大家在GD32 MCU应用时，是否会碰到以下应用需求：希望在MCU掉电时保存一定的数据或标志，用以记录一些关键的数据。
以GD32E103为例，数据的存储介质可以选择内部Flash或者备份数据寄存器。
如下图所示，片内Flash具有10年的保存寿命，10万次擦写，页擦除时间在3.5ms，字写入时间在40us左右，Flash特性决定Flash需要先擦后写，擦写要求的电压范围为供电范围：1.8V-3.6V.
GD32 MCU基本都支持备份数据寄存器，GD32E103系列支持84字节数据寄存器，可以在VDD掉电，VBAT有电的情况下进行数据保存，备份数据寄存器不需要擦除可以直接写入，数据更新速度较快。
下面为大家介绍数据掉电保存的实现，电源掉电的检测可以选择使用LVD低压检测功能，如下图所示，LVD 的功能是检测 VDD / VDDA 供电电压是否低于低电压检测阈值，该阈值由电源控制寄存器（PMU_CTL） 中的 LVDT2:0位进行配置。 LVD 通过 LVDEN 置位使能，位于电源控制和状态寄存器（PMU_CS） 中的 LVDF 位表示低电压事件是否出现，该事件连接至 EXTI 的第 16 线，用户可以通过配置 EXTI 的第 16 线产生相应的中断。
使用LVD检测到掉电事件后，从LVD阈值到PDR电压之间会有一个时间窗口，可用以实现掉电数据保存，这个时间由掉电速度决定，因而对数据保存的时间要求很高。若系统供电只有VDD供电，VBAT外部未接电池或者需要保存的数据比较多的情况下，可以选择使用内部Flash作为存储介质，为了节省数据更新的时间，可以采用双备份的方式，在系统运行的过程中，先擦除一个备份，检测到掉电事件后，节省擦除时间，直接向备份区域写入更新数据；若系统供电VBAT外接了电池，且更新的数据小于84字节，可以选择将数据写入备份数据寄存器，其更新速度更快。另外如果评估下来掉电时间过快来不及更新数据的话，可以从硬件上减缓掉电速度，以预留更长的时间窗口。
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