二者同属于模拟外设。
LVD是低电压检测，用于检测芯片电源电压；检测外部电压。
CMP是比较器，检测外部电压。常用来检测电源电压。
二者都可以用来检测电压，区别如下：
LVD:
低压检测
检测范围：1.25、2.7、2.9、3.1、3.3、3.5、3.7、3.9、4.1、4.5、4.7、4.9，多个档位可选
LVD检测电池电压，用到芯片的AIN0~3
CMP:
低功耗比较器，比较器典型比较电压为1.28V。只能固定的比较一个电压
比较器将输入引脚与固定的电压比较，输入引脚为CMP1~2
注意：RN8213B(D版)的芯片寄存器介绍时，VBat可以检测多个电平
在介绍模拟外设时以及引脚时说AIN输入范围不能超过1.25V
这样看电池测量范围0~3.8V与输入引脚电压范围不能超过1.25V是矛盾的
电池的测量范围是实际的测量范围，外部电池电压输入到AIN0后在芯片内部有两个300k的电阻分压输入电压就变为0~1.9V，此时的电压还是高于1.25V，可以设置PGA=0.5，再次分压，这样就得到一个0~0.85的输入电压。
最后再来看一下模拟外设的相关介绍
10bit SAR ADC；
对 VBAT 引脚输入的电压启动测量时，内部有两个 300K 电阻做分压，输入电压会被缩小一半输入到 SAR
ADC，SAR ADC 使用 0.5 倍 PGA 对信号再缩小一倍，即：3.6V 的电池，测量到的信号约为 0.9V。如果
不启动测量，内部分压电阻会被关闭。
如果选择其他引脚（AIN）对输入电压进行测量，请将被测量电压缩小到 SAR ADC 测量范围内。
多路复用，支持 AIN0~AIN4、VBAT、温度传感器做为输入，其中温度传感器的优先级最高；
AIN0~AIN4 的输入阻抗约为 5M 欧姆，外部需要接 0.1uF 电容到地；
ADC 不采样时，自动进入省电模式；每次采样从启动到完成约为 12ms。
一路 LVD 电路，主要特点如下：
LVD 的输入可选为芯片电源，也可选择为外部 PIN 输入；
LVD 的阈值可调，从 2.7V 到 4.9V 多个档位可设；
当选择为外部 PIN 输入时（LVDIN0），阈值固定为 1.25V 左右，内阻约为 1M 欧姆；
两路比较器电路 CMP1 和 CMP2，主要特点如下：
外部 PIN 输入，阈值固定为 1.25V 左右
功耗优于 1uA，可使用比较器进行主电上下电监测。
注意 CMP1 和 CMP2 内部默认有 600K 的内阻，可通过寄存器（SYS_PD (0x08)）选择关闭内部电阻。