GD32MCU如何实现掉电数据保存?

大家在GD32 MCU应用时,是否会碰到以下应用需求:希望在MCU掉电时保存一定的数据或标志,用以记录一些关键的数据。

以GD32E103为例,数据的存储介质可以选择内部Flash或者备份数据寄存器。

如下图所示,片内Flash具有10年的保存寿命,10万次擦写,页擦除时间在3.5ms,字写入时间在40us左右,Flash特性决定Flash需要先擦后写,擦写要求的电压范围为供电范围:1.8V-3.6V.

GD32 MCU基本都支持备份数据寄存器,GD32E103系列支持84字节数据寄存器,可以在VDD掉电,VBAT有电的情况下进行数据保存,备份数据寄存器不需要擦除可以直接写入,数据更新速度较快。

下面为大家介绍数据掉电保存的实现,电源掉电的检测可以选择使用LVD低压检测功能,如下图所示,LVD 的功能是检测 VDD / VDDA 供电电压是否低于低电压检测阈值,该阈值由电源控制寄存器(PMU_CTL) 中的 LVDT[2:0]位进行配置。 LVD 通过 LVDEN 置位使能,位于电源控制和状态寄存器(PMU_CS) 中的 LVDF 位表示低电压事件是否出现,该事件连接至 EXTI 的第 16 线,用户可以通过配置 EXTI 的第 16 线产生相应的中断。

使用LVD检测到掉电事件后,从LVD阈值到PDR电压之间会有一个时间窗口,可用以实现掉电数据保存,这个时间由掉电速度决定,因而对数据保存的时间要求很高。若系统供电只有VDD供电,VBAT外部未接电池或者需要保存的数据比较多的情况下,可以选择使用内部Flash作为存储介质,为了节省数据更新的时间,可以采用双备份的方式,在系统运行的过程中,先擦除一个备份,检测到掉电事件后,节省擦除时间,直接向备份区域写入更新数据;若系统供电VBAT外接了电池,且更新的数据小于84字节,可以选择将数据写入备份数据寄存器,其更新速度更快。另外如果评估下来掉电时间过快来不及更新数据的话,可以从硬件上减缓掉电速度,以预留更长的时间窗口。

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