芯片

RDMA Scheduler + TX + Completion RTL 开发经验分享在芯片验证和 RTL 开发过程中，很多同学可能遇到这样的问题：明明文档写好了模块接口，但实际开发时不知道从哪里开始，或者模块之间的交互链路不清晰。

SC4D40120H-JSM 碳化硅肖特基二极管在新能源革命与工业智能化的双重驱动下，碳化硅（SiC）功率器件凭借耐高温、低损耗、高频化的核心优势，成为电力电子领域升级换代的 “核心引擎”。深耕碳化硅赛道的杰盛微半导体，重磅推出SC4D40120H-JSM 碳化硅肖特基二极管，精准对标行业经典型号 C4D40120H，在参数一致性、性能稳定性、应用适配性上实现全面匹配，更以本土化服务与高性价比优势，为全球客户提供 “即换即用” 的优质替代方案，赋能伺服驱动、新能源逆变等高端场景技术升级。

ARM 架构中的 CONTROL 寄存器本文来自于我关于 Arm Cortex-M 编程模型的系列文章。欢迎阅读、点评与交流~ 1、Arm Cortex-M 处理器的编程模型 2、ARM 架构中的R13栈指针（SP） 3、ARM 架构中的R14链接寄存器（LR） 4、ARM 架构中的 R15 程序计数器（PC） 5、ARM 架构程序状态寄存器（PSR）详解：从基础概念到现代实现 6、ARM 架构中的 PRIMASK、FAULTMAST、BASEPRI 寄存器 7、ARM 架构中的 CONTROL 寄存器

紫光国微成立中央研究院，端侧AI芯片如何重构机器人产业版图？当全球科技巨头纷纷扎堆云端大模型赛道、陷入参数竞赛的红海时，中国半导体领军企业紫光国微却走出了一条差异化突围之路。近日，紫光国微正式宣布成立中央研究院，明确将具身机器人等端侧AI芯片研发列为核心重点方向。这一战略布局绝非偶然，背后暗藏着对下一代智能终端核心需求的深刻洞察——在具身智能爆发的前夜，端侧“芯片级大脑”的重要性正愈发凸显。

从SV OOP到UVM：RDMA验证环境迁移的起步与复盘在RDMA（远程直接数据存取）模块的验证工作中，为了提升环境的可复用性、可扩展性和工业界适配性，我启动了从“自定义SystemVerilog OOP环境”向“UVM标准环境”的迁移。核心原则是“一次只改一个点，跑通再推进”，避免多改动叠加导致的调试混乱。本文记录迁移起步阶段的收获、踩坑与后续规划。

充电宝安全新规：筑牢移动能源安全防线2025年，充电宝安全议题持续发酵。从北京高校紧急禁用罗马仕充电宝，到民航局全面禁飞无3C标识产品；从安克创新召回71万台问题设备，到全国机场安检口堆积如山的弃置充电宝——这场由安全焦虑引发的行业地震，最终催生出中国充电宝史上最严监管体系。截至2025年12月，新规实施已满四个月，其带来的产业变革与民生影响正深刻重塑着移动电源市场格局。

雅欣鱼子酱

【应用】国产电流检测芯片FP137助力方向盘加热系统，共模抑制比达120dB方向盘加热装置可以通过方向盘上的加热按钮来控制开启或关闭，此功能可以在寒冷的季节让方向盘变得温暖，让驾驶者握方向盘时不再觉得寒冷不适。

百度智能云技术站

百度百舸 X 昆仑芯 | 开源 vLLM-Kunlun Plugin，快速适配新模型、跑出极致性能为解决国产芯片部署开源大模型的效率与性能瓶颈，百度百舸联合昆仑芯正式推出 vLLM-Kunlun Plugin —— 一款面向百度昆仑芯 XPU 的高性能 vLLM 平台插件，该 Plugin 现已全面开源。

IP5316至为芯支持TYPE-C协议2.4A充放电的移动电源方案芯英集芯IP5316是一款应用于移动电源、充电宝等便携设备的移动电源方案SOC芯片。支持最大2.4A同步开关充电，兼容多种锂电池电压（4.20V到4.40V）。内置同步升压转换器，支持最大2.4A输出电流，支持4/2/1颗LED电量显示。集成Type-C DRP协议，支持单口输入输出，兼容DCP协议。内置功率MOS管，仅需单电感即可实现充放电功能，大幅减少外围元器件数量，采用ESSOP10封装，体积小巧，便于PCB布局，节省空间。支持低成本电感和电容方案，进一步降低整体成本，适合大规模生产。

黑客思维者

芯片的隐形对手：量子隧穿如何悄然重塑算力极限现代芯片的诞生，本质是人类在原子尺度上驯服电子的伟大实践——我们用光刻技术刻蚀出纳米级的“电子道路”，以晶体管为“智能闸门”，通过电压变化精准控制电流流向，最终将亿万次逻辑运算压缩在指甲盖大小的硅片上。但当这条“道路”的宽度、“闸门”的厚度缩减到原子级别时，经典物理的规则悄然失效，量子世界的幽灵开始显现：电子不再遵循既定路线，而是像拥有了“穿墙术”般，无视绝缘层的阻挡自由穿梭。

什么是SACVD？上节，我们说到HDPCVD用在90nm线宽，6：1的深宽比的结构中，见文章:HDPCVD的原理但是，在亚65nm及以下的技术节点，特别是高深宽比结构（>10：1）的填充中，SACVD逐渐取代HDPCVD。

先进封装 – 从 2D、3D 到 4D 封装电子集成技术分为片上集成、封装内集成和PCB板级集成三个层次。SoC、SiP和PCB是代表性技术（也称为SoP或SoB）。芯片上的集成主要是 2D，晶体管平铺集成到晶圆平面中。同样，PCB集成是2D的，电子元件平装在PCB表面上，因此两者都是2D集成。当涉及到包内集成时，情况要复杂得多。

雅欣鱼子酱

MPPT太阳能控制器是如何控制电流的？电流检测IC是怎么发挥作用？在太阳能光伏系统中，MPPT控制器（Maximum Power Point Tracking）全称是 “最大功率点跟踪” 控制器，又叫光伏逆变器，太阳能充放电控制器。

RDMA RC 协议数据缓冲模块设计：从需求到验证全解析在RDMA（远程直接内存访问）RC（可靠连接）协议的硬件实现中，数据缓冲模块是保障传输稳定性的核心枢纽——它既要衔接AXI-Stream接口的高速数据流入，又要配合流量控制模块实现“按需发送”，还要解决数据帧的时序错配问题。本文将从工程实践角度，完整拆解一款适配QP状态机、流量控制与PDU解析模块的RDMA RC数据缓冲模块，包含设计思路、核心逻辑、验证方法及集成技巧，代码可直接用于FPGA/IC开发。

在HKMG工艺中，为什么不能再用多晶硅做栅极？知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：在HKMG工艺中，会用到HfO2等作为栅介质层，为什么不能再用多晶硅做栅极，而是改为金属栅极？

PVD，CVD有很多种类，它们分别用在哪些芯片节点的沟槽填充中？知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：PVD，CVD有很多种类，它们分别用在哪些芯片节点的沟槽填充中，麻烦介绍下。

深圳市尚想信息技术有限公司

MC33072DR2G 双路运算放大器ON安森美工业电源驱动芯片解析MC33072DR2G 的表格：MC33072DR2G 的核心价值在于其卓越的通用性、稳健的电源适应能力和出色的输出驱动性能。

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CXDQ2BFAM-CE-B存储器DDR4内存芯片CXMT长鑫存储集成电路芯片解析CXDQ2BFAM-CE-B是长鑫存储（CXMT）推出的商用级DDR4存储器内存芯片，采用先进的半导体工艺制造。该产品具有4GB（4Gbx16）容量，支持2400Mbps数据传输速率，工作电压为1.2V，采用78-BGA标准封装，工作温度范围覆盖0℃至95℃的商业级应用需求。作为国产DRAM产业的代表产品，其卓越的性能和可靠的品质正逐步改变国内存储器市场格局。

光刻工艺工程师职场就业相关面试问题汇总知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：up能出一期光刻工艺工程师职场就业相关面试问题啥的吗？

硬件设计实战：解决Valid单拍采样失效问题（附非阻塞赋值与时序对齐核心要点）在Verilog/SystemVerilog硬件设计与仿真调试中，时序逻辑的采样失效是高频踩坑点。笔者近期遇到一个典型问题：时序赋值语句中<=右侧信号有有效数据，但左侧信号始终无更新，排查后发现核心诱因是触发信号valid仅持续单拍，且与时钟上升沿时序错位（仅存在下降沿、无有效上升沿采样窗口）。本文将结合该问题，拆解非阻塞赋值的底层逻辑、时序对齐的核心要求，并给出valid信号展宽的通用解决方案，帮助硬件工程师规避同类问题。