一、产品整体概述
EG2134 是屹晶微电子三相独立 N‑MOS 半桥栅极驱动芯片，无内置功率管，外接六路 N 沟道 MOS/IGBT ；提供TSSOP‑20、QFN‑24 两种封装；每路高端悬浮耐压300V ；VCC 供电4.5‑20V，典型 12V ；图腾柱输出拉电流 1.2A、灌电流 1.4A；HIN、LIN 全部高电平有效；每相独立硬件死区、桥臂互锁闭锁；需要外接自举二极管与自举电容；HIN/LIN 内置 240kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 1μA；最高支持 500kHz 开关频率；主要用于三相直流无刷 BLDC 电机驱动器。
版本对比：和 EG2124A 定位接近，耐压 300V 高于 EG2124A 的 260V；和 EG6288 对比，EG6288 耐压 220V 但内置自举二极管 ，EG2134 耐压 300V，必须外接自举二极管。
二、五大核心差异化硬件优势
‑ 300V 三相半桥自举悬浮驱动 U/V/W 三相完全独立半桥架构；母线耐压最高 300V；单路 VCC 供电 4.5‑20V；自举二极管需要外部增加，仅自举电容接 VB‑VS，适合中高压三相 BLDC。
‑ 每相独立硬件死区 + 桥臂互锁闭锁 单桥臂死区 50‑300ns，典型 100ns；HIN、LIN 同时为高或者同时为低，HO、LO 强制全部关断，硬件防止上下管直通；输入引脚内置 240kΩ 下拉，引脚悬空输出关闭，规避上电 IO 浮空误开通。
‑ 驱动能力 1.2A/1.4A，高速开关 拉 1.2A、灌 1.4A；高低端开关延时几百 ns，最高 500kHz；输入阈值 2.5V，可直连 3.3V/5V MCU。
‑ 超小静态功耗 输入悬空静态电流典型仅 1μA，适合电池供电电机设备。
‑ 双封装可选 TSSOP‑20 通用贴片；QFN‑24 小体积高密度方案。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 三相独立半桥电平位移，需要外接自举二极管；
- 每相独立硬件死区 DT：50~300ns，典型 100ns；
- 每相桥臂互锁闭锁：HIN、LIN 同高 / 同低，HO、LO 全部关断；
- HIN/LIN 内置 240kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；
- 输入脉冲滤波，抑制尖峰干扰。
⚠️重要限制
- 仅栅极驱动，无内置 MOS，外接 6 颗 N‑MOS/IGBT；
- 无 VCC、VB 欠压保护电路，欠压防护需要外部电路实现；
- 互锁只保护本桥臂，三相之间时序需要 MCU 软件保证；
- 无芯片过温、硬件过流保护，MOS 故障依靠外部采样 + MCU；
- 无 nFAULT 故障输出引脚，故障直接关断输出。
四、引脚功能定义（TSSOP‑20）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | HIN1 | I | U 相上管输入，高有效；内置 240kΩ 下拉 |
| 2 | HIN2 | I | V 相上管输入，高有效；内置 240kΩ 下拉 |
| 3 | HIN3 | I | W 相上管输入，高有效；内置 240kΩ 下拉 |
| 4 | LIN1 | I | U 相下管输入，高有效；内置 240kΩ 下拉 |
| 5 | LIN2 | I | V 相下管输入，高有效；内置 240kΩ 下拉 |
| 6 | LIN3 | I | W 相下管输入，高有效；内置 240kΩ 下拉 |
| 7 | VCC | Power | 芯片供电 4.5‑20V，典型 12V；就近放置 0.1μF 旁路电容 |
| 8 | GND | GND | 芯片信号地，和 MCU 共地 |
| 9 | LO3 | O | W 相下管栅极输出 |
| 10 | LO2 | O | V 相下管栅极输出 |
| 11 | LO1 | O | U 相下管栅极输出 |
| 12 | VS3 | O | W 相高端悬浮参考点（桥臂中点） |
| 13 | HO3 | O | W 相上管栅极输出 |
| 14 | VB3 | Power | W 相高端悬浮电源，接自举电容 |
| 15 | VS2 | O | V 相高端悬浮参考点（桥臂中点） |
| 16 | HO2 | O | V 相上管栅极输出 |
| 17 | VB2 | Power | V 相高端悬浮电源，接自举电容 |
| 18 | VS1 | O | U 相高端悬浮参考点（桥臂中点） |
| 19 | HO1 | O | U 相上管栅极输出 |
| 20 | VB1 | Power | U 相高端悬浮电源，接自举电容 |
单桥臂逻辑真值表（U/V/W 任意一相） | HINx | LINx | HOx | LOx | 状态 | |---|---|---|---|---| | 0 | 0 | 0 | 0 | 上下管全部关断 | | 0 | 1 | 0 | 1 | 仅下管导通 | | 1 | 0 | 1 | 0 | 仅上管导通 | | 1 | 1 | 0 | 0 | 互锁保护全部关断，防止桥臂直通 |
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 电源：VCC‑GND 放置 0.1μF 陶瓷旁路电容，紧贴引脚。
- 三相自举回路 ：VBx‑VSx 接自举电容；每相需要外接耐压≥300V 快恢复自举二极管到 VCC。
- 栅极电阻 Rg：HO1‑HO3、LO1‑LO3 输出串联栅极电阻，靠近 MOS 栅极，抑制栅极振荡。
- 功率器件：外接 6 颗 N 沟道 MOS/IGBT 组成三相桥，母线最高 300V。
- MCU 逻辑输入：HIN1‑3、LIN1‑3 直连 MCU IO，输入高电平≥2.5V。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 的 0.1μF 去耦电容紧贴 VCC‑GND 引脚。
- 三相自举二极管、自举电容分别紧靠对应 VB、VS 引脚，缩短悬浮回路，减小寄生电感。
- HO、LO 栅极驱动走线尽量短；栅极电阻靠近 MOS 管栅极，减小栅极环路，抑制高频振铃。
- VS1/VS2/VS3 高压桥臂中点走线远离 HIN/LIN 逻辑信号线，避免高压噪声耦合误触发逻辑。
- 三相功率大电流回路与芯片小信号逻辑回路分开布局；信号 GND 与功率 GND 单点汇合，降低地弹噪声。
- QFN‑24 封装底部焊盘接 GND，增加散热过孔，改善散热。
七、主流应用场景
300V 以内三相直流无刷 BLDC 电机驱动器；电动工具、变频水泵、风机、工业三相电机控制器。