AFE均衡技术详解(二):被动均衡原理、电路、散热与局限
一、引言
被动均衡是电池均衡里最简单、最成熟、成本最低 的方案,也是绝大多数 AFE 芯片内置的均衡方式。它的原理可以用一句话概括:给电压偏高的电芯并联电阻,把多余能量以热量形式耗散掉。
本文讲解被动均衡的电路原理、两种实现方式、关键参数计算、散热设计和局限。
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在实际开发过程中,我们通常均衡和采样不同时触发,因为均衡会对电压造成干扰,造成电压漂移,出现误判。


二、电路原理
2.1 基本拓扑
给每节电芯并联一个"开关 + 电阻"支路:
┌────[开关 S]────[均衡电阻 R]────┐
│ │
电芯+ ───┼──────────────────────────────┼─── 电芯+
│ │
电芯 电芯
│ │
电芯- ───┴──────────────────────────────┴─── 电芯-
工作流程:
- 检测到某节电芯电压偏高
- 闭合该电芯的均衡开关 S
- 均衡电流流过电阻 R,电芯放电 → 电压下降
- 电压对齐后断开开关 S
本质:高电压电芯 → 开关 → 电阻 → 热量。多余能量被白白消耗,这是被动均衡的代价。
2.2 能量流向
高电压电芯 ──► 开关导通 ──► 电阻发热 ──► 热量耗散
只降不升:只能让高电压电芯放电,不能给低电压电芯补电。
三、两种电路实现方式
方式 1:AFE 内置均衡开关(最常见)
大多数 AFE 芯片(LTC6811、MC33771C、SH367309 等)内置均衡 MOSFET,只需外接均衡电阻:
AFE 芯片内部
┌────────────────────┐
电芯N+──┤── 内部均衡MOSFET ──├── 均衡引脚 ──► 外接电阻 R ──► 电芯N+
│ (寄存器控制) │
└────────────────────┘
- 优点:电路极简,BOM 成本低
- 局限:均衡电流受内部 MOS 限制(通常 50~300mA)
方式 2:外置 MOSFET 扩展(大电流)
需要更大均衡电流时,用外置 MOSFET 扩展(如 ADBMS6830 需外扩):
AFE 芯片
┌──────────────┐
电芯N+──┤── 驱动引脚 ───┼──► 外置MOSFET ──► R ──► 电芯N+
└──────────────┘
- 优点:均衡电流可做到 1A 以上
- 代价:增加 MOSFET、驱动、散热设计,成本上升
各 AFE 均衡能力速查
| AFE | 内置均衡电流 | 是否需外扩 |
|---|---|---|
| ADI LTC6811 | ~60mA | 否 |
| ADI ADBMS6830 | 驱动信号 | 需外扩MOS |
| TI BQ79616 | ~50mA | 否 |
| NXP MC33771C | 300mA | 否 |
| 中颖 SH367309 | 内置平衡开关 | 否 |
四、关键参数计算
4.1 均衡电流
I_bal = V_cell / R_bal
| 均衡电阻 R | 3.0V | 3.3V | 3.6V |
|---|---|---|---|
| 10Ω | 300mA | 330mA | 360mA |
| 22Ω | 136mA | 150mA | 164mA |
| 33Ω | 91mA | 100mA | 109mA |
| 51Ω | 59mA | 65mA | 71mA |
电阻越小电流越大、均衡越快,但发热越大。
4.2 均衡功率(发热)
P = I_bal² × R = V_cell × I_bal
| 均衡电流 | 3.3V 时功率 | 发热感受 |
|---|---|---|
| 50mA | 0.165W | 微热 |
| 100mA | 0.33W | 温 |
| 200mA | 0.66W | 烫 |
| 300mA | 0.99W | 很烫,需散热 |
4.3 均衡时间
均衡时间 ≈ 需耗散的电量 / 均衡电流
例:两节 100Ah 电芯压差 50mV,200mA 均衡:
多出电量 ≈ 100Ah × 0.05V / 3.2V ≈ 1.56Ah
均衡时间 ≈ 1.56Ah / 0.2A ≈ 7.8 小时
注意:被动均衡很慢!容量越大、压差越大,均衡时间越长,这是它在大容量储能中的局限。
五、散热设计(核心难点)
被动均衡把能量变热,散热决定能跑多大电流。
5.1 热量估算
假设 16 节电池中 8 节同时均衡,每节 300mA:
总热量 = 8 × 0.3A × 3.3V ≈ 7.9W
这 8W 集中在 BMS 电路板上,必须散掉。
5.2 散热设计要点
| 设计项 | 建议 |
|---|---|
| 均衡电阻封装 | ≥0805,建议 2512 功率电阻(承受 0.5~2W) |
| PCB 铺铜 | 电阻下方和周边铺铜散热 |
| 过孔阵列 | 铺铜区加散热过孔,连通各层 |
| 电阻间距 | 相邻电阻留足间距,避免热量叠加 |
| 远离电芯 | 均衡电阻远离电池本体,防热传导 |
| 温度监控 | 均衡电路附近放温度传感器,过温暂停 |
5.3 散热不足的后果
- 局部过热 → 影响周围电池温度 → 干扰温度采集和热管理
- 高温下电阻漂移 → 均衡电流变化 → 均衡不准
- 严重时烧板、安全隐患
工程红线:被动均衡的持续电流必须与散热能力匹配,宁可降低电流也不要让局部温度失控。
【图片位置3:均衡散热设计示意图(铺铜+过孔)】
六、局限
| 局限 | 说明 | 影响 |
|---|---|---|
| 能量浪费 | 多余能量全变热 | 充电效率下降 1~3% |
| 速度慢 | 电流小(50~300mA) | 大容量均衡需数小时 |
| 散热瓶颈 | 电流受散热限制 | 无法高电流均衡 |
| 只降不升 | 只能高电压放电 | 不能给低电压补电 |
| 发热问题 | 局部热点干扰热管理 | 有安全隐患 |
适用边界:
容量 < 50Ah → 完全够用(消费电子、两轮车、小储能)
容量 50~200Ah → 可用,需加强散热(中小储能)
容量 > 200Ah → 速度跟不上,建议主动均衡(大储能、动力)
七、总结
被动均衡是最简单、最可靠、成本最低的均衡方案,但受限于能量耗散和散热,只适合中小容量电池。
核心要点:
- 原理:高电压电芯通过电阻放电,能量变热耗散
- 电路:AFE 内置开关 + 外接电阻即可,大电流需外扩 MOSFET
- 电流:I = V/R,10Ω~100Ω 对应 30~360mA
- 散热是关键:P = I²R,大电流必须做好 PCB 散热
- 局限:能量浪费、速度慢、只降不升、大容量跟不上
被动均衡理解透了,下一篇讲主动均衡(能量转移),两者对比起来看,均衡技术就完整了。
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