在 STM32 的 Flash（闪存）中，扇区（Sector）、页（Page）、块（Block） 是基于存储管理需求划分的层级概念，核心目的是平衡 "擦除效率" 和 "存储灵活性"------Flash 的物理特性决定了只能按固定最小单元擦除（擦除后数据全为 1），但可按字节 / 半字 / 字编程（写 1→0），因此需要分层设计来适配不同场景的读写需求。
一、核心前提：Flash 的物理特性（理解分层的关键）
STM32 的 Flash 属于NOR Flash（部分大容量型号含 NAND Flash，但系统 Flash 多为 NOR），其核心约束：
- 编程（写）：只能将已擦除的 "1" 改写为 "0"，不能直接改写 "0" 为 "1"；
- 擦除（Erase）：必须按固定 "最小擦除单元" 执行，擦除后该单元内所有位恢复为 "1"；
- 分层设计：物理上的 "最小擦除单元" 可能较大（如 16KB），若直接按此操作会浪费空间，因此引入更细粒度的 "页" 用于编程，"扇区 / 块" 用于擦除，形成 "物理擦除单元" 与 "逻辑编程单元" 的分离。
二、三个概念的精准定义与区别
| 概念 | 物理 / 逻辑属性 | 核心作用 | 操作限制 | 大小范围（STM32 典型值） |
|---|---|---|---|---|
| 页（Page） | 逻辑 / 物理单元 | 最小编程单元（写操作） | 只能编程（写 1→0），不能单独擦除 | 128B、256B、512B（如 STM32F1/F4） |
| 扇区（Sector） | 物理单元 | 最小擦除单元（基础级） | 必须整扇区擦除，擦除后可分页编程 | 4KB、8KB、16KB、64KB、128KB |
| 块（Block） | 物理 / 逻辑单元 | 多个扇区的集合（高级擦除） | 整块擦除（效率高于单扇区多次擦除） | 64KB、128KB、256KB（如 STM32H7） |
简单总结：
- 页 ="写字的格子"：最小的写入单位，每次写数据至少占 1 页（即使只写 1 字节，也会占用 1 页的空间，剩余部分不可再写，除非擦除）；
- 扇区 ="一整页纸"：最小的 "可擦除纸张"，要修改纸上任何一个 "格子"（页）的内容，必须先把整页纸（扇区）擦干净（全 1），再重新写需要的 "格子"；
- 块 ="一叠纸"：多个 "扇区" 打包成的大单元，适合批量擦除（比如擦除整个应用程序分区），效率更高。
三、STM32 不同系列的实际划分（重点！避免混淆）
不同 STM32 系列（F1/F4/F7/H7/L4 等）的 Flash 扇区 / 页 / 块大小差异较大，必须以对应型号的参考手册（RM）为准，以下是最常用系列的典型划分：
1. STM32F1 系列（中低端，如 F103）
- 无 "块" 概念，仅分扇区，且扇区大小不均（前小后大，兼顾小容量存储和效率）；
- 无单独 "页" 定义：编程时按 "半字（2B）" 为最小单位，但擦除必须按扇区；
- 典型扇区划分（以 512KB Flash 为例）：
- 扇区 0~3：各 4KB（共 16KB，适合存 Bootloader、配置参数）；
- 扇区 4：16KB；
- 扇区 5~11：各 64KB（共 448KB，适合存应用程序）。
2. STM32F4 系列（中高端，如 F407）
- 引入页（Page）：最小编程单元为 2KB（部分型号 1KB）；
- 扇区 = 多个页的集合：擦除按 "扇区" 或 "整个 Flash"；
- 典型划分（以 1MB Flash 为例）：
- 扇区 0~3：各 16KB（每扇区含 8 个 2KB 页）；
- 扇区 4：64KB（含 32 个 2KB 页）；
- 扇区 5~11：各 128KB（含 64 个 2KB 页）。
3. STM32H7 系列（高端，如 H743）
- 明确区分块（Block）、扇区（Sector）、页（Page），层级更清晰；
- 典型划分（以 2MB Flash 为例）：
- 1 个 Block = 256KB；
- 1 个 Block = 4 个 Sector（每个 Sector=64KB）；
- 1 个 Sector = 16 个 Page（每个 Page=4KB）；
- 支持：按 Page 编程、按 Sector/Block/ 全片擦除。
4. STM32L4 系列（低功耗，如 L476）
- 页大小更小（128B/256B），适合小批量数据存储（如参数、日志）；
- 扇区划分灵活：如 256KB Flash 分为 128 个 2KB 扇区，或 64 个 4KB 扇区（可通过配置寄存器选择）。
四、实际操作中的核心规则（避坑关键）
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编程前必须擦除：若要修改某页的数据，需先擦除其所属的 "扇区 / 块"（因为页不能单独擦除），再重新编程该页及扇区内其他需要保留的数据（需先备份扇区数据，擦除后恢复 + 修改）。例：修改 F407 的某 2KB 页数据 → 备份该页所属 16KB 扇区的所有 8 个页数据 → 擦除 16KB 扇区 → 恢复 7 个无需修改的页 + 编程修改后的页。
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擦除单位不能小于最小擦除单元：比如 F103 的最小擦除单元是 4KB（扇区 0），不能只擦除 2KB；H7 的最小擦除单元是 64KB（扇区），不能只擦除 4KB（页）。
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编程地址必须对齐：页编程时，地址需对齐到页大小（如 2KB 页需对齐到 0x800、0x1000 等）；半字 / 字编程需对齐到 2B/4B（STM32 Flash 总线宽度多为 32 位）。
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块的作用是批量操作：擦除整个应用程序分区时，若该分区占用多个扇区，直接擦除对应的 "块" 比逐扇区擦除更快（减少擦除指令次数）。
五、应用场景举例
| 场景 | 选择单元 | 原因 |
|---|---|---|
| 存储 Bootloader（小容量、需频繁更新） | 小扇区（4KB/8KB） | 擦除速度快，不浪费空间 |
| 存储应用程序（大容量、少更新） | 大扇区 / 块（64KB/128KB） | 单次擦除容量大，效率高 |
| 存储配置参数（100 字节，需频繁修改） | 小页（128B/256B） | 编程粒度细，备份 / 恢复的数据量小 |
| 批量擦除整个 Flash（如固件升级） | 全片 / 大块擦除 | 比逐扇区擦除快，简化操作 |
六、总结
STM32 Flash 的 "扇区 - 页 - 块" 是基于物理特性的逻辑分层设计，核心逻辑：
- 页：最小编程单元 → 提升写入灵活性；
- 扇区：最小擦除单元 → 平衡擦除效率和空间浪费；
- 块：扇区集合 → 提升批量擦除效率。
实际开发中，第一步必须查阅对应型号的参考手册（RM）中 "Flash 存储器" 章节，确认具体的页 / 扇区 / 块大小、地址范围，再设计存储分区（如 Bootloader 区、应用区、参数区），避免因单元大小混淆导致数据丢失或操作失败。