前
数字IC后端设计实现之分段长clock tree经典案例
occ·时钟产生电路·ic后端培训·时钟树综合·clock tree·innovus零基础·分段长clock tree
IC拓荒者2 个月前
华为海思2025届校招笔试面试经验分享
经验分享·华为·面试·数字ic后端·ic秋招·海思校招面经·校招笔试面试
IC拓荒者2 个月前
IC数字后端实现之大厂IC笔试真题(经典时序计算和时序分析题)
数字ic后端·静态时序分析·数字后端培训·ic后端笔试题·ic秋招笔试真题·芯原ic后端笔试·时序timing分析
IC拓荒者2 个月前
数字IC后端实现之PR工具中如何避免出现一倍filler的缝隙?
数字ic后端·placement·ic后端培训·innovus零基础lab·innovus零基础·spacing rule·innnovus place