硬件工程知识(更新中)

文章目录


欧姆定律

U = I ∗ R U=I*R U=I∗R
I = U R I=\frac{U}{R} I=RU
R = U I R=\frac{U}{I} R=IU

电子元件有最大耐压和最大电流,设计电路不可超过该原件的最大值(超过最大电压可能会被击穿,超过最大电流可能会被烧毁)


功率计算公式

P = I ∗ U P=I*U P=I∗U
P = I 2 ∗ R P=I^2*R P=I2∗R
P = U 2 R P=\frac{U^2}{R} P=RU2

电子元件有额定功率,设计电路不可超过额定功率(可能会过热烧毁)


电阻分压公式

V R = ( V 1 − V 2 ) ⋅ R 2 R 1 + R 2 + V 2 \boldsymbol{V_R = \frac{(V_1-V_2)\cdot R_2}{R_1+R_2}+V_2} VR=R1+R2(V1−V2)⋅R2+V2

pyhton 复制代码
V₁  ──── R₁ ────【节点VR】─── R₂ ──── V₂ 

各类电电容性能对照表

产品类型 中文名 外观 低ESR 长寿命 温度特性 DC偏置特性 高容量 高电压 小型/薄型
MLCC 多层陶瓷电容 贴片元件
Polymer Al Cap 导电高分子铝电解电容 贴片元件
Polymer Ta Cap 导电高分子钽电容 贴片元件
Polymer Al Cap (V-chip) V-chip型导电高分子铝电解电容 贴片元件 ×
Ta Cap (MnO2 type) 二氧化锰型钽电容 贴片元件
Al Capacitor (Electrolyte type) 液态铝电解电容 贴片元件 × ×

符号说明

  • ◎:优秀(excellent)
  • ○:良好(good)
  • △:一般(normal)
  • ×:较差(bad)

注:MLCC 的温度特性和 DC 偏置特性与介质类型密切相关;本表默认按常见高容值 X5R/X7R 类器件进行概括,不适用于 C0G/NP0 等温度稳定型介质。


电容口诀

  1. 电容刚上电时相当于短路,稳态后相当于开路(电容上电的瞬间可以当成一根导线来看待)

  2. 电容两端电压差不会突变,但电容两端电压可以一起突变(电容不管"两端一起抬高多少",但"你俩之间不能瞬间拉开差距")

    也就是说:

    • 两端一起升高/降低,可以
    • 两端之间的压差瞬间改变,不可以

相关推荐
芯片设计-曾工11 小时前
当精准脉冲遇上清晰视界——CH2205E模块与YL1621的“黄金搭档“
驱动开发·stm32·单片机·51单片机·硬件工程
Konwledging1 天前
CDR时钟数据恢复
硬件工程
czhaii2 天前
UC3842和431可控精密稳压源
硬件工程
Industio_触觉智能2 天前
瑞芯微RV1126B安防视觉场景解析|AI门禁+智能IPC+边缘分析
人工智能·硬件工程·智能硬件·核心板·瑞芯微·rv1126b·rv1126bj
平凡的小蚂蚁2 天前
Exynos4412-POP-7inLCD裸机开发完整教程(STM32 库风格)
驱动开发·stm32·单片机·嵌入式硬件·嵌入式·硬件工程
Konwledging2 天前
物理层 2
硬件工程
智者知已应修善业3 天前
【三位数字显示计时定时器设计-同步方式】2025-6-30
驱动开发·经验分享·笔记·硬件架构·硬件工程
LCMICRO-133108477463 天前
国产长芯微LD3092完全pin-pin替代LT3092,是一款可编程两端电流源
arm开发·单片机·嵌入式硬件·fpga开发·硬件工程·恒流源·lt3092
nuoxin1143 天前
BL-M8812CU3 无线 WiFi 模块-富利威
人工智能·嵌入式硬件·fpga开发·硬件工程·dsp开发
JNX_SEMI3 天前
Hi5000Q/H 6.5~75V宽输入——与H5227A完全对等,无缝适配现有电源方案-聚能芯-智芯官方授权一级代理
驱动开发·单片机·嵌入式硬件·物联网·硬件工程