三种刷新策略（DRAM刷新方式）
DRAM 依靠电容存储电荷，会漏电，必须定期刷新（读出再写入）以保持数据。刷新按操作方式分为三种：
| 刷新策略 | 定义与操作方式 | 优点 | 缺点 |
|---|---|---|---|
| 集中式刷新 | 在一个刷新周期内，集中一段时间 连续刷新所有行，其余时间正常读写。刷新期间 CPU 死等。 | 读写操作不受刷新打扰，系统存取周期短。 | 刷新时间形成死区，在此期间 CPU 无法访存，降低系统效率。 |
| 分散式刷新 | 将刷新周期分散到每个存取周期之后，每次只刷新一行。例如存取周期 1μs，前 0.5μs 读写，后 0.5μs 刷新。 | 无死区，CPU 随时可访存，控制简单。 | 刷新过于频繁（每周期都刷），加长了系统存取周期，降低了整机速度。 |
| 异步刷新 | 将刷新周期均匀分割成若干等份，每隔固定时间刷新一行。例如 2ms 内刷新 128 行，则每 15.6μs 产生一次刷新请求，刷新一行。 | 结合前两者优点：既减少了死区时间 （仅一行刷新时 CPU 稍等），又不显著拉长存取周期。 | 控制电路略复杂，需定时产生刷新请求。 |
SRAM 与 DRAM 对比及用途
| 对比维度 | SRAM（静态随机存取存储器） | DRAM（动态随机存取存储器） |
|---|---|---|
| 存储原理 | 双稳态触发器（6个 MOS 管） | 电容充放电（1个 MOS 管 + 1个电容） |
| 速度 | 快（几纳秒） | 慢（几十纳秒） |
| 集成度 | 低（管子多，面积大） | 高（结构简单，可做很大容量） |
| 功耗 | 静态功耗低，工作时功耗高 | 漏电需刷新，刷新功耗大 |
| 是否需要刷新 | 不需要 | 需要（必须定时刷新） |
| 成本 | 高 | 低 |
用途定位：
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SRAM 做主存？还是做缓存？
→ 做 Cache（高速缓冲存储器）理由：速度快、无需刷新、能匹配 CPU 速度，但成本高、集成度低，不适合做大容量主存。
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DRAM 做主存？还是做缓存？
→ 做主存（内存条）理由：成本低、集成度高、可轻松实现 GB 级容量，虽然速度慢且需刷新，但通过 Cache 弥补速度差距，是目前计算机主存的绝对主流。