LTK118 2‑7V 单通道 H 桥直流有刷电机驱动芯片｜集成 MOS 低压消费类驱动方案

一、产品整体概述

LTK118 是力泰科（LTKCHIP）单通道全 H 桥集成功率 MOS 的直流有刷电机驱动 IC ，SOP‑8 封装；供电 VDD：2.0‑7.0V；持续输出电流 1.8A，峰值电流 2.5A；H 桥高低管合计导通电阻典型 320mΩ；双逻辑输入 INA/INB，实现电机正转、反转、待命高阻、刹车；内置过热 TSD 保护，INA、INB 内置 150kΩ 下拉电阻；适合电池供电低压消费类设备：玩具马达、电子锁、电动牙刷等。

关键定位：内置功率 MOS，不需要外接功率管，低压 2‑7V 小电流有刷驱动，无硬件过流保护，仅带热关断。

二、五大核心差异化硬件优势

2.0‑7V 低压电池供电，集成 H 桥功率 MOS 支持单节、多节锂电池 / 干电池供电；内部集成四颗 NMOS 组成完整 H 桥，外围器件极简；SOP‑8 通用贴片，适合成本敏感消费电子产品。
1.8A 持续、2.5A 峰值输出，320mΩ 导通电阻 最大连续 1.8A，启动瞬间峰值不可超过 2.5A，超峰值有芯片损坏风险；HS+LS 总 Rds (on) 典型 320mΩ。
INA/INB 双引脚标准 H 桥逻辑，支持 PWM 调速 四档工作模式：待命高阻、正转、反转、刹车；输入内置 150kΩ 下拉，引脚悬空默认低电平，进入待命状态，防止电机误启动；逻辑高电平阈值 2.0V，可直连 3.3V MCU。
内置迟滞过热保护，降低过热损坏风险 结温过高触发热关断，温度回落自动恢复；注意：芯片没有硬件 OCP 过流保护，堵转 / 短路不能依靠芯片限流，需要外部电路做限流保护。
外围 BOM 简单，不需要大容量电解也可工作 电源端配置 0.1μF 高频陶瓷，配合 100μF 左右储能电容；电机两端并联 0.1μF 吸收电容即可；无需复杂外围。

三、内置功能与重要限制

✅内置功能

完整 H 桥集成功率 MOS；
INA、INB 内置 150kΩ 下拉，引脚悬空输出高阻待命；
迟滞 TSD 过热关断保护，故障解除自动恢复；
四模式逻辑控制：待命、正转、反转、刹车；
关断模式静态电流典型＜10μA，适合电池休眠。

⚠️重要限制

无硬件过流 OCP 保护！短路、堵转不会限流，仅靠过热保护关机，频繁堵转极易烧毁芯片；
无 nFAULT 故障引脚，故障直接关断输出，主控无法读取故障状态；
峰值电流严格限制 2.5A，电机启动、换向瞬态电流不可超限；
无硬件死区，软件必须保证 INA、INB 时序，避免逻辑错误造成桥臂直通。

四、引脚功能定义（SOP‑8）

表格

引脚号	引脚名	I/O	功能简述
1	NC	‑	空脚，悬空处理
2	INA	I	H 桥逻辑输入 A，内置 150kΩ 下拉
3	INB	I	H 桥逻辑输入 B，内置 150kΩ 下拉
4	VDD	Power	芯片电源输入 2‑7V，就近接储能电容 + 0.1μF 陶瓷电容
5	OUTB	O	H 桥输出 B，接电机一端
6	GND	GND	功率地
7	GND	GND	功率地
8	OUTA	O	H 桥输出 A，接电机另一端

H 桥逻辑真值表 | INA | INB | OUTA | OUTB | 工作状态 | |---|---|---|---|---| | L | L | Hi‑Z | Hi‑Z | 待命停止（高阻） | | H | L | H | L | 电机正转 | | L | H | L | H | 电机反转 | | H | H | L | L | 电机刹车 |

五、外围元器件标准化选型规范

VDD 电源电容 ：VDD 对地并联0.1μF 高频陶瓷电容；4.5V 以内建议≥4.7μF，＞4.5V 建议≥100μF 大容量储能电容；电容尽量靠近 VDD‑GND。
电机吸收电容：OUTA‑OUTB 之间并联 0.1μF 陶瓷电容，抑制电机换向电压尖峰。
电机负载：直流有刷电机；持续工作电流≤1.8A；启动、换向峰值严禁超过 2.5A；堵转工况需要外部限流。
逻辑输入：INA、INB 直接接 MCU‑GPIO；VIH≥2.0V，兼容 3.3V 系统。

六、PCB 布线硬性规范

VDD 电源储能电容、0.1μF 去耦电容紧贴 VDD 与 GND 引脚，减小功率回路寄生电感；
OUTA、OUTB 功率走线尽量短粗，降低导通损耗；
电机侧 0.1μF 吸收电容靠近 OUTA、OUTB 输出引脚；
INA、INB 逻辑走线远离 OUTA/OUTB 功率走线，避免电机感性噪声造成逻辑误触发；
SOP‑8 封装热阻 130℃/W，需要加大 GND 铺铜面积改善散热；大电流工况必须做降额处理。