一、概述
在嵌入式系统中，主芯片MCU的I/O口驱动电流通常比较小，如果外部负载需求的电流比较大时，比如背光LED、继电器、蜂鸣器等元件，常用到的一种电路是三极管的控制驱动电路。
上图是1个典型的三极管控制驱动电路示例，主芯片通过I/O口来控制NPN三极管的通断，从而控制Vc输出电压的高低，Vc用于给外部负载RL提供驱动电压，其基本控制过程为：
I/O输出高时，Vb为高，三极管Q1导通，输出电压Vc为低，外部负载RL断电。
I/O输出低时，Vb为低，三极管Q1截止，输出电压Vc为高，外部负载RL通电。
这里面R1用于控制和调节基极B的输入电流；R3用于限制输出CE间的电流。
二、 电路的基本原理
如果不使用电路中的R2，电路是否可以工作，下图为三极管Q1的输入端基极B没有下拉电阻R2时的电路。
根据上图所示，三极管Q1有三个工作状态，截止、放大和饱和。截止就是三极管不导通，处于断开状态；放大就是输出电流Ic与输入电流Ib成比例的变化，放大状态比较复杂，实际产品中很少使用图中的电路，需要放大功能时多使用集成的运放芯片，放大可以认为是部分导通；而饱和就是完全导通；我们这里只使用了截止断开和饱和导通两个状态。三极管的饱和导通条件主要包括电压和电流两个条件。对于NPN型三极管 ，导通条件如下：
**电压条件：**基极和发射极之间的电压Vbe需要大于导通电压，通常为0.6V至0.7V，这里按0.7计算。
**电流条件：**基极电流Ib要足够大，Ib > Ice/β，其中β是放大倍数，通常在90-120之间，我们这里按100估算（具体可以查阅详细datasheet获得相应的数据）。
当I/O输出高电平（5V），三极管还未导通时，Vb=5V＞0.7V，所以电压条件满足；
此时Ib=5/4.7k=1mA, βIb=100*1mA=100mA; 而Ic=5/100=50mA, Ice/β=50/100=0.5mA，Ib =1> 0.5mA，所以电流条件也满足。三极管可以正常的工作在截止与饱和导通之间，导通时，Vb=0.7V,Vc=0.3V。
从分析结果来看，不使用下拉电阻R2，三极管是可以工作的，而且在实际应用中，这个电路也确实可以使用。
既然这样，为什么很多电路还要使用下拉电阻呢？这样不是浪费吗？这个R2到底有什么用呢？
三、基极下拉电阻的作用
1. 抗输入干扰
在应用中，I/O口输出高电平（5V）时，要确保三极管导通；同样，在I/O口输出低电平（0V）时，要确保三极管截止。而实际电路中的电磁环境可能比较恶劣，电磁干扰也比较多，如果没有这个电阻，干扰信号可能会串入基极，导致三极管需要截止时而异常导通。干扰模型如下图所示。
而有了这个下拉电阻R2后，下拉电阻会在基极提供1个对地的路径，这样即使有干扰信号串入基极，这个干扰信号会被R2吸收，所以三极管还是保持截止。
2. 解决漏电流问题
I/O口输出低电平（0V）时，Vb=0，三极管Q1处于截止不导通状态，此时Vc处相当于断路，Vc=5V，如下图所示。
但是在实际电路中，由于三极管内部的PN结在制造过程中可能不完全隔离，导致在截止状态下仍有微小的电流流动，这时候会产生从集电极流入基极的漏电流，这个漏电流的大小会受多种因素的影响。 比如材料纯度不够、杂质侵入、高温，高压、元器件老化等都会导致漏电流变大，漏电流达到一定程度时会把三极管带入到一个错误的导通状态，比如进入放大状态，也就是部分导通，如下图所示。
在那些对精度要求极高的电路中，微小的漏电流都可能导致结果出现很大的偏差，进而影响整体结果的准确性。而基级有了这个下拉电阻R2。漏电流就可以经过这个电阻到地，这样三极管还是可靠截止的。
3. 加速关断过程
I/O输出由高到低时，三极管会由饱和导通变为截止状态，也就是关断状态。一些高频或高速电路会要求快速响应，也就是三极管要立即关断。 但是三极管的基极B和发射极E极之间是存在内部电容的，当I/O口输出低电平（0V）时，由于电容的特性是电压不能突变，这就导致Vb不是立即为0，而是逐渐变化的，使三极管截止的过程变慢。而有了这个下拉电阻R2，就与BE之间形成了1个放电的回路，当三极管退出饱和区的时候，基极存储的电荷可以快速的释放掉，从而加快三极管的截止速度，使输出的脉冲上升沿更陡峭，使电路响应更快，具体放电回路如下图所示。
四、总结
三极管基极输入控制端下拉电阻的主要作用是抗输入干扰、解决漏电流问题和加速关断过程，它们在平时正常工作时作用不明显，但是在EMC环境较差、输出精度要求较高和高频电路应用时会发挥重要作用。