STM32Flash读写BUG,坑—————4字对齐

在 STM32 的 Flash 存储中,数据通常需要 4 字节对齐 ,这是由于其 Flash 存储的硬件设计和写入操作的限制决定的。

以下是更详细的原因与解释:

1. STM32 的 Flash 写入单位

STM32 的 Flash 通常以字(Word,4 字节 = 32 位)为基本操作单位。这意味着:

  • Flash 写操作是以 字(Word, 32 位)为最小单元进行的。
  • 即使你写入的数据小于 4 字节,底层的硬件仍然会以 4 字节为一组操作。
    因此,如果写入的数据没有 4 字节对齐,可能会导致:
  • 无法正确写入,或者写入错误(由于未对齐的数据会覆盖相邻的区域)。
  • 数据损坏,因为 Flash 的写入粒度为 4 字节,非对齐操作会导致其他区域被意外擦写。

2. 具体对齐要求的原因

以下是 STM32 Flash 对 4 字节对齐的需求来源:

  1. Flash 的最小写入单元
    • 对于许多 STM32 系列芯片,Flash 的最小写入单元是 4 字节(即 32 位)。
    • 例如:
      • STM32F1 系列:最小写入单元是 16 位(2 字节)。
      • STM32F4/F7/H7 系列:最小写入单元是 32 位(4 字节)。
      • 有些高端 STM32 芯片(如 H7 系列)甚至支持 64 位对齐。
    • 因此,Flash 写入时,数据地址通常必须满足 4 字节对齐
  2. Flash 擦除机制
    • Flash 的擦除是以扇区(Sector)或页(Page)为单位的。
    • 即使你只修改 1 个字节,底层硬件也需要先擦除整个扇区,然后重新写入。
    • 如果数据不对齐,可能会导致其他数据被意外覆盖。
  3. 总线访问限制
    • Cortex-M 内核(ARM 架构)的总线访问通常也要求数据地址对齐,尤其是对于 32 位数据,地址必须是 4 字节对齐的。
    • 如果不对齐,可能会触发硬件异常(如总线错误,BusFault)。

3. 如何保证数据对齐

在实际开发中,可以采取以下措施来保证数据对齐:

  1. 数据地址对齐
    使用编译器或语言提供的对齐属性。例如,在 C 语言中,可以使用 __attribute__((aligned(4))) 强制变量地址对齐:

    c 复制代码
    uint32_t flash_data __attribute__((aligned(4))) = 0x12345678;
  2. 写入时确保对齐

    • 如果需要写入非 4 字节对齐的数据,可以将数据填充(Padding)为 4 字节对齐后再写入。

    • 例如,使用数组或者结构体填充到 4 字节:

      c 复制代码
      uint8_t data[4] = {0x12, 0x34, 0x56, 0x78};
      HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, *(uint32_t *)data);
  3. 结构体对齐
    如果使用结构体来存储数据,注意对齐方式,并设置合适的对齐规则。例如:

    c 复制代码
    typedef struct {
        uint32_t data1;
        uint32_t data2;
    } FlashData;
  4. Flash 写入函数约束
    STM32 的 HAL 库(或 LL 库)中通常会要求传入的数据是 32 位的,函数会强制你按照 4 字节对齐来传入数据。


4. 注意事项

  • 如果你尝试写入非对齐数据,STM32 的 Flash 控制器通常会拒绝操作或者抛出错误。
  • 还需注意的是,在 Flash 写入操作之前,必须先擦除相应的扇区或页,才能避免数据覆盖。
  • 对于需要频繁更新的数据,可以考虑将非对齐数据通过 RAM 或其他中间缓存调整对齐后,再写入 Flash。

总结

在 STM32 的 Flash 写入中,数据必须满足 4 字节对齐的要求,这是由硬件设计和写入机制决定的。如果你的数据不满足对齐要求,需要在写入之前手动对其进行填充或调整,确保写入操作的正确性。

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