GaN HEMT(高电子迁移率晶体管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半导体,具有低工作电阻和高抗损性,有望应用于大功率和高频电子设备。

GAN HEMT的工艺流程
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| | ##### 1. GaN外延层形成 |
| | ##### 2. N+离子注入 |
| | ##### 3. Isolate离子注入 |
| | ##### 4. AlGaN Recess or 选择刻蚀 为了形成Gate的Recess构造,需要非常浅的加工。极低速率、选择加工、无损伤非常重要。 |
| | ##### 5. SiN Gate 绝缘膜形成 |
| | ##### 6. SiN Gate 绝缘膜加工 要求低损伤刻蚀。 |
| | ##### 7. Gate电极形成&Lift off Gate电极的形成使用蒸镀的 Lift off工艺。 |
| | ##### 8. S/D电极形成&加工 Ti/Al以溅射成膜、通过刻蚀加工 形成电极。 |
| | ##### 9. 支持基板贴合&研磨 |
| | ##### 10. 背面Via刻蚀 为了连接电极,需要对背面的 Si/SiC进行Via加工。 |
| | ##### 11. 种子金属层成膜 在电镀之前,通过溅射形成种子层。 |
| | ##### 12. 电镀 |