一、内部Flash原理与应用
- 背景说明
程序是由指令+数据组成，一般产品都会选择把程序/固件进行固化，一般是选择把程序或者固件存储到非易失性存储设备，例如存储到Flash中，因为Flash的制作工艺简单，成本低，容量大。
- 基本概念
存储器指的是若干个存储单元的集合，每个存储单元(1字节)都可以存储8bit二进制数，为了方便的操作存储单元，就为每个存储单元都分配了地址，就可以通过寻址来访问存储单元。由于计算机的处理的数据量较大，并且运算速度都很快，就要求存储器的容量更大，并且存取数据的速度更快。
- 存储类型
一般存储器根据存取方式可以分为两类：ROM (只读存储器) or RAM(随机访问存储器)，也可以根据掉电是否会丢失的特性分为两类：非易失性存储设备 or 易失性存储设备。主要研究的就是ROM。
- ROM 只读存储器
- PROM 可编程只读存储器
- EPROM 可擦除可编程只读存储器
- EEPROM 电可擦除可编程只读存储器
- Flash 快闪存储器
- 内存分布
可以先掌握MCU内置的512KB大小的Flash的操作，注意：falsh的特点是掉电不丢失，但是Flash内部存储空间是分为若干个扇区的，并且扇区内部的存储单元在进行写入之前，必须要先进行擦除动作，并且擦除是不能针对某个存储单元，而是某个扇区或者整片空间。
目前STM32F407ZET6这颗MCU内部有512KB的Flash，分为8个扇区，扇区0 ~ 扇区7，并且扇区的寻址范围是0x0800 0000 ~ 0x0807 FFFF。
- 工作原理
提示：一般存储IC都具有写保护机制，一般通过硬件管脚实现写保护，一般是低电平有效，但是MCU内部的Flash也具有写保护机制，是通过软件实现的，所以在对Flash进行编程/擦除的时候，需要先解除Flash的写保护。
- 访问流程
- 擦除
- 编程
- 程序设计
如果用户打算对Flash空间进行编程或者擦除，对应的流程可以参考帮助手册以及文件注释
- 结果验证
练习：利用DHT11温湿度传感器获取室内的温湿度数据，每隔5获取1次，并记录获取温湿度的时间，进行格式化的转换，格式为"2025/04/10 16:51:30 temp=28#humi=50\r\n"，要求把每次获取的数据写入到MCU内部的扇区中。
要求数据的上限是100条记录，如果数据到达100条，则在PC端输出"内存已满"，然后要求用户可以通过2个机械按键KEY0和KEY3，当按下KEY0的时候输出所有记录，当按下KEY3的时候清空记录。