当AIN1是高电平HO输出高电平，当AIN1是低电平时LO会输出高电平，当12V变为24V时，HO和LO为高电平时也是24V，大于Q1Q2栅极承受的+/-20V，范围。会直接损坏Q1Q2吗？
首先这个电路中有一个电路结构，叫做"自举电路"。
这个电路中自举电路的工作原理可以拆成两个阶段（配合 Q1、Q2 的开关状态），核心是利用电容 "电压不能突变" 的特性，为高端 MOS 管 Q1 提供足够的驱动电压：
阶段 1：Q2 导通，自举电容充电
当 AIN1 为低电平→LO 输出高电平→Q2 导通，此时 MOTOA 节点电位接近 GND（0V）：
12V 电源通过二极管 D7（B340A）向自举电容 C2（10μF）充电，直到 C2 两端电压被充至约12V（电容上端接 12V，下端接 MOTOA/GND）。
阶段 2：Q1 导通，自举电容放电（提供浮置电源）
当 AIN1 为高电平→HO 输出高电平→Q1 准备导通，此时 MOTOA 节点电位会被 Q1 拉到接近 12V：
由于电容 C2 的电压不能突变，C2 下端（接 MOTOA）电位升高 12V 时，上端电位会同步升高至 12V（电源）+12V（电容电压）=24V；
这个 24V 的电压通过 U1 的 VB 脚输入，为 EG2104 的高端驱动电路供电，使 HO 输出足够的电压（约 24V - 芯片压降），保证 Q1 的栅极 - 源极电压（Vgs）足够大，让 Q1 可靠导通。
简单说：自举电路是用电容 "暂存" 电源电压，在高端 MOS 管导通时，把电容电压叠加到电源电压上，为高端驱动提供高电压。
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