GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
GAN HEMT的工艺流程
|------------------------------------------------------------------------------------|-----------------------------------------------------------------------------|
| 
| ##### 1. GaN外延层形成 |
| 
| ##### 2. N+离子注入 |
| 
| ##### 3. Isolate离子注入 |
| 
| ##### 4. AlGaN Recess or 选择刻蚀 为了形成Gate的Recess构造，需要非常浅的加工。极低速率、选择加工、无损伤非常重要。 |
| 
| ##### 5. SiN Gate 绝缘膜形成 |
| 
| ##### 6. SiN Gate 绝缘膜加工 要求低损伤刻蚀。 |
| 
| ##### 7. Gate电极形成&Lift off Gate电极的形成使用蒸镀的 Lift off工艺。 |
| 
| ##### 8. S/D电极形成＆加工 Ti/Al以溅射成膜、通过刻蚀加工 形成电极。 |
| 
| ##### 9. 支持基板贴合&研磨 |
| 
| ##### 10. 背面Via刻蚀 为了连接电极，需要对背面的 Si/SiC进行Via加工。 |
| 
| ##### 11. 种子金属层成膜 在电镀之前，通过溅射形成种子层。 |
| 
| ##### 12. 电镀 |