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在半导体制造中硅片的尺寸与其厚度有什么关系呢？在半导体制造中，硅片是制造集成电路和其他器件的基础材料，一般作为芯片的衬底存在。而硅片的尺寸和厚度是制程设计和性能优化中的重要因素。每一种尺寸都有其特定的应用领域，不同尺寸其对应的厚度也相应地有所不同，那么为什么硅片尺寸越大其厚度就越厚？硅片的尺寸与其厚度有什么关系呢？

在半导体制造中什么是晶圆退火工艺？在半导体制造中，退火工艺占据了一席重要的地位。作为一项精确且复杂的热处理技术，退火不仅有助于优化材料的微观结构和物理性能，还对芯片的整体性能和可靠性起着决定性作用。从修复晶格缺陷到促进杂质的分布，从增强材料稳定性到改善电性能，退火工艺无处不在。

昂瑞微冲刺科创板：创新驱动，引领射频芯片国产化新征程近日，备受瞩目的北京昂瑞微电子技术股份有限公司（以下简称“昂瑞微”）即将于10月15日迎来在上交所科创板的重要上会时刻。作为国家级专精特新重点“小巨人”企业，昂瑞微在射频前端芯片领域的卓越表现，为其冲刺科创板增添了强劲动力。

昂瑞微：引领射频前端国产化浪潮，铸就5G时代核心竞争力在5G通信技术飞速迭代、智能终端与物联网应用深度普及的浪潮中，射频前端芯片作为连接“信号”与“终端”的核心枢纽，其技术突破与国产化进程关乎国家信息产业自主可控及战略安全。昂瑞微作为国内射频前端全产品线布局的核心厂商，具备多工艺平台设计能力。不仅构建了覆盖手机终端、智能汽车、智能穿戴、互联网模块等多领域的全系列产品矩阵，更在高集成度模组领域，在国内率先实现L-PAMiD产品对主流品牌客户大规模量产出货，打破国际垄断，解决5G射频前端的“卡脖子”问题。

募投绘蓝图-昂瑞微的成长密码与未来布局2025年3月，科创板IPO考场迎来一家备受瞩目的射频前端芯片设计企业——昂瑞微。作为今年首家获受理的未盈利科技型企业，昂瑞微的上市进程引发市场广泛关注。

什么是ppm，ppb，ppt？在半导体制造中，有些工序会涉及到到极高精度和极低杂质水平的情况，常会用到ppm、ppb和ppt来表示某种物质的浓度。例如：半导体晶体生长中使用的原料，砷化镓（GaAs）或氮化镓（GaN）的杂质浓度；半导体设备需要经过严格的清洁过程以去除可能影响设备性能的杂质。在清洁过程的检查阶段，来测量清洁剂或其他化学品的残留浓度；厂务的废水废气中的微量元素浓度；无尘室中的某些特定杂质浓度等都需要用高精度的浓度单位来表示。

CZ法制造单晶硅片的过程制造单晶硅片的过程比你想象的要复杂得多。这个过程需要精密的设备、高科技的材料，以及精细的控制。其中最主要的制造方法被称为Czochralski法，简称CZ法。这个方法由波兰化学家Jan Czochralski于1916年发明，至今仍是制造单晶硅片的主要方法。

半导体制造常见分析仪器之高分辨率 3D X 射线显微镜高分辨率 3D X 射线显微镜是一种非破坏性方法，与光学显微镜一起使用以提高放大倍数，它使用 2D X 射线断层扫描技术在将固定样品旋转 360 度的同时拍摄各个角度的样品图像。然后通过计算机操作构建被测对象的物理图像,可对被测器件进行CT分析，获取不同深度的图像，清晰显示和验证微缺陷。

半导体制造中的等离子体是什么？等离子于1879年由William Crookes首次发现，1929年由Irving Langmuir命名为“等离子”。等离子体在芯片制造中的应用十分普遍且重要，可以这么说，没有等离子体，芯片的生产就没有可能。在干法刻蚀，PVD，CVD，晶圆表面改性，光刻中几乎都要涉及到等离子体。那么等离子究竟是什么东西？今天来聊一聊。

Parasoft助力RISC-V芯片量产：提供高可靠软件测试方案RISC-V官方近日宣布，首款采用Vector 1.0架构的商用芯片K230已经正式实现量产，这标志着RISC-V生态在高端芯片领域迈出重要一步；随着芯片产品的规模化应用，相应的软件测试需求也日益凸显，Parasoft适时推出支持RISC-V环境的完整软件自动化测试解决方案，帮助芯片厂商和开发者应对功能安全认证挑战，提升代码质量与可靠性。

破壁之道：构建统一EDI平台，提速芯片设计与制造协作链路“过去对接各家晶圆厂费时费力。伊士格科技的半导体EDI方案让我们用一个统一的平台管理所有伙伴，新晶圆厂对接速度大幅提升，运维效率大幅提高，再也不用为复杂协议和标准头疼了。” - IC设计公司运营总监

半导体制造常见检测之拉曼光谱拉曼光谱是一种非破坏性化学分析技术，可提供有关化学结构、相和多晶型、结晶度和分子相互作用的详细信息。它基于光与材料内化学键的相互作用。

什么是半导体制造中的PVD涂层？PVD涂层是一种环保的真空涂层工艺。由于其出色的耐磨和耐腐蚀性能，PVD常用于赋予零部件更好的性能和绚丽的装饰效果。PVD涂层过程在工业、非工业和化妆品应用中很常见。在现代制造业中，PVD是非常重要的表面处理工艺。

晶圆级封装的工艺原理晶圆级封装或 WLP，是一种在晶圆级执行的 IC 封装技术。这意味着封装是在整个晶圆上进行的，只有在封装完成后才能切割晶圆。在晶圆级封装中，组装中使用的组件（例如凸块）应用于晶圆预切割，例如在晶圆级。在传统的半导体制造中，晶圆首先被切割成单独的裸片，然后组装成半导体封装，如 QFN 或 BGA。

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（一）昇腾AI处理器技术1. 昇腾910技术参数昇腾910芯片，是当前计算密度最大的单芯片，适用于AI模型训练，采用7nm制作工艺。其性能接近英伟达 A100（40GB），半精度（FP16）算力达到 320 TFLOPS，整数精度（INT8）算力达到 640TOPS，最大功耗为310瓦。

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AD8028ARZ-REEL7电子元器件ADI 运算放大器IC 精密模拟芯片是什么电子元器件？AD8028ARZ-REEL7 是Analog Devices Inc. (ADI) 公司推出的一款高速、低噪声、低失真电压反馈型运算放大器。它采用SOIC-8标准封装，是一款专为高带宽、高动态范围应用而设计的精密模拟芯片。后缀"REEL7"表示包装方式为卷带（Reel）。

无需外部补偿的同步降压方案：AP3471在分布式供电系统中的应用在现代电子系统设计中，电源管理模块的性能直接决定了整机的稳定性和能效表现。尤其面对工业控制、车载设备及分布式供电等复杂应用场景，工程师往往需在宽输入电压、高输出电流、高效率和紧凑布局等多重约束下寻求最优解。深圳市世微半导体推出的AP3471同步降压驱动器，以其8–30V宽输入范围、3.1A持续输出能力、高集成度与多项智能保护机制，为这类挑战提供了可靠且高效的电源解决方案。

一文看懂什么是GaN HEMT以及其工艺流程（氮化镓高电子迁移率晶体管）GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。

DC-DC芯片基础及其ATE测试下图为MOS管闭合以及断开时，各节点的电流波形。可以看到，当MOS管闭合时，此时VIN和电感相连，电感上的电流IL上升，二极管由于反向截止，因此电流为零。

无人机芯片休眠模式解析1. 延长续航时间（最核心的作用）无人机最大的瓶颈之一就是电池续航。飞行时，所有芯片（飞控CPU、视觉处理VPU、图像传输模块、GPS模块等）全速运行会消耗大量电能。